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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N2218A	9.6292	RFQ	6517	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2218		800兆		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA				10NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
2N3750	273.7050	RFQ	5930	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱			30 W		TO-111	-			到达不受影响	150-2N3750	Ear99	8541.29.0095	1														40 V	5 a				-				NPN	-	-	-
JANSR2N2906AUB/TR	148.3202	RFQ	4147	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2906		500兆		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSR2N2906AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA				50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
JANS2N5153U3	202.2102	RFQ	6028	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w		U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	1 MA				1ma				PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JASP2N2369AU/TR	130.2802	RFQ	4732	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅			500兆		你	-			到达不受影响	150-JANSP2N2369AU/TR			50														15 v					400NA				NPN	450mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	-
JANSR2N3501UB/TR	94.4906	RFQ	1933年	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSR2N3501UB/TR			1
apt10021jfll	101.2000	RFQ	9513	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10021	MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	37A（TC）	10V	210MOHM @ 18.5A，10V	5V @ 5mA	395 NC @ 10 V	±30V	9750 PF @ 25 V	-	694W（TC）
2N5337	12.6882	RFQ	5980	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N5337					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
APTM20HM10FG	286.6400	RFQ	2048	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM20	MOSFET （金属 o化物）	694W		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）		200V	175a		12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224nc @ 10V		13700pf @ 25V	-
APT10045B2LLG	32.4000	RFQ	8323	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT10045	MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	23A（TC）	10V	450MOHM @ 11.5A，10V	5V @ 2.5mA	154 NC @ 10 V	±30V	4350 pf @ 25 V	-	565W（TC）
JANS2N4449	80.6704	RFQ	9682	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N4449		360兆w		TO-46（（TO-206AB）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														20 v					400NA				NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
APT5018BLG	-	RFQ	2118	微芯片技术	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	500 v	27a（TC）	10V	180MOHM @ 13.5A，10V	5V @ 1mA	58 NC @ 10 V	±30V	2596 pf @ 25 V	-	300W（TC）
APTMC120HR11CT3AG	-	RFQ	4976	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	APTMC120	（SIC）	125W		SP3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		1200V（1.2kV）	26a（TC）		98mohm @ 20a，20v	3V @ 5mA	62NC @ 20V		950pf @ 1000V	-
JAN2N4033UB/TR	21.6524	RFQ	4803	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UB	-			到达不受影响	150-JAN2N4033UB/TR	Ear99	8541.21.0095	100														80 V	1 a				25NA				PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
2N6562	755.0400	RFQ	1967年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			100 W		TO-61	-			到达不受影响	150-2N6562	Ear99	8541.29.0095	1														450 v	10 a				-				NPN	-	-	-
BCY89	30.3107	RFQ	7993	微芯片技术	*	大部分	积极的				BCY8					-			到达不受影响	150-BCY89			1
MQ2N4093	63.2947	RFQ	3131	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/431	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MQ2N4093			1		n通道	40 V							16pf @ 20V							40 V	8 ma @ 20 V				80欧姆
APTC60VDAM45T1G	73.1700	RFQ	7035	微芯片技术	coolmos™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60	MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		600V	49a		45MOHM @ 24.5A，10V	3.9V @ 3mA	150nc @ 10V		7200pf @ 25V	超交界处
2N5616	74.1300	RFQ	8759	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			58 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5616	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	5 a				-				PNP	-	-	-
2N5804	59.6106	RFQ	5250	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			62 W		TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														225 v	5 a				-				PNP	-	-	-
JANTXV2N3998	151.6998	RFQ	7851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/374	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N3998		2 w		TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	10 a				10µA				NPN	2V @ 500mA，5a	40 @ 1A，2V	-
JANTXV2N4150S	10.5868	RFQ	5870	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4150		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														70 v	10 a				10µA				NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
MSC080SMA120J	28.8000	RFQ	5	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MSC080	sicfet （碳化硅）			SOT-227（ISOTOP®）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	691-MSC080SMA120J	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	37A（TC）	-	-	-		-		-	-
APTGT300DA170D3G	269.3100	RFQ	3890	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGT300		1470 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的												沟渠场停止	1700 v	530 a	2.4V @ 15V，300A			8 ma	不	26 NF @ 25 V
JANSD2N2906AUB	148.2202	RFQ	1124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSD2N2906AUB			1														60 V	600 MA				50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTXV2N6212	-	RFQ	7118	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/461	大部分	积极的	-55°C 〜200°C（TA）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			3 W		TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														300 v	5 ma				5mA				PNP	1.6V @ 125mA，1a	30 @ 1A，5V	-
JANTX2N3507U4	-	RFQ	8928	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														50 V	1 µA				1µA				NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-
2N5760	77.3850	RFQ	7509	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			150 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5760	Ear99	8541.29.0095	1														140 v	6 a				-				NPN	-	-	-
JANTXV2N5680	-	RFQ	6133	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/582	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														120 v	1 a				10µA				PNP	1V @ 50mA，500mA	40 @ 250mA，2V	-
JANS2N6987	158.6608	RFQ	9708	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N6987		1.5W		TO-116	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60V	600mA				10µA（ICBO）				4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²