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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CSD87501L	1.0000	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-xflga	CSD87501	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	10 picostar（3.37x1.47）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		-	-		-	2.3V @ 250µA	40NC @ 10V		-	逻辑级别门
CSD19538Q2T	1.1100	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	13.1A（TC）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），20.2W（tc）
CSD18510Q5BT	2.7700	RFQ	204	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	300A（TC）	4.5V，10V	0.96mohm @ 32a，10v	2.3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 20 V	-	156W（TC）
CSD88584Q5DCT	4.5200	RFQ	6077	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-POWERTFDFN	CSD88584Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	22-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		40V	-		0.95MOHM @ 30a，10V	2.3V @ 250µA	88nc @ 4.5V		12400pf @ 20V	-
CSD25484F4	0.3800	RFQ	49	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25484	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	1.8V，8V	94mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	1.42 NC @ 4.5 V	-12V	230 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD17313Q2Q1T	0.8664	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD173	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	5A（5A）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），17W（tc）
CSD23382F4T	0.8800	RFQ	4	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23382	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		P通道	12 v	3.5A（ta）	1.8V，4.5V	76mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	±8V	235 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD25310Q2T	1.1600	RFQ	22	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD25310Q2	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		P通道	20 v	20A（TA）	1.8V，4.5V	23.9MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	655 pf @ 10 V	-	2.9W（TA）
CSD75211W1723	-	RFQ	2799	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-ufbga，DSBGA	CSD75211	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	12-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5a		40mohm @ 2a，4.5V	1.1V @ 250µA	5.9nc @ 4.5V		600pf @ 10V	逻辑级别门
CSD17307Q5A	0.8300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17307	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（14A）（ta），73A （TC）	3V，8V	10.5Mohm @ 11a，8v	1.8V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	700 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD18514Q5AT	1.0100	RFQ	890	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18514	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	89A（TC）	4.5V，10V	7.9Mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2683 PF @ 20 V	-	74W（TC）
CSD13383F4T	0.9100	RFQ	5	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13383F4	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		n通道	12 v	2.9a（ta）	2.5V，4.5V	44mohm @ 500mA，4.5V	1.25V @ 250µA	2.6 NC @ 4.5 V	±10V	291 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD19535KC	3.4500	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19535	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	150a（ta）	6V，10V	3.6mohm @ 100a，10v	3.4V @ 250µA	101 NC @ 10 V	±20V	7930 PF @ 50 V	-	300W（TC）
ULN2803ADW	0.8520	RFQ	4904	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	40													50V	500mA	-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD86360Q5D	2.8100	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD86360Q5	MOSFET （金属 o化物）	13W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		25V	50a		-	2.1V @ 250µA	12.6nc @ 4.5V		2060pf @ 12.5	逻辑级别门
CSD17585F5	0.4900	RFQ	88	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD17585	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 900mA，10v	1.7V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	20V	380 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD87313DMST	2.2700	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	CSD87313	MOSFET （金属 o化物）	2.7W	8-wson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水		30V	-		-	1.2V @ 250µA	28nc @ 4.5V		4290pf @ 15V	-
CSD17382F4T	0.8800	RFQ	14	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17382	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		n通道	30 V	2.3a（ta）	1.8V，8V	64mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	10V	347 PF @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD18535KTTT	3.9100	RFQ	26	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18535	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	200a（200a）（279a tc）（TC）	4.5V，10V	2MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	6620 PF @ 30 V	-	300W（TC）
CSD18541F5	0.4500	RFQ	8	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD18541	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	2.2A（ta）	4.5V，10V	65mohm @ 1A，10V	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	777 PF @ 30 V	-	500MW（TA）
CSD16325Q5	2.0700	RFQ	10	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16325	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	33A（TA），100A （TC）	3V，8V	2mohm @ 30a，8v	1.4V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	4000 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD17310Q5A	0.9500	RFQ	30	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17310	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	21a（21A），100A （TC）	3V，8V	5.1MOHM @ 20A，8V	1.8V @ 250µA	11.6 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1560 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
CSD16322Q5C	1.4500	RFQ	149	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-son	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	21a（21A），97A （TC）	3V，8V	5mohm @ 20a，8v	1.4V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1365 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD25483F4T	0.9400	RFQ	2	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		P通道	20 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	205mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.96 NC @ 4.5 V	-12V	198 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD25402Q3A	0.9200	RFQ	53	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25402Q3	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	76A（TC）	1.8V，4.5V	8.9mohm @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±12V	1790 pf @ 10 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
CSD25213W10	0.4700	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD25213	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	47MOHM @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	2.9 NC @ 4.5 V	-6V	478 pf @ 10 V	-	1W（ta）
CSD18533KCS	1.7000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18533	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	72A（ta），100A（tc）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 75A，10V	2.3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	3025 PF @ 30 V	-	192W（TC）
CSD17318Q2	0.5400	RFQ	268	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17318	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	25A（TC）	2.5V，8V	15.1MOHM @ 8A，8V	1.2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	879 pf @ 15 V	-	16W（TC）
CSD17559Q5T	3.1800	RFQ	396	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17559	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 40a，10v	1.7V @ 250µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	9200 PF @ 15 V	-	3.2W（ta），96w（tc）
CSD25304W1015	0.5000	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD25304	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	32.5MOHM @ 1.5A，4.5V	1.15V @ 250µA	4.4 NC @ 4.5 V	±8V	595 pf @ 10 V	-	750MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²