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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CSD19531Q5A	1.7700	RFQ	2626	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	100A（TC）	6V，10V	6.4mohm @ 16a，10v	3.3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	3870 pf @ 50 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
TPS2013APWR	0.5500	RFQ	630	Texas Instruments	*	大部分	积极的				TPS2013	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				630												-
CSD25501F3T	0.8900	RFQ	22	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-xflga	CSD25501F3	MOSFET （金属 o化物）		3-LGA（0.73x0.64）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		20 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.33 NC @ 4.5 V	-20V	385 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD16342Q5A	1.1300	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16342	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	100A（TC）	2.5V，8V	4.7mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
LM3046M	-	RFQ	5963	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	55			-											15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
CSD17381F4	0.4200	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	3.1a（ta）	1.8V，4.5V	109mohm @ 500mA，8a	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD17578Q3A	0.6900	RFQ	32	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17578	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	20A（TA）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10a，10v	1.9V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 15 V	-	3.2W（37W），37W（tc）
CSD13302W	0.4900	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD13302	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		12 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	17.1MOHM @ 1A，4.5V	1.3V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±10V	862 PF @ 6 V	-	1.8W（TA）
CSD18537NKC	1.3500	RFQ	3	Texas Instruments	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	50A（TC）	6V，10V	14mohm @ 25a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	94W（TC）
ULN2003AINE4	0.2003	RFQ	1107	Texas Instruments	ULN200X	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）			-	16-PDIP	-	rohs3符合条件		到达不受影响	296-ULN2003AINE4			25														50V	500mA	50µA	-	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD13380F3T	0.9400	RFQ	29	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		12 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	8V	156 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD25402Q3AT	1.1200	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25402Q3	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	296-CSD25402Q3ATCT	Ear99	8541.29.0095	250		P通道		20 v	（15a）（ta），76a（tc）	1.8V，4.5V	8.9mohm @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±12V	1790 pf @ 10 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
CSD17306Q5A	1.3700	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17306	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（24A）（TA），100A （TC）	3V，8V	3.7MOHM @ 22a，8v	1.6V @ 250µA	15.3 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	2170 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD13381F4T	0.9300	RFQ	6	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13381F4	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		12 v	2.1a（ta）	1.8V，4.5V	180MOHM @ 500mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 V	8V	200 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD18535KC	3.1400	RFQ	1074	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18535	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	200a（200a）	4.5V，10V	2MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	6620 PF @ 30 V	-	300W（TC）
CSD19532KTT	2.6600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19532	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	200a（200a）	6V，10V	5.6MOHM @ 90A，10V	3.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5060 pf @ 50 V	-	250W（TC）
CSD85302LT	1.1500	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	CSD85302	MOSFET （金属 o化物）	1.7W	4-picostar（1.31x1.31）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	-	7.8NC @ 4.5V		-	-
CSD18513Q5AT	1.3900	RFQ	280	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18513	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		40 V	124A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4280 pf @ 20 V	-	96W（TC）
CSD85312Q3E	1.2800	RFQ	2011	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD85312	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共来源			20V	39a		12.4mohm @ 10a，8v	1.4V @ 250µA	15.2nc @ 4.5V		2390pf @ 10V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD22204WT	1.2100	RFQ	6	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22204	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		P通道		8 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	9.9MOHM @ 2A，4.5V	950mv @ 250µA	24.6 NC @ 4.5 V	-6V	1130 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）
CSD17579Q5A	0.6900	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	25A（TA）	4.5V，10V	9.7MOHM @ 8A，10V	2V @ 250µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SN910214N-P	-	RFQ	7203	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
CSD17483F4	0.4500	RFQ	88	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	240mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	12V	190 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD18509Q5BT	2.8100	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18509	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		40 V	100A（TA）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 32A，10V	2.2V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	13900 PF @ 20 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD17304Q3	0.8800	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17304	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（15a）（ta），56A（tc）	3V，8V	7.5MOHM @ 17a，8v	1.8V @ 250µA	6.6 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	955 pf @ 15 V	-	2.7W（TA）
CSD16325Q5C	-	RFQ	5546	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	33A（TA），100A （TC）	3V，8V	2mohm @ 30a，8v	1.4V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	4000 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD87335Q3DT	1.9200	RFQ	232	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87335Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）			30V	25a		-	1.9V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		1050pf @ 15V	-
SN75468DR	0.8800	RFQ	22	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	75468		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500														100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD15380F3T	0.9400	RFQ	9	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD15380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		20 v	500mA（ta）	2.5V，8V	1190MOHM @ 100mA，8v	1.35V @ 2.5µA	0.281 NC @ 10 V	10V	10.5 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD18532KC	2.3900	RFQ	5784	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18532	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	4680 pf @ 30 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²