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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANS2N2218AL	114.6304	RFQ	7169	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			800兆	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANS2N2218AL	Ear99	8541.21.0095	1										50 V	800 MA				10NA		NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
BCY-59	30.3107	RFQ	3219	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-BCY-59			1
2C5582	22.4700	RFQ	7767	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-2C5582			1
2C5157	32.8350	RFQ	1195	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-2C5157			1
2N6062	613.4700	RFQ	3466	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱			150 w	TO-63	-			到达不受影响	150-2N6062	Ear99	8541.29.0095	1										100 v	50 a				-		PNP	-	-	-
JANSL2N2907AUA	155.8004	RFQ	9333	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅			500兆	UA	-			到达不受影响	150-JANSL2N2907AUA			1										60 V	600 MA				50NA		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MV2N5115UB	95.6403	RFQ	7313	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-			到达不受影响	150-MV2N5115UB			1		P通道	30 V					25pf @ 15V				30 V	15 ma @ 15 V	3 V @ 1 na		100欧姆
2C6213	53.9850	RFQ	4704	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-2C6213			1
JASP2N5154	95.9904	RFQ	5217	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSP2N5154			1										80 V	2 a				50µA		NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N5467	65.4300	RFQ	8034	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			140 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5467	Ear99	8541.29.0095	1										400 v	3 a				-		PNP	-	-	-
2N3487	547.4100	RFQ	2341	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			115 w	TO-61	-			到达不受影响	150-2N3487	Ear99	8541.29.0095	1										60 V	7.5 a				-		PNP	-	-	-
JANSL2N2906AUBC	305.9206	RFQ	4259	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UBC	-			到达不受影响	150-JANSL2N2906AUBC			1										60 V	600 MA				50NA		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
R2N2920A	61.5923	RFQ	1501	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		350MW	TO-78-6	-			到达不受影响	150-R2N2920A	Ear99	8541.21.0095	1										60V	30mA				10µA（ICBO）		2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
JASP2N5152	95.9904	RFQ	3181	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSP2N5152			1										80 V	2 a				50µA		NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
MQ2N5115UB	75.6238	RFQ	9875	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-			到达不受影响	150-MQ2N5115UB			1		P通道	30 V					25pf @ 15V				30 V	15 ma @ 15 V	3 V @ 1 na		100欧姆
JANSD2N4449	129.0708	RFQ	7893	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以			500兆	TO-46	-			到达不受影响	150-JANSD2N4449			1										15 v					400NA		NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
2C5667	22.3050	RFQ	6816	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-2C5667			1
2N5116UA	62.9550	RFQ	6823	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			500兆	UA	-			到达不受影响	150-2N5116UA			1		P通道	30 V					27pf @ 15V				30 V	5 ma @ 15 V	1 v @ 1 na		175欧姆
JASP2N5152L	98.9702	RFQ	3886	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSP2N5152L			1										80 V	2 a				50µA		NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
2N2219E3	10.4100	RFQ	5367	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N2219E3	Ear99	8541.21.0095	1										50 V	800 MA				10NA		NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N2920U/TR	52.4552	RFQ	8444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500 /355	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N2920		350MW	你	-			到达不受影响	150-JANTX2N2920U/TR			100										60V	30mA				10µA（ICBO）		2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
2N5794UC/TR	83.0850	RFQ	2827	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5794		600MW	UC	-			到达不受影响	150-2N5794UC/TR	Ear99	8541.21.0095	100										40V	600mA				10µA（ICBO）		2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
MSR2N2907AUB/TR	-	RFQ	2767	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-			到达不受影响	150-MSR2N2907AUB/TR			100										60 V	600 MA				50NA		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MX2N5116UB/TR	87.0884	RFQ	7004	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-			到达不受影响	150-MX2N5116UB/TR			100		P通道	30 V					27pf @ 15V				30 V	5 ma @ 15 V	1 v @ 1 na		175欧姆
2N2484UBC/tr	34.6800	RFQ	3307	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w	UBC	-			到达不受影响	150-2N2484UBC/tr	Ear99	8541.21.0095	100										60 V	50 mA				2NA		NPN	300mv @ 100µA，1mA	250 @ 1mA，5V	-
Jan2n2907aubp/tr	12.6616	RFQ	2435	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-			到达不受影响	150-JAN2N2907AUBP/tr	Ear99	8541.21.0095	100										60 V	600 MA				50NA		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 1mA，10v	-
MSCSM120DUM31CTBL1NG	166.2400	RFQ	3045	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	310W	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM31CTBL1NG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共来源		1200V	79a	31mohm @ 40a，20v	2.8V @ 1mA	232nc @ 20v	3020pf @ 1000V	-
MSCSM120DUM16CTBL3NNG	-	RFQ	2647	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	560W	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM16CTBL3NG	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道，常见来源		1200V	150a	16mohm @ 80a，20v	2.8V @ 2mA	464NC @ 20V	6040pf @ 1000V	-
MSCSM170AM058CD3AG	1.0000	RFQ	6340	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM170	（SIC）	1.642kW（TC）	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170AM058CD3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		1700V（（1.7kV）	353A（TC）	7.5MOHM @ 180a，20v	3.3V @ 15mA	1068nc @ 20V	19800pf @ 1000V	-
MSCSM170TAM15CTPAG	1.0000	RFQ	12	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM170	（SIC）	843w（tc）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170TAM15CTPAG	Ear99	8541.29.0095	1	6 n 通道（相腿）		1700V（（1.7kV）	179a（TC）	15mohm @ 90a，20v	3.2V @ 7.5mA	534NC @ 20V	9900pf @ 1000V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²