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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CSD87502Q2T	1.2100	RFQ	40	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD87502	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）		30V	5a		32.4MOHM @ 4A，10V	2V @ 250µA	6NC @ 10V		353pf @ 15V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD25303W1015	-	RFQ	2361	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD2530	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3A（TC）	1.8V，4.5V	58mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±8V	435 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
CSD19505KTTT	4.1300	RFQ	79	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19505	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	200a（200a）	6V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	7920 PF @ 40 V	-	300W（TC）
桶-ULN2803AN	0.7000	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的				桶-ULN2803				-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.33.0001	466
CSD18540Q5BT	3.0600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18540	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	60 V	100A（TA）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 28A，10V	2.3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	4230 PF @ 30 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
SN75468NSR	1.8100	RFQ	3599	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm）	75468		-	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
LM394CH/NOPB	-	RFQ	9184	Texas Instruments	-	盒子	过时的	-25°C〜85°C（TA）	通过洞	TO-99-6金属罐	LM394		500MW	14-vson（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	500													20V	20mA	-	2 NPN （双）	100mV @ 100µA，1mA	-	-
CSD19531KC	2.2100	RFQ	298	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19531	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	7.7MOHM @ 60a，10v	3.3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	3870 pf @ 50 V	-	214W（TC）
SN75468NG4	-	RFQ	9120	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	75468		-	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
TPS1100PWR	0.7130	RFQ	4284	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	15 v	1.27A（TA）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	504MW（TA）
CSD87334Q3D	0.6547	RFQ	5491	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD87334Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	20a		6mohm @ 12a，8v	1.2V @ 250µA	8.3nc @ 4.5V		1260pf @ 15V	逻辑级别门
CSD18503Q5AT	1.7100	RFQ	733	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	2640 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
CSD19535KTT	3.4200	RFQ	1192	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19535	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	200a（200a）	6V，10V	3.4mohm @ 100a，10v	3.4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7930 PF @ 50 V	-	300W（TC）
CSD18563Q5A	1.4900	RFQ	12	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18563	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	100A（TA）	4.5V，10V	6.8mohm @ 18a，10v	2.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），116w（tc）
CSD19538Q3A	0.6500	RFQ	9125	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD19538	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	15A（TA）	6V，10V	59mohm @ 5a，10v	3.8V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	454 pf @ 50 V	-	2.8W（TA），23W（tc）
CSD23203W	0.5100	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，DSBGA	CSD23203	MOSFET （金属 o化物）		6-DSBGA（1x1.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	8 V	3A（3A）	1.8V，4.5V	19.4mohm @ 1.5A，4.5V	1.1V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	-6V	914 PF @ 4 V	-	750MW（TA）
CSD18503Q5A	1.6100	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（19a）（100a ta）（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2640 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
CSD16404Q5A	1.0900	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16404	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	21a（21a），81A（tc）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1220 PF @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD22202W15	0.7300	RFQ	53	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22202	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	10a（10a）	2.5V，4.5V	12.2MOHM @ 2A，4.5V	1.1V @ 250µA	8.4 NC @ 4.5 V	-6V	1390 pf @ 4 V	-	1.5W（TA）
LP395Z/LFT4	-	RFQ	8332	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜125°C（TA）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	lp395			TO-92-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													36 V		-	NPN	-	-	-
CSD18537NQ5A-P	-	RFQ	6449	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vson（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD18537NQ5A-P	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	11a（11a），54a（tc）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
CSD13380F3	0.4500	RFQ	79	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	12 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	8V	156 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
SN75468NSRG4	-	RFQ	8967	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm）	75468		-	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD88599Q5DC	4.1700	RFQ	547	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-POWERTFDFN	CSD88599Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	22-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		60V	-		2.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 4.5V		4840pf @ 30V	-
CSD16342Q5AT	-	RFQ	8264	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16342	MOSFET （金属 o化物）		8-vson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD16342Q5AT	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	25 v	21a（21A），100A （TC）	2.5V，8V	4.7mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD23285F5	0.5300	RFQ	20	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23285	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	5.4A（ta）	1.5V，4.5V	35MOHM @ 1A，4.5V	950mv @ 250µA	4.2 NC @ 4.5 V	-6V	628 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
ULN2803ADWR	-	RFQ	5137	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000													50V	500mA	-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN75469DR	0.8800	RFQ	3	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SN75469		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN75468N	1.0100	RFQ	820	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	75468		-	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25													100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
tps1100dr	0.7130	RFQ	1041	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道	15 v	1.6a（ta）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²