RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CSD75204W15	-	RFQ	1422	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD75204	MOSFET （金属 o化物）	700MW	9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			-	3a		-	900mv @ 250µA	3.9nc @ 4.5V		410pf @ 10V	逻辑级别门
CSD16408Q5	0.6424	RFQ	9150	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16408	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	22a（22a），113a（tc）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1300 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD16321Q5C	1.9800	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	（31a）（TA），100A （TC）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD16340Q3	1.2000	RFQ	25	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16340	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	21a（21a），60a （TC）	2.5V，8V	4.5mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	9.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD16407Q5C	-	RFQ	7851	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD164	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	（31a）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	1.9V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	+16V，-12V	2660 pf @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD17301Q5A	1.6400	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17301	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	28a（28a），100a（tc）	3V，8V	2.6mohm @ 25a，8v	1.55V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	3480 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD16322Q5	1.2800	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16322	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	21a（21A），97A （TC）	3V，8V	5mohm @ 20a，8v	1.4V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1365 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD17305Q5A	0.6663	RFQ	4357	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17305	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	29a（ta），100a（tc）	3V，8V	3.4mohm @ 30a，8v	1.6V @ 250µA	18.3 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	2600 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
CSD17307Q5A	0.8300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17307	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（14A）（ta），73A （TC）	3V，8V	10.5Mohm @ 11a，8v	1.8V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	700 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD17313Q2	0.6600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17313	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	5A（TC）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.3W（ta）
SN75468DE4	-	RFQ	4930	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	75468		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	40														100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
TPS1100PW	1.7900	RFQ	523	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	150		P通道		15 v	1.27A（TA）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	504MW（TA）
CSD17552Q5A	1.0900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17552	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（17a）（60a）（60a）TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 15a，10v	1.9V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD17559Q5	2.9500	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17559	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	40a（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 40a，10v	1.7V @ 250µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	9200 PF @ 15 V	-	3.2W（ta），96w（tc）
LM3046MX	-	RFQ	3523	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	2,500			-											15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
CSD17313Q2Q1	0.7600	RFQ	6	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100，NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17313	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	5A（TC）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.3W（ta）
CSD87381P	0.9400	RFQ	16	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87381	MOSFET （金属 o化物）	4W	5-PTAB（（（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）			30V	15a		16.3mohm @ 8a，8v	1.9V @ 250µA	5NC @ 4.5V		564pf @ 15V	逻辑级别门
CSD18537NQ5A	0.9200	RFQ	21	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	50A（TC）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
CSD87384M	1.7800	RFQ	239	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87384	MOSFET （金属 o化物）	8W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）			30V	30a		7.7MOHM @ 25a，8v	1.9V @ 250µA	9.2nc @ 4.5V		1150pf @ 15V	逻辑级别门
CSD15571Q2	0.4400	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD15571	MOSFET （金属 o化物）		6（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	22a（22a）	4.5V，10V	15mohm @ 5A，10V	1.9V @ 250µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	419 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
CSD23381F4	0.4500	RFQ	257	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		12 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	175mohm @ 500mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.14 NC @ 4.5 V	-8V	236 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD25483F4	0.4300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	205mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.959 NC @ 4.5 V	-12V	198 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD19506KC	4.9300	RFQ	323	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19506	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	100A（TA）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 40 V	-	375W（TC）
CSD19532Q5B	2.6400	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19532	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	100A（TA）	6V，10V	4.9mohm @ 17a，10v	3.2V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 50 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD19503KC	1.7300	RFQ	1377年	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19503	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	100A（TA）	6V，10V	9.2MOHM @ 60a，10V	3.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 40 V	-	188W（TC）
CSD17570Q5B	2.3600	RFQ	11	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17570Q5	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	100A（TA）	4.5V，10V	0.69MOHM @ 50a，10V	1.9V @ 250µA	121 NC @ 4.5 V	±20V	13600 PF @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD19534Q5A	1.0500	RFQ	113	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19534	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	44A（TC）	6V，10V	15.1MOHM @ 10A，10V	3.4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
CSD18563Q5AT	1.6000	RFQ	23	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18563	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道		60 V	100A（TA）	4.5V，10V	6.8mohm @ 18a，10v	2.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），116w（tc）
CSD19531Q5AT	2.1400	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道		100 v	100A（TA）	6V，10V	6.4mohm @ 16a，10v	3.3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	3870 pf @ 50 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
CSD87381PT	1.1100	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87381	MOSFET （金属 o化物）	4W	5-PTAB（（（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）			30V	15a		16.3mohm @ 8a，8v	1.9V @ 250µA	5NC @ 4.5V		564pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²