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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电流消耗 (Id) - 最大
BUK9840-55115 NXP USA Inc. BUK9840-55115 1.0000
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ECAD 8988 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1,000
BC850C/AU235 NXP USA Inc. BC850C/AU235 0.0200
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ECAD 20 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 15,000
PMSS3904,115 NXP USA Inc. PMSS3904,115 0.0200
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ECAD 236 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 永磁同步系统3 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BC856B/DG/B2235 NXP USA Inc. BC856B/DG/B2235 0.0200
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ECAD 70 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC856 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 10,000
MRF7S18170HR5 NXP USA Inc. MRF7S18170HR5 -
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ECAD 1668 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF7 1.81GHz LDMOS NI-880H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 50 - 1.4A 50W 17.5分贝 - 28V
BC847BMB315 NXP USA Inc. BC847BMB315 -
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ECAD 7265 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 2156-BC847BMB315 0000.00.0000 1
PMN27XPE115 NXP USA Inc. PMN27XPE115 0.2100
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ECAD 34 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 MOSFET(金属O化物) 6-TSOP 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1 P沟道 20V 4.4A(塔) 2.5V、4.5V 30mOhm@3A,4.5V 1.25V@250μA 22.5nC@4.5V ±12V 1770pF@10V - 530mW(Ta),8.33W(Tc)
PH6325L,115 NXP USA Inc. PH6325L,115 -
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ECAD 7306 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PH63 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人
BSH111,215 NXP USA Inc. 博西首页电111215 0.0600
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ECAD 第357章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BSH1 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
PBHV9515QA147 NXP USA Inc. PBHV9515QA147 0.0800
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ECAD 55 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 3,974
BC848B/DG/B4215 NXP USA Inc. BC848B/DG/B4215 0.0200
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ECAD 3047 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 6,000
BC846BW,115 NXP USA Inc. BC846BW,115 -
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ECAD 第1435章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC84 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BUK9615-100E,118 NXP USA Inc. BUK9615-100E,118 -
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ECAD 6859 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100V 66A(温度) 5V、10V 14毫欧@15A,10V 2.1V@1mA 60nC@5V ±10V 6813pF@25V - 182W(温度)
PDTD143EU115 NXP USA Inc. PDTD143EU115 0.0400
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ECAD 103 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PBSS4021NT/WD215 NXP USA Inc. PBSS4021NT/WD215 -
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ECAD 1916年 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1
PHP3055E,127 NXP USA Inc. PHP3055E,127 -
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ECAD 3736 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP30 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 60V 10.3A(温度) 10V 150mOhm@5.5A,10V 4V@1mA 5.8nC@10V ±20V 250pF@25V - 33W(温度)
PDTC143EM,315 NXP USA Inc. PDTC143EM,315 0.0300
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ECAD 132 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTC14 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 10,000
BUK765R3-40E,118 NXP USA Inc. BUK765R3-40E,118 -
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ECAD 3258 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 40V 75A(温度) 10V 4.9毫欧@25A,10V 4V@1mA 10V时为35.5nC ±20V 2772pF@25V - 137W(温度)
J3D016YXV/T1AY599J NXP USA Inc. J3D016YXV/T1AY599J -
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ECAD 1222 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 J3D0 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 2,500人
BC56-16PAS115 NXP USA Inc. BC56-16PAS115 1.0000
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ECAD 2080 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
J2A012YXS/T1AY403, NXP USA Inc. J2A012YXS/T1AY403, -
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ECAD 5258 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 - - - J2A0 - - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935296266118 过时的 0000.00.0000 12,500 - -
PHK5NQ15T518 NXP USA Inc. PHK5NQ15T518 -
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ECAD 1420 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SO 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 150伏 5A(温度) 5V、10V 75毫欧@5A,10V 4V@1mA 29nC@10V ±20V 1150pF@25V - 6.25W(温度)
PMBS3906,215 NXP USA Inc. PMBS3906,215 -
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ECAD 2870 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PMBS3 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BCP69-16/S500115 NXP USA Inc. BCP69-16/S500115 0.0600
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ECAD 7 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 4,683
J3E081CA4/S1ACH49J NXP USA Inc. J3E081CA4/S1ACH49J -
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ECAD 4633 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 J3E0 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 2,500人
PDTC124EMB NXP USA Inc. PDTC124EMB -
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ECAD 2024年 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 0000.00.0000 1
BUK6228-55C,118 NXP USA Inc. BUK6228-55C,118 0.2400
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1,268 N沟道 55V 31A(温度) 10V 29毫欧@10A、10V 2.8V@1mA 10V时为20.2nC ±16V 1340pF@25V - 60W(温度)
BC69PASX NXP USA Inc. BC69PASX 0.0700
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ECAD 100 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-UDFN 裸露焊盘 420毫W DFN2020D-3 下载 EAR99 8541.29.0075 1 20V 2A 100nA(ICBO) 国民党 600mV@200mA,2A 85@500mA,1V 140兆赫
BUK9506-40B,127 NXP USA Inc. BUK9506-40B,127 0.5200
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ECAD 6 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛洼95 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BFR31,215 NXP USA Inc. BFR31,215 -
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ECAD 3834 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BFR31 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 25V 4pF@10V 1毫安@10伏 2.5V@0.5nA 10毫安
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库