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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CPH3448-TL-W	-	RFQ	4744	Texas Instruments	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96		MOSFET （金属 o化物）		3-CPH	下载						0000.00.0000	1		n通道	30 V	4A（ta）	1.8V，4.5V	50MOHM @ 2A，4.5V	-	4.7 NC @ 4.5 V	±12V	430 pf @ 10 V	-	1W（ta）
SN75468N-A	-	RFQ	2192	Texas Instruments	SN7546X	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	SN75468		-	16-PDIP	-	rohs3符合条件			296-SN75468N-A			1													100V	500mA	-	-	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD16401Q5T	2.9600	RFQ	793	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16401	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	25 v	100A（TA）	4.5V，10V	1.6mohm @ 40a，10v	1.9V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	4100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD19502Q5BT	3.0100	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19502	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	80 V	100A（TA）	6V，10V	4.1MOHM @ 19a，10v	3.3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4870 pf @ 40 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD87355Q5DT	2.9500	RFQ	750	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87355Q5	MOSFET （金属 o化物）	2.8W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）		30V	45a		-	1.9V @ 250µA	13.7nc @ 4.5V		1860pf @ 15V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD18543Q3AT	1.0200	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD18543	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	60 V	（12a）（60a），60a tc）	4.5V，10V	15.6mohm @ 12a，4.5V	2.7V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 30 V	标准	66W（TC）
CSD18531Q5A	1.7000	RFQ	8878	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	（19a）（100a ta）（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），156W（tc）
CSD85302L	0.6300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	CSD85302	MOSFET （金属 o化物）	1.7W	4-picostar（1.31x1.31）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		-	-		-	-	7.8NC @ 4.5V		-	-
CSD18501Q5A	1.8100	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18501	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	22a（22A），100A（tc）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），150W（tc）
CSD16321Q5	1.6600	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16321	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（31a）（TA），100A （TC）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
EFC4C002NLTDG	1.0000	RFQ	5976	Texas Instruments	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-XFBGA，WLCSP	EFC4C002	MOSFET （金属 o化物）	2.6W	8-wlcsp （6x2.5）	下载						0000.00.0000	1	2 n 通道（双）公共排水		-	-		-	2.2V @ 1mA	45nc @ 4.5V		6200pf @ 15V	逻辑级别门
CSD16322Q5C	1.4500	RFQ	149	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-son	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	21a（21A），97A （TC）	3V，8V	5mohm @ 20a，8v	1.4V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1365 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD16415Q5	2.4900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16415	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	100A（TC）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 40a，10v	1.9V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	4100 PF @ 12.5 V	-	3.2W（TA）
CSD17553Q5A	1.5300	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17553	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	23.5a（TA），100A（tc）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 20A，10V	1.9V @ 250µA	21.5 NC @ 4.5 V	±20V	3252 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
CSD18533KCS	1.7000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18533	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	72A（ta），100A（tc）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 75A，10V	2.3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	3025 PF @ 30 V	-	192W（TC）
CSD25213W10	0.4700	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD25213	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	47MOHM @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	2.9 NC @ 4.5 V	-6V	478 pf @ 10 V	-	1W（ta）
CSD25402Q3A	0.9200	RFQ	53	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25402Q3	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	76A（TC）	1.8V，4.5V	8.9mohm @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±12V	1790 pf @ 10 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
CSD17559Q5T	3.1800	RFQ	396	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17559	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 40a，10v	1.7V @ 250µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	9200 PF @ 15 V	-	3.2W（ta），96w（tc）
CSD25304W1015	0.5000	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD25304	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	32.5MOHM @ 1.5A，4.5V	1.15V @ 250µA	4.4 NC @ 4.5 V	±8V	595 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
CSD18534Q5AT	1.2900	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18534	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	60 V	50a（ta）	4.5V，10V	9.8mohm @ 14a，10v	2.3V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1770 pf @ 30 V	-	3.1W（ta），77W（TC）
CSD87384MT	2.1400	RFQ	822	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87384	MOSFET （金属 o化物）	8W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		30V	30a		7.7MOHM @ 25a，8v	1.9V @ 250µA	9.2nc @ 4.5V		1150pf @ 15V	逻辑级别门
CSD17318Q2	0.5400	RFQ	268	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17318	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	25A（TC）	2.5V，8V	15.1MOHM @ 8A，8V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	879 pf @ 15 V	-	16W（TC）
CSD13202Q2	0.5800	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD13202	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	22a（22a）	2.5V，4.5V	9.3MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	±8V	997 PF @ 6 V	-	2.7W（TA）
CSD25483F4T	0.9400	RFQ	2	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道	20 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	205mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.96 NC @ 4.5 V	-12V	198 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD17579Q3A	0.6000	RFQ	42	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	20A（TA）	4.5V，10V	10.2MOHM @ 8A，10V	1.9V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	998 PF @ 15 V	-	3.2W（TA），29W（tc）
CSD18514Q5A	0.9600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18514	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	89A（TC）	4.5V，10V	7.9Mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	2680 pf @ 20 V	-	74W（TC）
CSD17556Q5BT	3.0000	RFQ	442	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17556	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	1.4mohm @ 40a，10v	1.65V @ 250µA	39 NC @ 4.5 V	±20V	7020 PF @ 15 V	-	3.1W（191W）（TC）
CSD18511KTT	1.6400	RFQ	490	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	40 V	（194a）（ta）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
CSD85301Q2	0.6700	RFQ	19	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD85301	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	5a		27mohm @ 5A，4.5V	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		469pf @ 10V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD13202Q2T	-	RFQ	7046	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD13202	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD13202Q2T	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	12 v	14.4a（ta）	2.5V，4.5V	9.3MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	±8V	997 PF @ 6 V	-	2.7W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²