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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	（ID） - 最大
FDP032N08	1.0000	RFQ	9754	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP032	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1		n通道		75 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	15160 pf @ 25 V	-	375W（TC）
CSD17381F4T	0.9800	RFQ	88	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		30 V	3.1a（ta）	1.8V，4.5V	109mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD17575Q3	1.1200	RFQ	77	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17575	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 25A，10V	1.8V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4420 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），108W（tc）
CSD18503KC	1.8700	RFQ	277	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18503	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 75A，10V	2.3V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 20 V	-	188W（TC）
CSD17578Q5A	0.7600	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17578	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	25A（TA）	4.5V，10V	6.9Mohm @ 10a，10v	1.9V @ 250µA	22.3 NC @ 10 V	±20V	1510 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），42W（tc）
CSD1755Q5A	0.7314	RFQ	8729	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17555	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 25A，10V	1.9V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±20V	4650 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD19532Q5BT	2.8200	RFQ	7281	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19532	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		100 v	100A（TA）	6V，10V	4.9mohm @ 17a，10v	3.2V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 50 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD16411Q3	0.8700	RFQ	22	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD16411	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	（14A）（56A（ta）（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	2.3V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	570 pf @ 12.5 V	-	2.7W（TA）
CSD88539NDT	1.0000	RFQ	12	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CSD88539	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）			60V	15a		28mohm @ 5a，10v	3.6V @ 250µA	9.4NC @ 10V		741pf @ 30V	逻辑级别门
CSD18532NQ5B	2.6000	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18532	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	22a（22A），100A（tc）	6V，10V	3.4mohm @ 25a，10v	3.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5340 pf @ 30 V	-	3.2W（TA）
SN75469NE4	-	RFQ	5657	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.29.0095	160
CSD18504Q5AT	1.3700	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18504	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		40 V	50a（ta）	4.5V，10V	6.6mohm @ 17a，10v	2.4V @ 250µA	9.2 NC @ 4.5 V	±20V	1656 PF @ 20 V	-	3.1W（ta），77W（TC）
TPS1120D	1.6926	RFQ	6836	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1120	MOSFET （金属 o化物）	840MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75	2（p 通道（双）			15V	1.17a		180MOHM @ 1.5A，10V	1.5V @ 250µA	5.45NC @ 10V		-	逻辑级别门
CSD25310Q2	0.6200	RFQ	54	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD25310	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	20A（TA）	1.8V，4.5V	23.9MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	655 pf @ 10 V	-	2.9W（TA）
TPIC1502DWR	1.2400	RFQ	38	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
CSD19501KC	2.1100	RFQ	6762	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19501	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	100A（TA）	6V，10V	6.6mohm @ 60a，10v	3.2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 40 V	-	217W（TC）
CSD17581Q5A	0.8800	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17581	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	24A（24A），123A （TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 16a，10v	1.7V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	3640 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
CSD19535KTTT	4.1200	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19535	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	200a（200a）	6V，10V	3.4mohm @ 100a，10v	3.4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7930 PF @ 50 V	-	300W（TC）
TPIC1533DW	2.4900	RFQ	1	Texas Instruments	*	大部分	过时的				TPIC15				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
CSD86311W1723	0.4542	RFQ	1940年	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-ufbga，DSBGA	CSD86311	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	12-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			25V	4.5a		39mohm @ 2a，8v	1.4V @ 250µA	4NC @ 4.5V		585pf @ 12.5V	逻辑级别门
JFE150DBVT	1.4991	RFQ	3048	Texas Instruments	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	JFE150			SOT-23-5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		296-JFE150DBVT			250		n通道		40 V							24pf @ 5V					40 V	24 mA @ 10 V	1.5 V @ 100 na					50 mA
CSD87335Q3D	1.6000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87335Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	-		-	1.9V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		1050pf @ 15V	-
CSD17484F4T	0.8800	RFQ	24	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17484	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		30 V	3A（3A）	1.8V，8V	121MOHM @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	0.2 NC @ 8 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD19531Q5A	1.7700	RFQ	2626	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19531	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	100A（TC）	6V，10V	6.4mohm @ 16a，10v	3.3V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	3870 pf @ 50 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
TPS2013APWR	0.5500	RFQ	630	Texas Instruments	*	大部分	积极的				TPS2013	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				630												-
CSD25501F3T	0.8900	RFQ	22	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-xflga	CSD25501F3	MOSFET （金属 o化物）		3-LGA（0.73x0.64）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		20 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	76MOHM @ 400mA，4.5V	1.05V @ 250µA	1.33 NC @ 4.5 V	-20V	385 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD16342Q5A	1.1300	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16342	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	100A（TC）	2.5V，8V	4.7mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
LM3046M	-	RFQ	5963	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	55			-											15V	50mA				5 NPN	40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
CSD17381F4	0.4200	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	3.1a（ta）	1.8V，4.5V	109mohm @ 500mA，8a	1.1V @ 250µA	1.35 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD17578Q3A	0.6900	RFQ	32	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17578	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	20A（TA）	4.5V，10V	7.3mohm @ 10a，10v	1.9V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 15 V	-	3.2W（37W），37W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²