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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CSD18514Q5A	0.9600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18514	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	89A（TC）	4.5V，10V	7.9Mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	2680 pf @ 20 V	-	74W（TC）
CSD18543Q3A	0.9600	RFQ	5344	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD18543	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	60a（TC）	4.5V，10V	9.9MOHM @ 12A，10V	2.7V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 30 V	标准	66W（TC）
CSD18543Q3AT	1.0200	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD18543	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		60 V	（12a）（60a），60a tc）	4.5V，10V	15.6mohm @ 12a，4.5V	2.7V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 30 V	标准	66W（TC）
CSD18512Q5B	1.9000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18512	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	211a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	7120 PF @ 20 V	-	139W（TC）
CSD17318Q2	0.5400	RFQ	268	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17318	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	25A（TC）	2.5V，8V	15.1MOHM @ 8A，8V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	879 pf @ 15 V	-	16W（TC）
CSD87313DMS	0.8236	RFQ	9807	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	CSD87313	MOSFET （金属 o化物）		8-wson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水			30V	-		-	1.25V @ 250µA	28nc @ 4.5V		4290pf @ 15V	-
CSD87313DMST	2.2700	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	CSD87313	MOSFET （金属 o化物）	2.7W	8-wson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水			30V	-		-	1.2V @ 250µA	28nc @ 4.5V		4290pf @ 15V	-
CSD88599Q5DCT	5.0100	RFQ	97	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-POWERTFDFN	CSD88599Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	22-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）			60V	-		2.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 4.5V		4840pf @ 30V	-
CSD18512Q5BT	2.1700	RFQ	2134	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18512	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		40 V	211a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7120 PF @ 20 V	-	139W（TC）
CSD18511KTTT	2.0100	RFQ	657	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	110a（ta），194a （TC）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
CSD18511KTT	1.6400	RFQ	490	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		40 V	（194a）（ta）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
CSD25485F5T	0.9800	RFQ	2	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25485	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		P通道		20 v	5.3a（ta）	1.8V，8V	35mohm @ 900mA，8v	1.3V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 V	-12V	533 pf @ 10 V	-	1.4W（TA）
CSD16327Q3T	1.3500	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16327	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		25 v	60a（TC）	3V，8V	4mohm @ 24a，8v	1.4V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1300 pf @ 12.5 V	-	74W（TC）
LP395Z/NOPB	1.8000	RFQ	4	Texas Instruments	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	lp395			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800														36 V		-	NPN	-	-	-
LM395T/NOPB	3.7500	RFQ	1	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3	LM395			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45														36 V	2.2 a	-	NPN	-	-	-
tps1120dr	2.1000	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1120	MOSFET （金属 o化物）	840MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			15V	1.17a		180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45NC @ 10V		-	逻辑级别门
LM3046M/NOPB	-	RFQ	6076	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	55			-											15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
TPS1100D	1.8100	RFQ	369	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75		P通道		15 v	1.6a（ta）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD17309Q3	1.1900	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17309	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	20A（20A），60a tc（TC）	3V，8V	5.4mohm @ 18a，8v	1.7V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1440 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
CSD17302Q5A	1.0200	RFQ	7250	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17302	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（16a）（ta），87A（tc）	3V，8V	7.9MOHM @ 14A，8V	1.7V @ 250µA	7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	950 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD17310Q5A	0.9500	RFQ	30	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17310	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	21a（21A），100A （TC）	3V，8V	5.1MOHM @ 20A，8V	1.8V @ 250µA	11.6 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1560 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
CSD16322Q5C	1.4500	RFQ	149	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-son	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	21a（21A），97A （TC）	3V，8V	5mohm @ 20a，8v	1.4V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1365 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD16408Q5C	1.6100	RFQ	70	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD164	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	22a（22a），113a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1300 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD17510Q5A	1.2100	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17510	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	20A（20A），100a tc（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	8.3 NC @ 4.5 V	±20V	1250 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD17505Q5A	1.7400	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17505	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	1.8V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1980 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD86330Q3D	2.1100	RFQ	23	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD86330Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）			25V	20a		9.6mohm @ 14a，8v	2.1V @ 250µA	6.2nc @ 4.5V		920pf @ 12.5V	逻辑级别门
CSD87588NT	1.6600	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87588	MOSFET （金属 o化物）	6W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）			30V	25a		9.6mohm @ 15a，10v	1.9V @ 250µA	4.1nc @ 4.5V		736pf @ 15V	逻辑级别门
ULN2803ADW-P	-	RFQ	3595	Texas Instruments	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	-	rohs3符合条件			296-ULN2803ADW-P	Ear99	8541.29.0095	1														50V	500mA	50µA	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD75208W1015	0.5600	RFQ	11	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD75208	MOSFET （金属 o化物）	750MW	6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）共同来源			20V	1.6a		68mohm @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		410pf @ 10V	逻辑级别门
EFC4C002NLTDG	1.0000	RFQ	5976	Texas Instruments	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-XFBGA，WLCSP	EFC4C002	MOSFET （金属 o化物）	2.6W	8-wlcsp （6x2.5）	下载						0000.00.0000	1	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	2.2V @ 1mA	45nc @ 4.5V		6200pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²