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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANSM2N3810U/TR	342.8814	RFQ	8965	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N3810			350MW	6-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSM2N3810U/TR	Ear99	8541.21.0095	1															60V	50mA						10µA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
VN0300L-G-P002	1.5400	RFQ	3946	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN0300		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		30 V	640mA（TJ）	5V，10V	1.2OHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA		±30V	190 pf @ 20 V	-	1W（TC）
JAN2N5415S	9.8154	RFQ	7015	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5415			750兆w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															200 v	1 a						1ma	PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
APT20M18B2VRG	21.5900	RFQ	7614	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3变体	APT20M18		MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	100A（TC）		18mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA	330 NC @ 10 V		9880 pf @ 25 V	-
2N5415U4	91.9350	RFQ	3974	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w	U4	-			到达不受影响	150-2N5415U4	Ear99	8541.29.0095	1															200 v	1 a						50µA	PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
BCY89	30.3107	RFQ	7993	微芯片技术	*	大部分	积极的				BCY8					-			到达不受影响	150-BCY89			1
2N3764	21.0938	RFQ	1859年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3764			1 w	TO-46	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															40 V	1.5 a						100NA	PNP	900mv @ 100mA，1a	30 @ 1.5A，5V	-
JANTX2N3499U4	-	RFQ	8470	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															100 v	500 MA						50NA（iCBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
SG2024J	-	RFQ	9659	微芯片技术	-	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	16-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG2024			-	16-Cerdip	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG2024J	Ear99	8541.29.0095	25															95V	500mA						-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
JANTX2N5793A	120.3406	RFQ	5846	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5793			600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															40V	600mA						10µA（ICBO）	2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
JANS2N3440U4	-	RFQ	4854	微芯片技术	*	大部分	积极的		-	-	2N3440				-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTXV2N2907UB/TR	-	RFQ	7272	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆	UB	-			到达不受影响	150-JANTXV2N2907UB/TR			189															60 V	600 MA						50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JankCAM2N3810	-	RFQ	2882	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500 /336	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810			350MW	TO-78-6	-			到达不受影响	150-JankCAM2N3810			100															60V	50mA						10µA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANTX2N6032	442.6240	RFQ	7877	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/528	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TA）	通过洞	TO-204AA，TO-3				140 w	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															90 v	50 a						25ma（iCBO）	NPN		10 @ 50a，2.6V	-
APT100GN60LDQ4G	14.9500	RFQ	4621	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT100	标准		625 w	TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，100A，1OHM，15V											沟渠场停止	600 v	229 a	300 a	1.85V @ 15V，100a	4.75mj（在）上，2.675mj（2.675mj）	600 NC	31NS/310NS
TP0620N3-G	1.9000	RFQ	975	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TP0620		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		200 v	175ma（tj）	5V，10V	12ohm @ 200mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（ta）
JANTX2N3440UA	-	RFQ	3027	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				800兆	UA	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															250 v	1 a						2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
2n4449ub/tr	25.7700	RFQ	4626	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅				400兆	UB	-							100															15 v							400NA	NPN	450mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	-
JAN2N930UB	-	RFQ	5779	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/253	大部分	积极的	200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N930				UB	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1															45 v	30 ma						-	NPN	-	-	-
APT33N90JCU3	-	RFQ	2723	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）		SOT-227	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道		900 v	33A（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	3.5V @ 3mA	270 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	290W（TC）
APT38N60BC6	6.5000	RFQ	1	微芯片技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT38N60		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 18a，10v	3.5V @ 1.2mA	112 NC @ 10 V	±20V	2826 PF @ 25 V	-	278W（TC）
MSCSM70VR1M03CT6AG	727.0000	RFQ	1104	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70		（SIC）	1.625kW（TC）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70VR1M03CT6AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）			700V	585a（TC）		3.8mohm @ 200a，20v	2.4V @ 20mA	1075nc @ 20V		22500pf @ 700V	-
JANTXV2N3838	-	RFQ	1077	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/421	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-flatpack	2N3838			350MW	6-flatpack	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															40V	600mA						10µA（ICBO）	NPN，PNP	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3741U4	-	RFQ	4418	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				25 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															80 V	10 µA						10µA	PNP	600mv @ 1.25mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
2C5416	18.0747	RFQ	4065	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2C5416			1
APT1204R7SFLLG	11.7400	RFQ	9575	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT1204		MOSFET （金属 o化物）		D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	3.5A（TC）		4.7ohm @ 1.75a，10V	5V @ 1mA	31 NC @ 10 V		715 PF @ 25 V	-
MSC035SMA070S	15.9800	RFQ	3045	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	MSC035		sicfet （碳化硅）		D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60		n通道		700 v	65A（TC）	20V	44mohm @ 30a，20v	2.7V @ 1mA	99 NC @ 20 V	+23V，-10V	2010 PF @ 700 V	-	206W（TC）
JANS2N5666U3	1.0000	RFQ	3822	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	2N5666			1.5 w	U3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															200 v	5 a						200NA	NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
SG2821J-DESC	-	RFQ	7302	微芯片技术	-	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	18-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG2821			-	18-Cerdip	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG2821J-DESC	Ear99	8541.29.0095	21															95V	500mA						-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
JANSL2N3440L	233.7316	RFQ	7136	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSL2N3440L			1															250 v	1 a						2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²