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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
CSD23285F5	0.5300	RFQ	20	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23285	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	5.4A（ta）	1.5V，4.5V	35MOHM @ 1A，4.5V	950mv @ 250µA	4.2 NC @ 4.5 V	-6V	628 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD17581Q5A	0.8800	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17581	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	24A（24A），123A （TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 16a，10v	1.7V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	3640 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
CSD18511Q5A	1.3900	RFQ	9346	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	159a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 24A，4.5V	2.45V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 10 V	-	104W（TC）
CSD18513Q5A	1.2300	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18513	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	124A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4280 pf @ 20 V	-	96W（TC）
CSD18511Q5AT	1.6700	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	159a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 24A，4.5V	2.45V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 10 V	-	104W（TC）
CSD18513Q5AT	1.3900	RFQ	280	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18513	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道	40 V	124A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4280 pf @ 20 V	-	96W（TC）
CSD86356Q5DT	2.8700	RFQ	8743	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86356	MOSFET （金属 o化物）	12W（ta）	8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）		25V	40a（ta）		4.5MOHM @ 20a，5v，0.8Mohm @ 20a，5v	1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA	7.9nc @ 4.5V，19.3nc @ 4.5V		1040pf @ 12.5V，2510pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD86336Q3D	0.7232	RFQ	2118	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	8-POWERTDFN	CSD86336Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		25V	20A（TA）		9.1MOHM @ 20a，5v，3.4MOHM @ 20a，5v	1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA	3.8NC @ 45V，7.4NC @ 45V		494pf @ 12.5V，970pf @ 12.5V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD18510Q5B	2.3200	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	300A（TC）	4.5V，10V	0.96mohm @ 32a，10v	2.3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 20 V	-	156W（TC）
CSD25402Q3AT	1.1200	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25402Q3	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	296-CSD25402Q3ATCT	Ear99	8541.29.0095	250		P通道	20 v	（15a）（ta），76a（tc）	1.8V，4.5V	8.9mohm @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±12V	1790 pf @ 10 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
桶-ULN2803AN	0.7000	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	积极的				桶-ULN2803				-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.33.0001	466
TPIC1505DWR	1.5800	RFQ	31	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
2N3303	-	RFQ	2057	Texas Instruments	*	大部分	过时的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响				1
TPIC1301DW	-	RFQ	4517	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	59
TPIC1502DWR	1.2400	RFQ	38	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
ULN2004AN	0.3300	RFQ	8	Texas Instruments	*	大部分	积极的				ULN2004				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
TPIC5322LD	-	RFQ	5810	Texas Instruments	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
TPIC5403DW	1.4400	RFQ	778	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
TPIC5421LNE	3.6200	RFQ	7	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SNJ5522J	7.8800	RFQ	680	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-SNJ555522J-296			1
CSD16321Q5T	2.0500	RFQ	35	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16321	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）		296-CSD16321Q5TCT	Ear99	8541.29.0095	250		n通道	25 v	29a（ta），100a（tc）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.4V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	+10V，-8V	3100 PF @ 12.5 V	-	3.1W（ta），113W（tc）
ULN2003AINE4	0.2003	RFQ	1107	Texas Instruments	ULN200X	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）			-	16-PDIP	-	rohs3符合条件		到达不受影响	296-ULN2003AINE4			25													50V	500mA				50µA	-	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD18537NQ5A-P	-	RFQ	6449	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vson（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD18537NQ5A-P	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	11a（11a），54a（tc）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
JFE150DBVT	1.4991	RFQ	3048	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	JFE150			SOT-23-5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-JFE150DBVT			250		n通道	40 V							24pf @ 5V					40 V	24 mA @ 10 V	1.5 V @ 100 na						50 mA
CSD16342Q5AT	-	RFQ	8264	Texas Instruments	NexFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16342	MOSFET （金属 o化物）		8-vson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-CSD16342Q5AT	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	25 v	21a（21A），100A （TC）	2.5V，8V	4.7mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD16325Q5C	-	RFQ	5546	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD1632	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	33A（TA），100A （TC）	3V，8V	2mohm @ 30a，8v	1.4V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	4000 PF @ 12.5 V	-	3.1W（TA）
CSD16301Q2	0.5800	RFQ	21	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	CSD16301	MOSFET （金属 o化物）		六月	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	5A（TC）	3V，8V	24mohm @ 4a，8v	1.55V @ 250µA	2.8 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 12.5 V	-	2.3W（ta）
CSD17306Q5A	1.3700	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17306	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	（24A）（TA），100A （TC）	3V，8V	3.7MOHM @ 22a，8v	1.6V @ 250µA	15.3 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	2170 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD17303Q5	1.7500	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17303	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	32A（TA），100A （TC）	3V，8V	2.4mohm @ 25a，8v	1.6V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	3420 PF @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD86350Q5D	2.7700	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD86350Q5	MOSFET （金属 o化物）	13W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		25V	40a		6mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	10.7nc @ 4.5V		1870pf @ 12.5V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²