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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
0912GN-15EL	-	RFQ	7015	微芯片技术	El	大部分	积极的	150 v		表面安装	55-qqp		960MHz〜1.215GHz	-			55-qqp	下载			到达不受影响	150-0912GN-15EL	Ear99	8541.29.0095	1	-		-	10 MA	19w	18.1db											-					50 V
2N911	30.5700	RFQ	1284	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				800兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-2N911	Ear99	8541.21.0095	1																			60 V							-				NPN	1V @ 5mA，50mA	1000 @ 3A，4V	50MHz
DC35GN-15-Q4	-	RFQ	1672年	微芯片技术	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	24-TFQFN暴露垫		-	hemt			24 QFN （4x4）	下载			到达不受影响	150-DC35GN-15-Q4	Ear99	8541.29.0095	10			-	40 MA	19w	18.6dB											-					50 V
2C3439-MSCL	10.1850	RFQ	5527	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2C3439-MSCL			1
JANSL2N222221AUBC/TR	231.9816	RFQ	9224	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UBC	-			到达不受影响	150-JANSL2N222221AUBC/tr			50																			50 V	800 MA						50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSL2N2907AUA	155.8004	RFQ	9333	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅				500兆		UA	-			到达不受影响	150-JANSL2N2907AUA			1																			60 V	600 MA						50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N6062	613.4700	RFQ	3466	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱				150 w		TO-63	-			到达不受影响	150-2N6062	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	50 a						-				PNP	-	-	-
2C3506-MSCL	7.5450	RFQ	9092	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2C3506-MSCL			1
JAN2N22222222AUBP/TR	12.4488	RFQ	2150	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-JAN2N222222AUBP/TR	Ear99	8541.21.0095	100																			50 V	800 MA						50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N5322E3	20.1300	RFQ	5537	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				10 W		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N5322E3	Ear99	8541.29.0095	1																			75 v	2 a						-				PNP	-	-	-
JANTXV2N3700	5.3466	RFQ	7327	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N3700			500兆		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			80 V	1 a						10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，10V	-
SG2821J-883B	-	RFQ	1561年	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C（TA）	通过洞	18-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG2821			-		18-Cerdip	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG2821J-883B	Ear99	8541.29.0095	21																			95V	500mA						-				8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
apt6021bllg	17.6700	RFQ	9254	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT6021		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	29A（TC）		210MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V		3470 pf @ 25 V	-
2N6660	15.9000	RFQ	4	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N6660MC	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					60 V	410mA（ta）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 24 V	-	6.25W（TC）
APTGT25X120T3G	100.0908	RFQ	9932	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTGT25			156 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																	沟渠场停止	1200 v	40 a	2.1V @ 15V，25a					250 µA	是的	1.8 nf @ 25 V
JAN2N6306T1	-	RFQ	3787	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））						TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																			250 v	8 a						-				NPN	-	-	-
MV2N5114UB	95.6403	RFQ	3262	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-MV2N5114UB			1		P通道					30 V							25pf @ 15V									30 V	30 ma @ 18 V	5 V @ 1 na				75欧姆
2N2878	255.5700	RFQ	2977	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱				30 W		TO-63	-			到达不受影响	150-2N2878	Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	5 a						-				PNP	-	-	-
JANTXV2N5157	73.9347	RFQ	8046	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/371	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5157			5 w		TO-204AA（TO-3）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			500 v	3.5 a						250µA				NPN	2.5V @ 700mA，3.5a	30 @ 1A，5V	-
JASP2N4449	129.0708	RFQ	3847	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以				500兆		TO-46	-			到达不受影响	150-JANSP2N4449			1																			15 v							400NA				NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANTX2N3499UB/TR	659.0283	RFQ	6192	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		UB	-			到达不受影响	150-JANTX2N3499UB/TR			100																			100 v	500 MA						10µA（ICBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
2N5620	74.1300	RFQ	6697	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				58 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5620	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	5 a						-				PNP	1.5V @ 500µA，2.5mA	-	-
JANS2N3765	-	RFQ	4158	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以				500兆		TO-46（（TO-206AB）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			60 V	1.5 a						100µA（ICBO）				PNP	900mv @ 100mA，1a	40 @ 500mA，1V	-
MSCSM120DUM16CTBL3NNG	-	RFQ	2647	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	560W		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM16CTBL3NG	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道，常见来源						1200V	150a		16mohm @ 80a，20v	2.8V @ 2mA	464NC @ 20V		6040pf @ 1000V	-
MSCSM170TAM15CTPAG	1.0000	RFQ	12	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM170		（SIC）	843w（tc）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170TAM15CTPAG	Ear99	8541.29.0095	1	6 n 通道（相腿）						1700V（（1.7kV）	179a（TC）		15mohm @ 90a，20v	3.2V @ 7.5mA	534NC @ 20V		9900pf @ 1000V	-
APT50M50L2LLG	37.7300	RFQ	1849年	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT50M50		MOSFET （金属 o化物）			264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	89A（TC）		50mohm @ 44.5a，10v	5V @ 5mA	200 NC @ 10 V		10550 pf @ 25 V	-
MSCSM120DUM11T3AG	310.6600	RFQ	8149	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	1067W（TC）		SP3F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM11T3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共来源						1200V（1.2kV）	254a（TC）		10.4mohm @ 120A，20V	2.8V @ 3mA	696nc @ 20V		9060pf @ 1000V	-
Jan2n718a	-	RFQ	3565	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/181	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			30 V	500 MA						10µA（ICBO）				NPN	1.5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
MV2N4859UB	80.4916	RFQ	5348	微芯片技术	*	大部分	积极的					MV2N4859						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N4391UBC	53.5950	RFQ	1921年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	表面安装	3-SMD，没有铅						UBC	-			到达不受影响	150-2N4391UBC			1		n通道												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²