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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CSD17313Q2Q1	0.7600	RFQ	6	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100，NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17313	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5A（TC）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.3W（ta）
CSD17327Q5A	0.4292	RFQ	5973	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17327	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	65A（TC）	4.5V，8V	12.2mohm @ 11a，8v	2V @ 250µA	3.4 NC @ 4.5 V	±10V	506 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD87353Q5D	2.8800	RFQ	20	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87353Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	40a		-	2.1V @ 250µA	19nc @ 4.5V		3190pf @ 15V	逻辑级别门
CSD87503Q3E	1.6300	RFQ	627	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD87503	MOSFET （金属 o化物）	15.6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共来源		30V	10a（10a）		13.5MOHM @ 6A，10V	2.1V @ 250µA	17.4NC @ 4.5V		1020pf @ 15V	-
CSD86350Q5DT	3.1100	RFQ	250	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD86350	MOSFET （金属 o化物）	13W（TA）	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	296-CSD86350Q5DTTR	Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		25V	40a（ta）		5mohm @ 25A，5V，1.1MOHM @ 25A，5V	2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA	10.7nc @ 4.5V，25nc @ 4.5V		1870pf @ 12.5v，4000pf @ 12.5V	-
CSD18510KTTT	2.8300	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	274a（TC）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.3V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 15 V	-	250W（TA）
CSD16340Q3	1.2000	RFQ	25	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16340	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	21a（21a），60a （TC）	2.5V，8V	4.5mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	9.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD17578Q5AT	1.3600	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17578	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	25A（TA）	4.5V，10V	6.9Mohm @ 10a，10v	1.9V @ 250µA	22.3 NC @ 10 V	±20V	1510 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），42W（tc）
CSD25201W15	-	RFQ	6632	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD25201	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	40mohm @ 2a，4.5V	1.1V @ 250µA	5.6 NC @ 4.5 V	-6V	510 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
CSD19531Q5AT	2.1400	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	6.4mohm @ 16a，10v	3.3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	3870 pf @ 50 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
CSD16321Q5C	1.9800	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	（31a）（TA），100A （TC）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD17308Q3T	1.0100	RFQ	830	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17308	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	（14A）（44A）（44a tc）	3V，8V	10.3mohm @ 10a，8v	1.8V @ 250µA	5.1 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	700 pf @ 15 V	-	2.7W（28W），28W（TC）
CSD17570Q5BT	2.8100	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17570Q5	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	100A（TA）	4.5V，10V	0.69MOHM @ 50a，10V	1.9V @ 250µA	121 NC @ 4.5 V	±20V	13600 PF @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD87381P	0.9400	RFQ	16	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87381	MOSFET （金属 o化物）	4W	5-PTAB（（（（（（（（（（	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	15a		16.3mohm @ 8a，8v	1.9V @ 250µA	5NC @ 4.5V		564pf @ 15V	逻辑级别门
CSD87384M	1.7800	RFQ	239	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	5-lga	CSD87384	MOSFET （金属 o化物）	8W	5-ptab（5x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	30a		7.7MOHM @ 25a，8v	1.9V @ 250µA	9.2nc @ 4.5V		1150pf @ 15V	逻辑级别门
CSD17312Q5	2.3000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17312	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	38A（TA），100A （TC）	3V，8V	1.5MOHM @ 35A，8V	1.5V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	5240 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD25202W15T	1.2800	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD25202W15	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		P通道	20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	26mohm @ 2a，4.5V	1.05V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	-6V	1010 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD13383F4	0.5000	RFQ	1	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13383	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	2.9a（ta）	2.5V，4.5V	44mohm @ 500mA，4.5V	1.25V @ 250µA	2.6 NC @ 4.5 V	±10V	291 PF @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD25483F4	0.4300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.6a（ta）	1.8V，4.5V	205mohm @ 500mA，8v	1.2V @ 250µA	0.959 NC @ 4.5 V	-12V	198 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD19506KTTT	6.1100	RFQ	5586	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19506	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	200a（200a）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 40 V	-	375W（TC）
TPS1101PWR	0.9823	RFQ	9062	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度）	TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		16-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	15 v	2.18a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	710MW（TA）
ULN2803ADWRG4	-	RFQ	4620	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													50V	500mA	-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
tps1101d	2.6800	RFQ	105	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75		P通道	15 v	2.3a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD17579Q5AT	1.2900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	30 V	25A（TA）	4.5V，10V	9.7MOHM @ 8A，10V	2V @ 250µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
CSD18511KC	1.6900	RFQ	254	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	（194a）（ta）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
CSD17507Q5A	0.9100	RFQ	6	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17507	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（13A）（65A）（65A）（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 11a，10v	2.1V @ 250µA	3.6 NC @ 4.5 V	±20V	530 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD86356Q5D	1.0929	RFQ	4380	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86356	MOSFET （金属 o化物）	12W（ta）	8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		25V	40a（ta）		4.5MOHM @ 20a，5v，0.8Mohm @ 20a，5v	1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA	7.9nc @ 4.5V，19.3nc @ 4.5V		1040pf @ 12.5V，2510pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD25485F5	0.5300	RFQ	6	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25485	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3.2A（ta）	1.8V，8V	35mohm @ 900mA，8v	1.3V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 V	-12V	533 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD25401Q3	-	RFQ	4271	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD2540	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	14a（TA），60A （TC）	2.5V，4.5V	11.7MOHM @ 10a，4.5V	1.2V @ 250µA	12.3 NC @ 4.5 V	±12V	1400 pf @ 10 V	-	2.8W（ta）
TPIC5424LDW	1.8700	RFQ	600	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²