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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N5620	74.1300	RFQ	6697	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3					58 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5620	Ear99	8541.29.0095	1																					100 v	5 a										-		PNP	1.5V @ 500µA，2.5mA	-	-
1011GN-1600VG	-	RFQ	1754年	微芯片技术	VG	大部分	积极的	150 v		表面安装	55-Q11A			1.03GHz〜1.09GHz	hemt		55-Q11A	下载			到达不受影响	150-1011GN-1600VG	Ear99	8541.29.0095	1			-		200 ma	1600W	18.6dB											-										50 V
1011GN-30EL	-	RFQ	5305	微芯片技术	El	大部分	积极的	150 v		表面安装	55-qqp			1.03GHz〜1.09GHz	-		55-qqp	下载			到达不受影响	150-1011GN-30EL	Ear99	8541.29.0095	1	-		-		40 MA	35W	18.5db											-										50 V
0912GN-15EL	-	RFQ	7015	微芯片技术	El	大部分	积极的	150 v		表面安装	55-qqp			960MHz〜1.215GHz	-		55-qqp	下载			到达不受影响	150-0912GN-15EL	Ear99	8541.29.0095	1	-		-		10 MA	19w	18.1db											-										50 V
1011GN-2200VP	-	RFQ	8858	微芯片技术	VP	大部分	积极的	150 v			模块			1.03GHz〜1.09GHz	hemt		-	下载			到达不受影响	150-1011GN-2200VP	Ear99	8541.29.0095	1			-		300 MA	2200W	19.4dB											-										50 V
0912GN-650V	-	RFQ	1594年	微芯片技术	v	大部分	积极的	150 v		表面安装	55 kr			960MHz〜1.215GHz	hemt		55 kr	下载			到达不受影响	150-0912GN-650V	Ear99	8541.29.0095	1			-		100 ma	650W	18db											-										50 V
1214GN-1200VG	-	RFQ	3129	微芯片技术	VG	大部分	积极的	65 v		表面安装	55-Q11A			1.2GHz〜1.4GHz	hemt		55-Q11A	下载			到达不受影响	150-1214GN-1200VG	Ear99	8541.29.0095	1			-		280 MA	1200W	17dB											-										50 V
SG2813J	-	RFQ	7623	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C（TA）	通过洞	18-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG2813				-	18-Cerdip	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG2813J	Ear99	8541.29.0095	21																					50V	600mA										-		8 npn达灵顿	1.9V @ 600µA，500mA	-	-
APL602L-1	-	RFQ	3025	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	-			到达不受影响	150-APL602L-1	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	49A（TC）	12V	125mohm @ 24.5a，12v	4V @ 2.5mA		±30V	9000 PF @ 25 V	-	730W（TC）
MSC090SMA070B	7.6000	RFQ	41	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	MSC090			sicfet （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	691-MSC090SMA070B	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						700 v	-	-	-	-		-		-	-
MSC025SMA120S	41.0600	RFQ	634	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	MSC025			sicfet （碳化硅）		D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	691-MSC025SMA120S	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1200 v	89A（TC）	-	-	-		-		-	-
MSC750SMA170B4	5.6100	RFQ	137	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4				sicfet （碳化硅）		TO-247-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC750SMA170B4	Ear99	8541.29.0095	90		n通道						1700 v	7A（TC）	20V	940MOHM @ 2.5A，20V	3.25V @ 100µA（100µA））	11 NC @ 20 V	+23V，-10V	184 PF @ 1360 V	-	68W（TC）
APT20GF120BRDG	7.1600	RFQ	22	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT20GF120	标准			200 w	TO-247-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT20GF120BRDG	Ear99	8541.29.0095	1				792v，20a，10欧姆，15V															85 ns	npt	1200 v	32 a	64 a	3.2V @ 15V，15a	-	140 NC	17ns/93ns
APT75GN60BDQ2G	10.1200	RFQ	70	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT75GN60	标准			536 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT75GN60BDQ2G	Ear99	8541.29.0095	30				400V，75a，1ohm，15V															25 ns	沟渠场停止	600 v	155 a	225 a	1.85V @ 15V，75a	2.5mj（在）上，2.14mj off）	485 NC	47NS/385NS
2n4391ub/tr	28.2359	RFQ	6767	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N4391UB/TR			1
Janhcc2n6193	-	RFQ	6465	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/561	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w	TO-205AD（TO-39）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhcc2n6193	Ear99	8541.29.0095	1																					100 v	5 a										100µA		PNP	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
JANS2N3501UB/TR	35.4402	RFQ	8704	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅					500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS2N3501UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																					150 v	300 MA										10µA（ICBO）		NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N5153U3/tr	92.9138	RFQ	6626	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1.16 w	U3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N5153U3/tr	Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	1 MA										1ma		PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N4859UB/tr	86.9554	RFQ	7659	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4859				360兆w	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N4859UB/TR			1		n通道						30 V							18pf @ 10V														30 V	175 ma @ 15 V	10 V @ 500 PA		25欧姆
Janhcb2n2222a	8.9376	RFQ	9513	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3					500兆	TO-18	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhcb2n2222a	Ear99	8541.21.0095	1																					50 V	800 MA										50NA		NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N5115UB/TR	52.7212	RFQ	4697	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N5115UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1		P通道						30 V							25pf @ 15V														30 V	60 ma @ 15 V	6 V @ 1 na		100欧姆
MX2N4856UB/TR	68.9206	RFQ	4171	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MX2N4856UB/TR			1
MV2N4857UB/TR	80.6379	RFQ	9707	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MV2N4857UB/TR			1
JANSR2N2920U/TR	273.4718	RFQ	3363	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N2920				350MW	6-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSR2N2920U/TR	Ear99	8541.21.0095	1																					60V	30mA										10µA（ICBO）		2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
2N5796U/tr	63.1883	RFQ	3134	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5796					6-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N5796U/TR	Ear99	8541.21.0095	1																																10µA（ICBO）		2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N2945AUB/TR	434.6922	RFQ	3371	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/382	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅					400兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N2945AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																					20 v	100 ma										10µA（ICBO）		PNP	-	70 @ 1mA，500mv	-
JANSL2N2906AUB/TR	148.3710	RFQ	8116	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2906				500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSL2N2906AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																					60 V	600 MA										50NA		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTX2N4033UB/TR	25.9350	RFQ	5360	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					500兆	TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N4033UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																					80 V	1 a										10µA（ICBO）		PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
MV2N4856UB/TR	80.6379	RFQ	1056	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MV2N4856UB/TR			1
JANTXV2N5416U4/TR	-	RFQ	5956	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1 w	U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N5416U4/tr	Ear99	8541.29.0095	1																					300 v	1 a										1ma		PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²