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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	（ID） - 最大
EMB1426QMME/NOPB	3.7200	RFQ	500	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-EMB1426QMME/NOPB-296			1
JFE2140DR	4.4800	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	JFE2140			8-SOIC	下载	不适用	2（1年）			Ear99	8541.29.0095	2,500		2 n 通道（双）		40 V							13pf @ 5V					40 V		1.5 V @ 0.1 µA							50 mA
CSD17381F4R	-	RFQ	8316	Texas Instruments	FemTofet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD17381F4R	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		30 V	3.1a（ta）	1.8V，8V	109mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
LM395T/Elli326	-	RFQ	1615年	Texas Instruments	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3	LM395			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-LM395T/ELLI326			1														36 V					-	-	-	-	-
CSD16323Q3T	-	RFQ	6991	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16323	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD16323Q3T	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		25 v	20A（20A），105A（tc）	3V，8V	4.5MOHM @ 24A，8V	1.4V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1300 pf @ 12.5 V	-	2.8W（ta），74W（tc）
JFE150DBVR	1.2493	RFQ	2546	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	JFE150			SOT-23-5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-JFE150DBVR			3,000		n通道		40 V							24pf @ 5V					40 V	24 mA @ 10 V	1.5 V @ 100 na							50 mA
SN75468NS	-	RFQ	7870	Texas Instruments	SN7546X	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm）	SN75468		-	16件事	-	rohs3符合条件			296-SN75468NS			1														100V	500mA				-	-	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD87330Q3DT	-	RFQ	6172	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87330	MOSFET （金属 o化物）	6W（TA）	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD87330Q3DT	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			30V	20A（TA）		9.45mohm @ 15a，5v，3.6mohm @ 15a，5v	2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA	5.8nc @ 4.5V，11.5nc @ 4.5V		900pf @ 15v，1632pf @ 15V	标准
CSD25302Q2	-	RFQ	4281	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	CSD2530	MOSFET （金属 o化物）		六月	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	5A（TC）	1.8V，4.5V	49mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 V	±8V	350 pf @ 10 V	-	2.4W（TA）
CSD19506KTT	5.3300	RFQ	126	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19506	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		80 V	200a（200a）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 40 V	-	375W（TC）
CSD75205W1015	-	RFQ	8868	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD75205	MOSFET （金属 o化物）	750MW	6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	1.2a		120MOHM @ 1A，4.5V	850mv @ 250µA	2.2nc @ 4.5V		265pf @ 10V	逻辑级别门
ULN2803CDWR	1.2600	RFQ	4282	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	ULN2803		-	20-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	2,000														50V	500mA				50µA	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD86360Q5D	2.8100	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD86360Q5	MOSFET （金属 o化物）	13W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）			25V	50a		-	2.1V @ 250µA	12.6nc @ 4.5V		2060pf @ 12.5	逻辑级别门
ULN2803ADWG4	-	RFQ	7375	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40														50V	500mA				-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD17579Q3AT	1.2200	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		30 V	20A（TA）	4.5V，10V	10.2MOHM @ 8A，10V	1.9V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	998 PF @ 15 V	-	3.2W（TA），29W（tc）
ULN2803ADW	0.8520	RFQ	4904	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40														50V	500mA				-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
LM395T/NOPB	3.7500	RFQ	1	Texas Instruments	-	管子	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-220-3	LM395			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45														36 V	2.2 a				-	NPN	-	-	-
LP395Z/NOPB	1.8000	RFQ	4	Texas Instruments	-	大部分	积极的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	lp395			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800														36 V					-	NPN	-	-	-
tps1120dr	2.1000	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1120	MOSFET （金属 o化物）	840MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			15V	1.17a		180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45NC @ 10V		-	逻辑级别门
LM3046M/NOPB	-	RFQ	6076	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	55			-											15V	50mA					5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
TPS1100D	1.8100	RFQ	369	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75		P通道		15 v	1.6a（ta）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD88599Q5DCT	5.0100	RFQ	97	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-POWERTFDFN	CSD88599Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	22-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）			60V	-		2.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 4.5V		4840pf @ 30V	-
CSD87313DMST	2.2700	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	CSD87313	MOSFET （金属 o化物）	2.7W	8-wson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水			30V	-		-	1.2V @ 250µA	28nc @ 4.5V		4290pf @ 15V	-
CSD18512Q5BT	2.1700	RFQ	2134	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18512	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		40 V	211a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7120 PF @ 20 V	-	139W（TC）
CSD85302L	0.6300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	CSD85302	MOSFET （金属 o化物）	1.7W	4-picostar（1.31x1.31）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	-	7.8NC @ 4.5V		-	-
CSD19502Q5BT	3.0100	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19502	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		80 V	100A（TA）	6V，10V	4.1MOHM @ 19a，10v	3.3V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4870 pf @ 40 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD17382F4T	0.8800	RFQ	14	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17382	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		30 V	2.3a（ta）	1.8V，8V	64mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	10V	347 PF @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD23280F3T	0.9400	RFQ	15	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23280	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		12 v	1.8A（ta）	1.5V，4.5V	116mohm @ 400mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.23 NC @ 4.5 V	-6V	234 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD18535KTT	3.2800	RFQ	482	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18535	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	200a（200a）	4.5V，10V	2MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	6620 PF @ 30 V	-	300W（TC）
CSD18542KTT	2.6600	RFQ	153	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18542	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	200a（200a）	4.5V，10V	4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5070 pf @ 30 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²