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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
SN75468NG4	-	RFQ	9120	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	75468		-	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25														100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN75468D	1.0600	RFQ	24	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	75468		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	40														100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN75468DR	0.8800	RFQ	22	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	75468		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500														100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN75468NSR	1.8100	RFQ	3599	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm）	75468		-	16件事	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000														100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
SN75469DR	0.8800	RFQ	3	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	SN75469		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500														100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
tps1100dr	0.7130	RFQ	1041	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1100	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道		15 v	1.6a（ta）	2.7V，10V	180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD16342Q5A	1.1300	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16342	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	100A（TC）	2.5V，8V	4.7mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD18503Q5A	1.6100	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	（19a）（100a ta）（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 22a，10v	2.3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2640 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
CSD18502KC	2.6400	RFQ	159	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18502	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.9MOHM @ 100A，10V	2.1V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4680 pf @ 20 V	-	259W（TC）
CSD18532KC	2.3900	RFQ	5784	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18532	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	4680 pf @ 30 V	-	250W（TC）
LM3046M	-	RFQ	5963	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	55			-											15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
CSD18504KC	1.6200	RFQ	103	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18504	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	53A（ta），100A （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 40a，10v	2.3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 20 V	-	115W（TC）
CSD16556Q5B	2.3200	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16556	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	100A（TC）	4.5V，10V	1.07MOHM @ 30a，10V	1.7V @ 250µA	47 NC @ 4.5 V	±20V	6180 pf @ 15 V	-	3.2W（191W）（TC）
CSD18532Q5B	2.4800	RFQ	753	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18532	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	100A（TA）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.2V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	5070 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），156W（TC）
TPS2013APWR	0.5500	RFQ	630	Texas Instruments	*	大部分	积极的				TPS2013	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			630												-
SN910214N-P	-	RFQ	7203	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		0000.00.0000	1
FDP032N08	1.0000	RFQ	9754	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP032	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1		n通道		75 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	15160 pf @ 25 V	-	375W（TC）
TPIC1533DW	2.4900	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	过时的				TPIC15				-	rohs3符合条件	（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
ULN2004ANE4	-	RFQ	4205	Texas Instruments	*	大部分	积极的				ULN2004				下载				Ear99	8541.29.0095	1
fjt44ktf	-	RFQ	9510	Texas Instruments	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			2 w	SOT-223-4	下载					0000.00.0000	1														400 v	300 MA	500NA	NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
SN75469NE4	-	RFQ	5657	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载				Ear99	8541.29.0095	160
CSD22206W	0.7700	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22206	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		8 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	5.7MOHM @ 2A，4.5V	1.05V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 V	-6V	2275 PF @ 4 V	-	1.7W（TA）
CSD88599Q5DC	4.1700	RFQ	547	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-POWERTFDFN	CSD88599Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	22-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）			60V	-		2.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 4.5V		4840pf @ 30V	-
CSD22205L	0.5400	RFQ	13	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-xflga	CSD22205	MOSFET （金属 o化物）		4 picostar	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		8 V	7.4a（ta）	1.5V，4.5V	9.9MOHM @ 1A，4.5V	1.05V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	-6V	1390 pf @ 4 V	-	600MW（TA）
CSD25501F3	0.4300	RFQ	11	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-xflga	CSD25501	MOSFET （金属 o化物）		3-LGA（0.73x0.64）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.33 NC @ 4.5 V	-20V	385 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD25501F3T	0.8900	RFQ	22	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-xflga	CSD25501F3	MOSFET （金属 o化物）		3-LGA（0.73x0.64）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		P通道		20 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.33 NC @ 4.5 V	-20V	385 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD17585F5T	0.9600	RFQ	22	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD17585	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		n通道		30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 900mA，10v	1.7V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	20V	380 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD13385F5	0.4900	RFQ	49	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD13385	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		12 v	4.3a（ta）	1.8V，4.5V	19mohm @ 900mA，4.5V	1.2V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	8V	674 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD13380F3	0.4500	RFQ	79	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		12 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	8V	156 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD13380F3T	0.9400	RFQ	29	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD13380	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	250		n通道		12 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.3V @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	8V	156 pf @ 6 V	-	500MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²