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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APTGT30H60T1G	55.3800	RFQ	2004	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGT30				90 W	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																	沟渠场停止	600 v	50 a		1.9V @ 15V，30a					250 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
APT25GN120SG	7.8900	RFQ	9717	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT25GN120	标准			272 w		D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				800V，25a，1ohm，15V														沟渠场停止	1200 v	67 a	75 a	2.1V @ 15V，25a	-	155 NC	22NS/280NS
APTGT400U120D4G	253.7300	RFQ	9456	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D4	APTGT400				2250 w	标准	D4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1200 v	600 a		2.1V @ 15V，400A					8 ma	不	28 NF @ 25 V
APTGT100H170G	342.6400	RFQ	4165	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT100				560 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																	沟渠场停止	1700 v	150 a		2.4V @ 15V，100a					350 µA	不	9 nf @ 25 V
APTGT100SK170TG	117.5900	RFQ	4991	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTGT100				560 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1700 v	150 a		2.4V @ 15V，100a					250 µA	是的	9 nf @ 25 V
DN2530N3-G	0.7900	RFQ	6136	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	DN2530			MOSFET （金属 o化物）			TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道					300 v	175ma（tj）	0V	12ohm @ 150mA，0v	-		±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	740MW（TA）
APT40GP90B2DQ2G	18.8700	RFQ	4555	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT40GP90	标准			543 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				600V，40a，4.3Ohm，15V														pt	900 v	101 a	160 a	3.9V @ 15V，40a	795µJ（OFF）	145 NC	14NS/90NS
APT50N60JCCU2	40.3200	RFQ	5107	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50N60			MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 22.5a，10v	3.9V @ 3mA	150 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	290W（TC）
ARF449AG	-	RFQ	6225	微芯片技术	-	大部分	过时的	450 v			TO-247-3	ARF449		81.36MHz	MOSFET			TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		9a		90W	13DB											-									150 v
APT35GN120SG/TR	9.2302	RFQ	1773年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT35GN120	标准			379 w		D3PAK	下载			到达不受影响	150-APT35GN120SG/TR	Ear99	8541.29.0095	400				800V，35A，2.2OHM，15V														NPT，沟渠场停止	1200 v	84 a	105 a	2.1V @ 15V，35a	- ，2.315MJ（（2.315MJ））	220 NC	24NS/300NS
TN2425N8-G	1.7000	RFQ	192	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TN2425			MOSFET （金属 o化物）			SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					250 v	480mA（TJ）	3V，10V	3.5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA		±20V	200 pf @ 25 V	-	1.6W（TC）
APT11N80BC3G	4.4700	RFQ	9262	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT11N80			MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					800 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 7.1A，10V	3.9V @ 680µA	60 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 25 V	-	156W（TC）
APTGF90A60TG	-	RFQ	8709	微芯片技术	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4					416 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥																	npt	600 v	110 a		2.5V @ 15V，90a					250 µA	是的	4.3 NF @ 25 V
MSCSM70HM038AG	782.4500	RFQ	9152	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70			（SIC）	1.277kW（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70HM038AG	Ear99	8541.29.0095	1	（4 n 通道（全桥）						700V	464a（TC）		4.8mohm @ 160a，20v	2.4V @ 16mA	860NC @ 20V		18000pf @ 700V	-
APTGLQ400A120T6G	378.7425	RFQ	6977	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP6	APTGLQ400				1900 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																	沟渠场停止	1200 v	700 a		2.4V @ 15V，400A					200 µA	是的	24.6 nf @ 25 V
TN5325N8-G	0.7800	RFQ	4021	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-243AA	TN5325			MOSFET （金属 o化物）			TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					250 v	316ma（TJ）	4.5V，10V	7ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
2N6193QFN/TR	23.6100	RFQ	3058	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N6193QFN/TR	Ear99	8541.29.0095	100																			100 v	5 a							100µA			PNP	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
JANSH2N2218AL	283.9200	RFQ	9370	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSH2N2218AL			1																			50 V	800 MA							10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTX2N7369	-	RFQ	3655	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/621	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））					115 w		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	5 ma							5mA			PNP	1V @ 500mA，5a	-	-
APT100MC120JCU2	-	RFQ	6199	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT100			sicfet （碳化硅）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1200 v	143a（TC）	20V	17mohm @ 100a，20v	2.3V @ 2mA	360 NC @ 20 V	+25V，-10V	5960 pf @ 1000 V	-	600W（TC）
APT60GT60BRG	14.6800	RFQ	2	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT60GT60	标准			500 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-														npt	600 v	100 a	360 a	2.5V @ 15V，60a	3.4MJ	275 NC	26NS/395NS
2N1716	20.3850	RFQ	9613	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以							TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N1716	Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	750 MA							-			NPN	-	-	-
2N5671	55.8334	RFQ	6665	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5671				6 W		TO-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			90 v	30 a							10mA			NPN	5V @ 6a，30a	20 @ 20a，5v	-
APT5010JVFR	41.0500	RFQ	1	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT5010			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	44A（TC）		100mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	470 NC @ 10 V		8900 PF @ 25 V	-
JANTXV2N2369AUB	26.5335	RFQ	8710	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2369				400兆		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			20 v								400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
MNSKC2N2222A	8.6051	RFQ	8187	微芯片技术	*	大部分	积极的												-			到达不受影响	150-mNSKC2N2222A			1
2N3660	30.6450	RFQ	3634	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					5 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N3660	Ear99	8541.29.0095	1																			30 V	1.5 a							-			PNP	-	-	-
2N6061	613.4700	RFQ	8708	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱					262 w		TO-63	-			到达不受影响	150-2N6061	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	50 a							-			PNP	-	-	-
2N5631	74.1300	RFQ	6430	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3					200 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5631	Ear99	8541.29.0095	1																			140 v	16 a							-			PNP	-	-	-
JANTXV2N2920U/TR	58.0678	RFQ	7045	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	胶带和卷轴（（tr）	积极的		200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N2920				350MW		6-SMD	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N2920U/TR	Ear99	8541.21.0095	1																			60V	30mA							10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²