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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
CSD25402Q3A	0.9200	RFQ	53	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25402Q3	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	76A（TC）	1.8V，4.5V	8.9mohm @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±12V	1790 pf @ 10 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
CSD88539ND	0.9100	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CSD88539	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	15a		28mohm @ 5a，10v	3.6V @ 250µA	9.4NC @ 10V		741pf @ 30V	-
CSD88537ND	1.3900	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CSD88537	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	15a		15mohm @ 8a，10v	3.6V @ 250µA	18NC @ 10V		1400pf @ 30V	-
CSD19536KC	4.9800	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19536	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	150a（ta）	6V，10V	2.7MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	375W（TC）
CSD18537NQ5AT	1.1000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	60 V	50A（TC）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
CSD25481F4T	0.8900	RFQ	15	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25481	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		P通道	20 v	2.5a（ta）	1.8V，4.5V	88mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	-12V	189 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD87384MT	2.1400	RFQ	822	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87384	MOSFET （金属 o化物）	8W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		30V	30a		7.7MOHM @ 25a，8v	1.9V @ 250µA	9.2nc @ 4.5V		1150pf @ 15V	逻辑级别门
CSD25483F4T	0.9400	RFQ	2	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		P通道	20 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	205mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.96 NC @ 4.5 V	-12V	198 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD88537NDT	1.6600	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CSD88537	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）		60V	15a		15mohm @ 8a，10v	3.6V @ 250µA	18NC @ 10V		1400pf @ 30V	-
CSD23382F4	0.4700	RFQ	74	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23382	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	76mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 6 V	±8V	235 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD19534Q5AT	1.2600	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19534	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	44A（TC）	6V，10V	15.1MOHM @ 10A，10V	3.4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
CSD25304W1015	0.5000	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD25304	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	32.5MOHM @ 1.5A，4.5V	1.15V @ 250µA	4.4 NC @ 4.5 V	±8V	595 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
CSD16570Q5B	2.2200	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16570	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	100A（TA）	4.5V，10V	0.59MOHM @ 50a，10V	1.9V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	14000 pf @ 12 V	-	3.2W（TA），195w（（（（（（（（（（
CSD17579Q3A	0.6000	RFQ	42	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	20A（TA）	4.5V，10V	10.2MOHM @ 8A，10V	1.9V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	998 PF @ 15 V	-	3.2W（TA），29W（tc）
CSD83325LT	1.2300	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA	CSD83325	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6 picostar	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水		12V	-		-	1.25V @ 250µA	10.9nc @ 4.5V		-	-
CSD17577Q3A	0.6500	RFQ	32	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17577	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	35A（TA）	4.5V，10V	4.8mohm @ 16a，10v	1.8V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	2.8W（ta），53W（tc）
CSD16410Q5A	0.9600	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16410	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	16a（16a），59a（tc）	4.5V，10V	8.5mohm @ 17a，10v	2.3V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	740 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD16414Q5	2.0900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16414	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	34A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.9mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	3650 PF @ 12.5 V	-	3.2W（TA）
CSD16321Q5	1.6600	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16321	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（31a）（TA），100A （TC）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD16325Q5	2.0700	RFQ	10	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16325	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	33A（TA），100A （TC）	3V，8V	2mohm @ 30a，8v	1.4V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	4000 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
tps1101dr	1.0319	RFQ	6739	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	15 v	2.3a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD17501Q5A	2.0500	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17501	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.9mohm @ 25a，10v	1.8V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	2630 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD17506Q5A	1.6900	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17506	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 20a，10v	1.8V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	1650 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD16415Q5	2.4900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16415	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	100A（TC）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 40a，10v	1.9V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	4100 PF @ 12.5 V	-	3.2W（TA）
CSD18501Q5A	1.8100	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18501	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	22a（22A），100A（tc）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），150W（tc）
CSD18504Q5A	1.1400	RFQ	136	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18504	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（15a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 17a，10v	2.4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1656 PF @ 20 V	-	3.1W（ta），77W（TC）
CSD18531Q5A	1.7000	RFQ	8878	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	（19a）（100a ta）（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），156W（tc）
CSD17551Q5A	1.0000	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17551	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	48A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 11a，10v	2.2V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	1272 PF @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD17553Q5A	1.5300	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17553	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	23.5a（TA），100A（tc）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 20A，10V	1.9V @ 250µA	21.5 NC @ 4.5 V	±20V	3252 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
CSD13306W	0.5400	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD13306	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	10.2MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	11.2 NC @ 4.5 V	±10V	1370 pf @ 6 V	-	1.9W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²