RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MSCGLQ100A65TG	100.3500	RFQ	5903	微芯片技术	*	大部分	积极的				MSCGLQ					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCGLQ100A65TG	Ear99	8541.29.0095	1
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG	321.4800	RFQ	8	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCGLQ		470 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCGLQ75DDU120CTBL3NG	Ear99	8541.29.0095	1	全桥									-	1200 v	160 a	2.4V @ 15V，75a				50 µA	是的	4.4 NF @ 25 V
MSCSM120DHM31CTBL2NG	185.2400	RFQ	2760	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	310W		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DHM31CTBL2NG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		1200V	79a	31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 1mA	232nc @ 20v	3020pf @ 1000V	-
2C2907A-MSCL	2.2650	RFQ	2125	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2C2907A-MSCL			1
MSR2N3810U	-	RFQ	4251	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N3810		350MW		你	-			到达不受影响	150-MSR2N3810U			100											60V	50mA					10µA（ICBO）				2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
jankcad2n3637	-	RFQ	9095	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCAD2N3637			100											175 v	1 a					10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
2C3637-MSCL	7.3650	RFQ	3596	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2C3637-MSCL			1
JANSM2N2907A	99.0906	RFQ	1572年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSM2N2907A			1											60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MQ2N4092	63.2947	RFQ	2698	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4092			1		n通道	40 V					16pf @ 20V						40 V	15 ma @ 20 V					50欧姆
MSR2N3700	-	RFQ	9388	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MSR2N3700			100											80 V	1 a					10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MSR2N2222AUBC	-	RFQ	1194	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UBC	-			到达不受影响	150-MSR2N222222AUBC			100											50 V	800 MA					50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MQ2N4860	54.6231	RFQ	1105	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4860			1		n通道	30 V					18pf @ 10V						30 V	20 ma @ 15 V	2 V @ 500 PA				40欧姆
JANSD2N3700	34.6500	RFQ	6540	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSD2N3700			1											80 V	1 a					10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N3700AUB	10.6950	RFQ	3082	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UB	-			到达不受影响	150-2N3700AUB	Ear99	8541.21.0095	1											80 V	1 a					10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSF2N2906AUA	156.0008	RFQ	7364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅			500兆		UA	-			到达不受影响	150-JANSF2N2906AUA			1											60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
jankcbd2n2906a	-	RFQ	4039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCBD2N2906A			100											60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
jankcap2n3635	-	RFQ	8995	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCAP2N3635			100											140 v	1 a					10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JASP2N5151	95.9904	RFQ	1334	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSP2N5151			1											80 V	2 a					50µA				PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
MVR2N222222AUA	-	RFQ	7915	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			650兆		UA	-			到达不受影响	150-MVR2N222222AUA			100											50 V	800 MA					50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N6047	613.4700	RFQ	1852年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱			114 W		TO-63	-			到达不受影响	150-2N6047	Ear99	8541.29.0095	1											100 v	20 a					-				PNP	-	-	-
MQ2N4858	54.6231	RFQ	6574	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4858			1		n通道	40 V					18pf @ 10V						40 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA				60欧姆
JANSF2N3637UB	148.5808	RFQ	8182	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		UB	-			到达不受影响	150-JANSF2N3637UB			1											175 v	1 a					10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
MQ2N2608UB	120.8039	RFQ	7371	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/295	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			300兆		UB	-			到达不受影响	150-MQ2N2608UB			1		P通道						10pf @ 5V						30 V	1 mA @ 5 V	750 mv @ 1 µA
2N4902	50.9250	RFQ	1284	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			87.5 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N4902	Ear99	8541.29.0095	1											60 V	5 a					-				PNP	-	-	-
JANKCCD2N3501	-	RFQ	2984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCD2N3501			100											150 v	300 MA					10µA（ICBO）				NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
2N4225	14.3550	RFQ	1280	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			5 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N4225	Ear99	8541.29.0095	1											40 V	3 a					-				NPN	-	-	-
2N4416A	74.1300	RFQ	2906	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以			300兆		到72	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-2N4416A	Ear99	8541.21.0095	1		n通道	35 v					4pf @ 15V						35 v	5 ma @ 15 V	2.5 V @ 1 na
2N6500	30.5250	RFQ	3411	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			35 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N6500	Ear99	8541.29.0095	1											90 v	4 a					-				PNP	1.5V @ 300µA，3mA	-	-
jankccl2n3498	-	RFQ	2938	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCL2N3498			100											100 v	500 MA					10µA（ICBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
2n3439p	27.9750	RFQ	9958	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N3439P	Ear99	8541.21.0095	1											350 v	1 a					2µA				NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²