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晶体管（（427）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD25501F3 | 0.4300 |  | 11 | 0.00000000 | Texas Instruments | FemTofet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 3-xflga | CSD25501 | MOSFET （金属 o化物） | 3-LGA（0.73x0.64） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.6a（ta） | 1.8V，4.5V | 76MOHM @ 400mA，4.5V | 1.05V @ 250µA | 1.33 NC @ 4.5 V | -20V | 385 pf @ 10 V | - | 500MW（TA） | |||||||||||
| CSD25501F3T | 0.8900 | | 22 | 0.00000000 | Texas Instruments | FemTofet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 3-xflga | CSD25501F3 | MOSFET （金属 o化物） | 3-LGA（0.73x0.64） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | P通道 | 20 v | 3.6a（ta） | 1.8V，4.5V | 76MOHM @ 400mA，4.5V | 1.05V @ 250µA | 1.33 NC @ 4.5 V | -20V | 385 pf @ 10 V | - | 500MW（TA） | |||||||||||
 | TPS1100PWR | 0.7130 | | 4284 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | TPS1100 | MOSFET （金属 o化物） | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | P通道 | 15 v | 1.27A（TA） | 2.7V，10V | 180MOHM @ 1.5A，10V | 1.5V @ 250µA | 5.45 NC @ 10 V | +2V，-15V | - | 504MW（TA） | ||||||||||||
 | TPS1120D | 1.6926 | | 6836 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TPS1120 | MOSFET （金属 o化物） | 840MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 75 | 2（p 通道（双） | 15V | 1.17a | 180MOHM @ 1.5A，10V | 1.5V @ 250µA | 5.45NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||||||||||
 | SN75468N | 1.0100 | | 820 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车，AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | 75468 | - | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500mA | - | 7 NPN达灵顿 | 1.6V @ 500µA，350mA | - | - | |||||||||||||||
 | CSD17306Q5A | 1.3700 | | 4 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | CSD17306 | MOSFET （金属 o化物） | 8-vsonp （5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | （24A）（TA），100A （TC） | 3V，8V | 3.7MOHM @ 22a，8v | 1.6V @ 250µA | 15.3 NC @ 4.5 V | +10V，-8V | 2170 pf @ 15 V | - | 3.2W（TA） | |||||||||||
| CSD17303Q5 | 1.7500 | | 3 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | CSD17303 | MOSFET （金属 o化物） | 8-VSON-CLIP（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 32A（TA），100A （TC） | 3V，8V | 2.4mohm @ 25a，8v | 1.6V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 V | +10V，-8V | 3420 PF @ 15 V | - | 3.2W（TA） | |||||||||||
 | CSD16301Q2 | 0.5800 | | 21 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，平坦的铅 | CSD16301 | MOSFET （金属 o化物） | 六月 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 5A（TC） | 3V，8V | 24mohm @ 4a，8v | 1.55V @ 250µA | 2.8 NC @ 4.5 V | +10V，-8V | 340 pf @ 12.5 V | - | 2.3W（ta） | |||||||||||
 | CSD16325Q5C | - | | 5546 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | CSD1632 | MOSFET （金属 o化物） | 8-VSON-CLIP（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 33A（TA），100A （TC） | 3V，8V | 2mohm @ 30a，8v | 1.4V @ 250µA | 25 NC @ 4.5 V | +10V，-8V | 4000 PF @ 12.5 V | - | 3.1W（TA） | |||||||||||
 | CSD16323Q3 | 1.1700 | | 25 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | CSD16323 | MOSFET （金属 o化物） | 8-VSON-CLIP 3.3x3.3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 21a（21a），60a （TC） | 3V，8V | 4.5MOHM @ 24A，8V | 1.4V @ 250µA | 8.4 NC @ 4.5 V | +10V，-8V | 1300 pf @ 12.5 V | - | （3W）（TA） | |||||||||||
| CSD16413Q5A | 1.4000 | | 2 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | CSD16413 | MOSFET （金属 o化物） | 8-vsonp （5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | （24A）（TA），100A （TC） | 4.5V，10V | 3.9MOHM @ 24A，10V | 1.9V @ 250µA | 11.7 NC @ 4.5 V | +16V，-12V | 1780 pf @ 12.5 V | - | 3.1W（TA） | |||||||||||
| tps1100dr | 0.7130 | | 1041 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TPS1100 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | P通道 | 15 v | 1.6a（ta） | 2.7V，10V | 180MOHM @ 1.5A，10V | 1.5V @ 250µA | 5.45 NC @ 10 V | +2V，-15V | - | 791MW（TA） | ||||||||||||
 | CSD86311W1723 | 0.4542 | | 1940年 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 12-ufbga，DSBGA | CSD86311 | MOSFET （金属 o化物） | 1.5W | 12-DSBGA | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 4.5a | 39mohm @ 2a，8v | 1.4V @ 250µA | 4NC @ 4.5V | 585pf @ 12.5V | 逻辑级别门 | |||||||||||||
 | CSD86350Q5D | 2.7700 | | 5 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerldfn | CSD86350Q5 | MOSFET （金属 o化物） | 13W | 8-lson（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 25V | 40a | 6mohm @ 20a，8v | 2.1V @ 250µA | 10.7nc @ 4.5V | 1870pf @ 12.5V | 逻辑级别门 | |||||||||||||
 | TPIC1301DW | - | | 4517 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 59 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TPIC1502DWR | 1.2400 | | 38 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | ULN2004AN | 0.3300 | | 8 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | ULN2004 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| TPIC1505DWR | 1.5800 | | 31 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 桶-ULN2803AN | 0.7000 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 桶-ULN2803 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.33.0001 | 466 | |||||||||||||||||||||||||||
| TPIC5322LD | - | | 5810 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TPIC5403DW | 1.4400 | | 778 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TPIC5421LNE | 3.6200 | | 7 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3303 | - | | 2057 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达受影响 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TPS2013APWR | 0.5500 | | 630 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | TPS2013 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 630 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDP032N08 | 1.0000 | | 9754 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | FDP032 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220-3 | 下载 | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | n通道 | 75 v | 120A（TC） | 10V | 3.2MOHM @ 75A，10V | 4.5V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | ±20V | 15160 pf @ 25 V | - | 375W（TC） | |||||||||||||
| SN910214N-P | - | | 7203 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TPIC1533DW | 2.4900 | | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 过时的 | TPIC15 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD25402Q3AT | 1.1200 | | 9 | 0.00000000 | Texas Instruments | NexFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | CSD25402Q3 | MOSFET （金属 o化物） | 8-vsonp （3x3.3） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 296-CSD25402Q3ATCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | P通道 | 20 v | （15a）（ta），76a（tc） | 1.8V，4.5V | 8.9mohm @ 10a，4.5V | 1.15V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ±12V | 1790 pf @ 10 V | - | 2.8W（TA），69W（tc） | ||||||||||
 | ULN2004ANE4 | - | | 4205 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | ULN2004 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | fjt44ktf | - | | 9510 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 大部分 | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | TO-261-4，TO-261AA | 2 w | SOT-223-4 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 400 v | 300 MA | 500NA | NPN | 750mv @ 5mA，50mA | 50 @ 10mA，10v | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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