RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N5805	59.6106	RFQ	3356	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3				62 W	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															300 v	5 a						-	PNP	-	-	-
APT20M34SLLG/TR	13.4995	RFQ	7681	微芯片技术	PowerMos7®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT20M34		MOSFET （金属 o化物）		d3pa k	下载			到达不受影响	150-APT20M34SLLG/TR	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		200 v	74A（TC）	10V	34mohm @ 37A，10V	5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±30V	3660 pf @ 25 V	-	403W（TC）
APT58M50J	32.5300	RFQ	6417	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT58M50		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	58A（TC）	10V	65mohm @ 42a，10v	5V @ 2.5mA	340 NC @ 10 V	±30V	13500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
SG2803J	-	RFQ	1071	微芯片技术	-	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	18-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG2803			-	18-Cerdip	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG2803J	Ear99	8541.29.0095	21															50V	500mA						-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
2N6511	78.7200	RFQ	5247	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				120 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6511	Ear99	8541.29.0095	1															250 v	7 a						-	PNP	1.5V @ 800µA，4mA	-	-
JAN2N3716	47.9864	RFQ	8142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/408	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-3	2N3716			5 w	TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															80 V	10 a						1ma	NPN	2.5V @ 2a，10a	30 @ 3a，2v	-
JAN2N4150	10.1612	RFQ	2019	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N4150			1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															70 v	10 a						10µA	NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JANTX2N5415P	18.2742	RFQ	7642	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				750兆w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANTX2N5415P			1															200 v	1 a						1ma	PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
2N2904	12.8079	RFQ	9355	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2904			600兆	到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N2904MS	Ear99	8541.21.0095	1															40 V	600 MA						1µA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	35 @ 10mA，10v	-
2N5958	519.0900	RFQ	7901	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				175 w	TO-61	-			到达不受影响	150-2N5958	Ear99	8541.29.0095	1															100 v	20 a						-	PNP	-	-	-
JAN2N336T2	-	RFQ	3108	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1															45 v	10 MA						-	NPN	-	-	-
JANSL2N222222aub/tr	181.0950	RFQ	4627	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-				150-JANSL2N222222AUB/TR			50
2N5685	80.5800	RFQ	30	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5685			300 w	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															60 V	50 a						500µA	NPN	5V @ 10a，50a	30 @ 5mA，2V	-
JANTX2N2484UA	20.4687	RFQ	5684	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2484			360兆w	UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	50 mA						2NA	NPN	300mv @ 100µA，1mA	225 @ 10mA，5v	-
JANTXV2N3439UA/TR	187.4236	RFQ	3445	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				800兆	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N3439UA/TR	Ear99	8541.21.0095	1															350 v	1 a						2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANSF2N3810U	342.7018	RFQ	2020	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N3810			350MW	6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60V	50mA						10µA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANTXV2N6338	131.1247	RFQ	6300	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/509	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				200 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															100 v	50 µA						50µA	NPN	1.8V @ 2.5a，25a	30 @ 10a，2v	-
JANSL2N2369AUBC/tr	252.7000	RFQ	4437	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				360兆w	UBC	-			到达不受影响	150-JANSL2N2369AUBC/tr			50															15 v							400NA	NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANTXV2N3724L	-	RFQ	6036	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1															30 V	500 MA						-	NPN	-	-	-
JANTX2N3439L	-	RFQ	3691	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															350 v	1 a						2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
TC8020K6-G-M937	8.4000	RFQ	5476	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	56-VFQFN暴露垫	TC8020		MOSFET （金属 o化物）	-	56-qfn （8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	6n和6p通道			200V	-		8ohm @ 1A，10V	2.4V @ 1mA	-		50pf @ 25V	-
JANSD2N3636	-	RFQ	4409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50															175 v	10 µA						10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANTXV2N6691	-	RFQ	1616年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/538	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				3 W	TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															300 v	15 a						1ma（iCBO）	NPN	1V @ 3a，15a	15 @ 1a，3v	-
2N6049	48.1194	RFQ	4492	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6049					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N910	30.5700	RFQ	1472	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N910			1
JANTX2N2907AUA/TR	20.6416	RFQ	7321	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2907			1.8 w	UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100															60 V	600 MA						50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N5796U	118.9902	RFQ	1605	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5796			600MW	6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60V	600mA						10µA（ICBO）	2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APT33GF120LRDQ2G	-	RFQ	7682	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT33GF120	标准		357 w	TO-264 [L]	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			800V，25a，4.3Ohm，15V											npt	1200 v	64 a	75 a	3V @ 15V，25a	1.315mj（在）上，1.515mj（OFF）	170 NC	14NS/185NS
JANSR2N3440UA	-	RFQ	8058	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				800兆	UA	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															250 v	2 µA						2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTX2N336A	-	RFQ	6478	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1															45 v	10 MA						-	NPN	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²