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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N5154L	14.8295	RFQ	2357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5154		1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	2 a					50µA				NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JASP2N3636	-	RFQ	3401	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														175 v	10 µA					10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JAN2N4261	-	RFQ	2275	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/511	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-72-3金属罐	2N4261		200兆		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														15 v	30 ma					10µA（ICBO）				PNP	350mv @ 1mA，10mA	30 @ 10mA，1V	-
JAN2N3741U4	-	RFQ	9344	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			25 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	10 µA					10µA				PNP	600mv @ 1.25mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
APT26F120L	27.8600	RFQ	9574	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT26F120	MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	27a（TC）	10V	650MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	9670 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
APTGL700U120D4G	303.3100	RFQ	4905	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D4	APTGL700		3000 w	标准	D4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的												沟渠场停止	1200 v	910 a	2.2V @ 15V，600A				4 mA	不	37.2 NF @ 25 V
MV2N4860UB	80.4916	RFQ	5752	微芯片技术	*	大部分	积极的				MV2N4860					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
jankccg2n3498	-	RFQ	5573	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCG2N3498			100														100 v	500 MA					10µA（ICBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
APTGT400DA60D3G	171.4013	RFQ	5701	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGT400		1250 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的												沟渠场停止	600 v	500 a	1.9V @ 15V，400A				500 µA	不	24 NF @ 25 V
APT20M38BVRG	13.3000	RFQ	2588	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT20M38	MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	200 v	67A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 25 V	-	370W（TC）
MSCSM120HRM311AG	156.8300	RFQ	3496	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		（SIC）	395W（TC），365W （TC）		-	-				150-MSCSM120HRM311AG			1	（4 n 通道（三级逆变器）		1200V（1.2kV），700V	89A（TC），124A （TC）		31mohm @ 40a，20v，19mohm @ 40a，20v	2.8V @ 3mA，2.4V @ 4mA	232nc @ 20v，215nc @ 20V		3020pf @ 1000V，4500pf @ 700V	（SIC）
APT20M22JVRU2	31.5900	RFQ	6183	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M22	MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	200 v	97A（TC）	10V	22mohm @ 48.5a，10v	4V @ 2.5mA	290 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	450W（TC）
2N3498U4	135.1050	RFQ	4962	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-			到达不受影响	150-2N3498U4	Ear99	8541.29.0095	1														100 v	500 MA					50NA（iCBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
APT51F50J	30.4800	RFQ	7013	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT51F50	MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	51A（TC）	10V	75MOHM @ 37A，10V	5V @ 2.5mA	290 NC @ 10 V	±30V	11600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
JANTXV2N336	-	RFQ	1236	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1														45 v	10 MA					-				NPN	-	-	-
JANTX2N6052	76.7700	RFQ	22	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/501	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6052		150 w		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	12 a					1ma				pnp-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
jankcbf2n2222a	-	RFQ	6683	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCBF2N2222A	Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA					50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANS2N918UB	220.1112	RFQ	4902	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/301	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			200兆		UB	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														15 v	50 mA					1µA（ICBO）				NPN	400mv @ 1mA，10mA	20 @ 3mA，1V	-
2N2919U	48.6647	RFQ	9473	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919		350MW		3-SMD	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60V	30mA					10µA（ICBO）				2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
MSR2N2222AUBC/TR	249.9203	RFQ	4205	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UBC	-			到达不受影响	150-MSR2N222222AUBC/tr			100														50 V	800 MA					50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
Jan2n1486	186.7320	RFQ	8099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/207	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-233AA，TO-8-3	2N1486		1.75 w		TO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														55 v	3 a					15µA				NPN	750mv @ 40mA，750a	35 @ 750mA，4V	-
APTGLQ100H65T3G	113.2700	RFQ	3526	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGLQ100		350 w	标准	SP3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥												沟渠场停止	650 v	135 a	2.3V @ 15V，100a				50 µA	是的	6.15 NF @ 25 V
JANSL2N5152L	98.9702	RFQ	3235	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSL2N5152L			1														80 V	2 a					50µA				NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N3421P	19.5510	RFQ	5251	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANTX2N3421P			1														80 V	3 a					5µA				NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
2N4091UB	47.6539	RFQ	1416	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4091		360兆w		3-UB （3.09x2.45）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道	40 V							16pf @ 20V							40 V	30 ma @ 20 V					30欧姆
APT42F50B	10.1400	RFQ	2515	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT42F50	MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	42A（TC）	10V	130mohm @ 21a，10v	5V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	625W（TC）
2N6248	65.3100	RFQ	4956	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			125 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6248	Ear99	8541.29.0095	1														100 v	15 a					-				PNP	1.3V @ 500µA，5mA	-	-
MX2N4858UB	68.7743	RFQ	7152	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N4858					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N335AT2	-	RFQ	2061	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1														45 v	10 MA					-				NPN	-	-	-
MX2N4861UB/TR	68.9206	RFQ	2529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w		UB	-			到达不受影响	150-MX2N4861UB/TR			100		n通道	30 V							18pf @ 10V							30 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA				60欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²