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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CSD25481F4	0.4500	RFQ	80	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25481	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	88mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.913 NC @ 4.5 V	-12V	189 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TPIC5223LD	1.0400	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
TPIC5302D	1.2000	RFQ	969	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
CSD19538Q3AT	1.8700	RFQ	4221	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	15A（TA）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.8W（TA），23W（tc）
CSD23280F3T	0.9400	RFQ	15	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23280	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道	12 v	1.8A（ta）	1.5V，4.5V	116mohm @ 400mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.23 NC @ 4.5 V	-6V	234 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD75208W1015	0.5600	RFQ	11	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD75208	MOSFET （金属 o化物）	750MW	6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）共同来源		20V	1.6a		68mohm @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	2.5NC @ 4.5V		410pf @ 10V	逻辑级别门
CSD88539ND	0.9100	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CSD88539	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	15a		28mohm @ 5a，10v	3.6V @ 250µA	9.4NC @ 10V		741pf @ 30V	-
CSD18533Q5A	1.5100	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18533	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	17a（17A），100A（tc）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 18A，10V	2.3V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2750 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），116w（tc）
CSD87312Q3E	1.6400	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD87312Q3	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共来源		30V	27a		33mohm @ 7a，8v	1.3V @ 250µA	8.2nc @ 4.5V		1250pf @ 15V	逻辑级别门
CSD18504Q5A	1.1400	RFQ	136	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18504	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（15a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 17a，10v	2.4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1656 PF @ 20 V	-	3.1W（ta），77W（TC）
CSD16327Q3T	1.3500	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16327	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	25 v	60a（TC）	3V，8V	4mohm @ 24a，8v	1.4V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1300 pf @ 12.5 V	-	74W（TC）
tps1101dr	1.0319	RFQ	6739	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	15 v	2.3a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD17556Q5B	2.5000	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17556	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	34A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.4mohm @ 40a，10v	1.65V @ 250µA	39 NC @ 4.5 V	±20V	7020 PF @ 15 V	-	3.1W（191W）（TC）
CSD19534Q5AT	1.2600	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19534	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	44A（TC）	6V，10V	15.1MOHM @ 10A，10V	3.4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
CSD18531Q5AT	2.0600	RFQ	250	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	60 V	100A（TA）	4.5V，10V	4.6mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），156W（tc）
CSD18536KC	4.7600	RFQ	478	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18536	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	200a（200a）	4.5V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	11430 PF @ 30 V	-	375W（TC）
CSD87313DMS	0.8236	RFQ	9807	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	CSD87313	MOSFET （金属 o化物）		8-wson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水		30V	-		-	1.25V @ 250µA	28nc @ 4.5V		4290pf @ 15V	-
CSD17507Q5AT	0.6216	RFQ	5366	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17507	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	-	不适用	（1 （无限）		296-CSD17507Q5ATTR	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	（13A）（65A）（65A）（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 11a，10v	2.1V @ 250µA	3.6 NC @ 4.5 V	±20V	530 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
SN75469D	1.0600	RFQ	1	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SN75469		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD19536KC	4.9800	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19536	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	150a（ta）	6V，10V	2.7MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	375W（TC）
LM395T	5.2500	RFQ	42	Texas Instruments	-	管子	不适合新设计	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3	LM395			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45													36 V	2.2 a	-	NPN	-	-	-
CSD75207W15	0.6800	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD75207	MOSFET （金属 o化物）	700MW	9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）共同来源		-	3.9a		162MOHM @ 1A，1.8V	1.1V @ 250µA	3.7nc @ 4.5V		595pf @ 10V	逻辑级别门
TPIC1501ADWR	2.5100	RFQ	18	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,000
CSD18512Q5BT	2.1700	RFQ	2134	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18512	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	211a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7120 PF @ 20 V	-	139W（TC）
CSD19533Q5AT	1.6900	RFQ	1254	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19533	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	9.4mohm @ 13A，10V	3.4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 50 V	-	3.2W（ta），96w（tc）
CSD15380F3	0.4500	RFQ	64	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD15380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	500mA（ta）	2.8V，8V	1190MOHM @ 100mA，8v	1.35V @ 2.5µA	0.281 NC @ 10 V	10V	10.5 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD88537NDT	1.6600	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CSD88537	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）		60V	15a		15mohm @ 8a，10v	3.6V @ 250µA	18NC @ 10V		1400pf @ 30V	-
CSD18537NQ5AT	1.1000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	60 V	50A（TC）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
SN74ACT202LA15NP	-	RFQ	1750	Texas Instruments	*	大部分	积极的				74ACT202				-						0000.00.0000	1
CSD18512Q5B	1.9000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18512	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	211a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	7120 PF @ 20 V	-	139W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²