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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N3724L	15.6541	RFQ	5447	微芯片技术	*	大部分	积极的			通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3724						TO-5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N3635UB	-	RFQ	1890年	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1.5 w		3-SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				140 v	1 a										10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JAN2N6212	-	RFQ	5332	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/461	大部分	积极的		-55°C 〜200°C（TA）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2					3 W		TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				300 v	5 ma										5mA				PNP	1.6V @ 125mA，1a	30 @ 1A，5V	-
2N4930U4	82.5000	RFQ	7050	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1 w		U4	-			到达不受影响	150-2N4930U4	Ear99	8541.29.0095	1																				200 v	200 ma										250NA（ICBO）				PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
JAN2N3250A	-	RFQ	2396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/323	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3250				360兆w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	200 ma										10µA（ICBO）				PNP	500mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
APT94N60L2C3G	26.7200	RFQ	6476	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT94N60			MOSFET （金属 o化物）			264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	94A（TC）	10V	35mohm @ 60a，10v	3.9V @ 5.4mA	640 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	833W（TC）
JAN2N5237S	16.4787	RFQ	1156	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5237				1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				120 v	10 a										10µA				NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
MV2N5116UB	95.6403	RFQ	6679	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					500兆		UB	-			到达不受影响	150-MV2N5116UB			1		P通道						30 V							27pf @ 15V													30 V	5 ma @ 15 V	1 v @ 1 na				175欧姆
JANSM2N3635UB	147.1604	RFQ	9234	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅					1.5 w		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				140 v	10 µA										10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，10v	-
MQ2N4860UB	80.7975	RFQ	5859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					360兆w		UB	-			到达不受影响	150-MQ2N4860UB			1		n通道						30 V							18pf @ 10V													30 V	20 ma @ 15 V	2 V @ 500 PA				40欧姆
MQ2N4861UB	80.7975	RFQ	4007	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					360兆w		UB	-			到达不受影响	150-MQ2N4861UB			1		n通道						30 V							18pf @ 10V													30 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA				60欧姆
JANSR2N5151U3	229.9812	RFQ	7770	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1.16 w		U3	-			到达不受影响	150-JANSR2N5151U3			1																				80 V	2 a										50µA				PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANSM2N3499	41.5800	RFQ	4529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSM2N3499			1																				100 v	500 MA										10µA（ICBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
VRF141	70.0400	RFQ	1004	微芯片技术	-	盒子	积极的	80 V			M174	VRF141		30MHz	MOSFET			M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		20a		250 MA	150W	20dB											-									28 V
APT12067LFLLG	33.9300	RFQ	3869	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT12067			MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						1200 v	18A（TC）		670MOHM @ 9A，10V	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V		4420 PF @ 25 V	-
JANSL2N222222aub/tr	181.0950	RFQ	4627	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-				150-JANSL2N222222AUB/TR			50
APTM20AM10FTG	147.6100	RFQ	5362	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM20			MOSFET （金属 o化物）	694W		SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							200V	175a		12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224nc @ 10V		13700pf @ 25V	-
Jan2n1482	-	RFQ	3135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/207	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				55 v	1.5 a										5µA（ICBO）				NPN	750mv @ 10mA，200mA	35 @ 200ma，4V	-
2N3506AL	12.2626	RFQ	6606	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3506				1 w		TO-5AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	3 a										1µA				NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
jankcbm2n2222a	-	RFQ	7371	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3					500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCBM2N2222A			100																				50 V	800 MA										50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSL2N3810	198.9608	RFQ	3899	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500 /336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810				350MW		TO-78-6	-			到达不受影响	150-JANSL2N3810			1																				60V	50mA										10µA（ICBO）				2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
APT84F50L	15.9300	RFQ	4464	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT84F50			MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	84A（TC）	10V	65mohm @ 42a，10v	5V @ 2.5mA	340 NC @ 10 V	±30V	13500 PF @ 25 V	-	1135W（TC）
APTGT200A120G	235.4600	RFQ	7485	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT200				890 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																		沟渠场停止	1200 v	280 a		2.1V @ 15V，200a								350 µA	不	14 NF @ 25 V
JANTX2N3764	-	RFQ	4740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以					500兆		TO-46（（TO-206AB）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				40 V	1.5 a										10µA（ICBO）				PNP	900mv @ 100mA，1a	30 @ 1A，1.5V	-
APT20GT60BRG	-	RFQ	7819	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT20GT60	标准			174 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				400V，20A，5OHM，15V															npt	600 v	43 a	80 a	2.5V @ 15V，20A	215µJ（在）上，245µJ（OFF）	100 NC	8NS/80NS
ARF463BP1G	45.0300	RFQ	30	微芯片技术	-	大部分	积极的	500 v			TO-247-3	ARF463		81.36MHz	MOSFET			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		9a			100W	15DB											-									125 v
APT10025JVFR	91.7110	RFQ	1754年	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10025			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q11965606	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						1000 v	34A（TC）		250mohm @ 500mA，10v	4V @ 5mA	990 NC @ 10 V		18000 PF @ 25 V	-
VP0104N3-G	1.0200	RFQ	978	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VP0104			MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道						40 V	250mA（TJ）	5V，10V	8ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	60 pf @ 25 V	-	1W（TC）
JANSL2N3634	-	RFQ	5267	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				140 v	10 µA										10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
2C2432	6.9150	RFQ	7765	微芯片技术	*	大部分	积极的												-			到达不受影响	150-2C2432			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²