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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）
DN2535N3-G	0.9100	RFQ	1	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	DN2535		MOSFET （金属 o化物）			TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		350 v	120mA（TJ）	0V	25ohm @ 120mA，0v	-		±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	1W（TC）
APTM50SKM19G	200.7200	RFQ	9424	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50		MOSFET （金属 o化物）			SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	163a（TC）	10V	22.5MOHM @ 81.5A，10V	5V @ 10mA	492 NC @ 10 V	±30V	22400 PF @ 25 V	-	1136W（TC）
APTGT300DA170D3G	269.3100	RFQ	3890	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGT300			1470 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1700 v	530 a		2.4V @ 15V，300A							8 ma	不	26 NF @ 25 V
aptm100a18ftg	195.3300	RFQ	9603	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM100		MOSFET （金属 o化物）	780W		SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			1000V （1kV）	43a		210MOHM @ 21.5A，10V	5V @ 5mA	372NC @ 10V		10400pf @ 25V	-
APTM100DAM90G	230.0917	RFQ	9653	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM100		MOSFET （金属 o化物）			SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	78A（TC）	10V	105mohm @ 39a，10v	5V @ 10mA	744 NC @ 10 V	±30V	20700 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
APTM10DAM05TG	126.6100	RFQ	3900	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM10		MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	278a（TC）	10V	5mohm @ 125a，10v	4V @ 5mA	700 NC @ 10 V	±30V	20000 PF @ 25 V	-	780W（TC）
2N4860UB	86.7825	RFQ	5573	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4860			360兆w		-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V							18pf @ 10V												30 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA				40欧姆
2N5115UB	52.5483	RFQ	7812	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N5115			500兆		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		P通道		30 V							25pf @ 15V												30 V	60 ma @ 15 V	6 V @ 1 na				100欧姆
MV2N5116	-	RFQ	6422	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	MV2N5116			500兆		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		P通道		30 V							27pf @ 15V												30 V	25 ma @ 15 V	6 V @ 1 na				100欧姆
MX2N4856UB	68.7743	RFQ	3847	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N4856						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1
MX2N4861	50.8193	RFQ	2285	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4861			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		30 V							18pf @ 10V												30 V	80 ma @ 15 V	4 V @ 0.5 NA				60欧姆
APL602LG	58.7804	RFQ	8710	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APL602		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	49A（TC）	12V	125mohm @ 24.5a，12v	4V @ 2.5mA		±30V	9000 PF @ 25 V	-	730W（TC）
APT100GT60JR	-	RFQ	3381	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT100			500 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	600 v	148 a		2.5V @ 15V，100a							25 µA	不	5.15 nf @ 25 V
apt6021bllg	17.6700	RFQ	9254	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	APT6021		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	29A（TC）		210MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V		3470 pf @ 25 V	-
APT65GP60L2DQ2G	20.7000	RFQ	2283	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT65GP60	标准		833 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，65A，5OHM，15V												pt	600 v	198 a	250 a	2.7V @ 15V，65a	605µJ（在）上，895µj（（）	210 NC	30NS/90NS
APT75GP120J	43.8700	RFQ	7825	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT75GP120			543 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	1200 v	128 a		3.9V @ 15V，75a							1 MA	不	7.04 NF @ 25 V
APT75GT120JRDQ3	46.6100	RFQ	6808	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT75GT120			480 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	1200 v	97 a		3.7V @ 15V，75a							200 µA	不	5.1 NF @ 25 V
APT8030LVRG	23.4800	RFQ	6618	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT8030		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	27a（TC）		300mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	510 NC @ 10 V		7900 PF @ 25 V	-
APT20M18LVFRG	33.5800	RFQ	1315	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT20M18		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	100A（TC）		18mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA	330 NC @ 10 V		9880 pf @ 25 V	-
APT20M38SVRG	14.3500	RFQ	9107	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT20M38		MOSFET （金属 o化物）			D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	67A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 25 V	-	370W（TC）
APT22F120L	15.4200	RFQ	4	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT22F120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	23A（TC）	10V	700mohm @ 12a，10v	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	8370 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
APT25GP90BDQ1G	-	RFQ	3982	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT25GP90	标准		417 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			600V，40a，4.3Ohm，15V												pt	900 v	72 a	110 a	3.9V @ 15V，25a	370µJ（OFF）	110 NC	13ns/55ns
APT30GT60BRDQ2G	-	RFQ	5717	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT30GT60	标准		250 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											22 ns	npt	600 v	64 a	110 a	2.5V @ 15V，30a	80µJ（在）上，605µJ（605µJ）	7.5 NC	12NS/225NS
APT5010B2FLLG	17.3800	RFQ	9102	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT5010		MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	46A（TC）	10V	100mohm @ 23a，10v	5V @ 2.5mA	95 NC @ 10 V	±30V	4360 pf @ 25 V	-	520W（TC）
APT50GN60BDQ2G	7.2700	RFQ	8192	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GN60	标准		366 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，50a，4.3Ohm，15V												沟渠场停止	600 v	107 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	（1185µJ）（在1565µJ上）	325 NC	20N/230N
APT50GT60BRDQ2G	11.2700	RFQ	172	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GT60	标准		446 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，50A，5OHM，15V											22 ns	npt	600 v	110 a	150 a	2.5V @ 15V，50a	995µJ（在）上，1070µj（（）	240 NC	14NS/240NS
APT50M50JVFR	70.9700	RFQ	2022	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50M50		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	77A（TC）		50mohm @ 500mA，10v	4V @ 5mA	1000 NC @ 10 V		19600 pf @ 25 V	-
APT50M50L2LLG	37.7300	RFQ	1849年	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT50M50		MOSFET （金属 o化物）			264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	89A（TC）		50mohm @ 44.5a，10v	5V @ 5mA	200 NC @ 10 V		10550 pf @ 25 V	-
APT200GN60J	37.2200	RFQ	5213	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT200			682 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	600 v	283 a		1.85V @ 15V，200a							25 µA	不	14.1 NF @ 25 V
APT35GA90BD15	6.4400	RFQ	3769	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT35GA90	标准		290 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			600V，18a，10ohm，15V												pt	900 v	63 a	105 a	3.1V @ 15V，18A	（642µJ）（在），382µJ（（（（（）	84 NC	12NS/104NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²