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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BUK6209-30C	-	RFQ	3906	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BUK6209		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1															-
PH3120L，115-nxp	-	RFQ	3809	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1,500		n通道					20 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48.5 NC @ 4.5 V	±20V	4457 PF @ 10 V	-	62.5W（TC）
AFT26HW050GSR3-NXP	115.4500	RFQ	250	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0040	1
PHP45NQ11T，127	0.4100	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					PHP45					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK6E2R3-40C，127	-	RFQ	7460	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					buk6					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PSMN1R6-30PL，127	1.1600	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					PSMN1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
MRFE6VP5150GNR1,528	35.4100	RFQ	475	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	133 v		表面安装	TO-270BB		1.8MHz〜600MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1	双重的		5µA	100 ma	150W	26.1db											-			50 V
BUK7508-55A，127	-	RFQ	6763	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	75a（ta）		8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	76 NC @ 0 V	±20V	4352 PF @ 25 V	-	254W（TA）
MRF6V2300NR5578	-	RFQ	2038	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MRF6V2300		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1															-
BCX51-10115	1.0000	RFQ	3209	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					0000.00.0000	1
MW7IC2020NT1528	-	RFQ	1347	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MW7IC					下载					0000.00.0000	1
PHB21N06LT，118	0.3700	RFQ	978	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	19a（tc）	5V，10V	70mohm @ 10a，10v	2V @ 1mA	9.4 NC @ 5 V	±15V	650 pf @ 25 V	-	56W（TC）
BCW31,215	0.0300	RFQ	42	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					0000.00.0000	11,493																		32 v	100 ma		100NA（ICBO）	NPN	210mv @ 2.5mA，50mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BUK765R2-40B，118	0.7900	RFQ	13	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	379		n通道					40 V	75A（TC）	10V	5.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	3789 PF @ 25 V	-	203W（TC）
BFS20,215	-	RFQ	2658	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BFS20					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000
PMMT591A，215	-	RFQ	7320	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMMT5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
BF550,215	-	RFQ	6379	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BF550					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000
BUK7606-55B，118	-	RFQ	1447	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	254W（TC）
BUK9Y12-55B，115	-	RFQ	8017	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	61.8A（TC）	5V，10V	11mohm @ 20a，10v	2.15V @ 1mA	32 NC @ 5 V	±15V	2880 pf @ 25 V	-	106W（TC）
BCV62B，215	0.1400	RFQ	438	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCV62					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
2PD602AS	-	RFQ	2002	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					0000.00.0000	1
BSS84AKM，315	-	RFQ	1687年	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006-3	下载				Ear99	8541.21.0095	1		P通道					50 V	230ma（ta）	10V	7.5OHM @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.35 NC @ 5 V	±20V	36 pf @ 25 V	-	（340MW）（TA），2.7W（tc）
PSMN041-80YL115	1.0000	RFQ	3638	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					0000.00.0000	1
PBSS5130PAP，115	-	RFQ	8857	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS5130			510MW	6-Huson（2x2）	下载				Ear99	8541.29.0075	1																		30V	1a		100NA（ICBO）	2 PNP （双）	280mv @ 50mA，1a	170 @ 500mA，2V	125MHz
2PD1820AS，115	0.0300	RFQ	16	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载				Ear99	8541.21.0075	10,724																		50 V	500 MA		10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	170 @ 150mA，10v	150MHz
PEMB11,115	-	RFQ	3258	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMB1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	4,000
BUK969R3-100E，118	1.1100	RFQ	8475	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	100A（TC）	5V，10V	8.9mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	94.3 NC @ 5 V	±10V	11650 pf @ 25 V	-	263W（TC）
BC53-16PA，115	-	RFQ	8453	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn	BC53			420兆W	3-Huson（2x2）	下载					0000.00.0000	1																		80 V	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BUK7Y98-80E，115	-	RFQ	2693	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					0000.00.0000	1
2PB709ARW，115	0.0200	RFQ	18	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载				Ear99	8541.21.0095	1																		45 v	100 ma		10NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	70MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²