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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N3501	7.5700	RFQ	2	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3501			1 w		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		150 v	300 MA						10µA（ICBO）				NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
2N2976	33.4200	RFQ	8254	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N297						-			到达不受影响	150-2N2976			1
JANSL2N5152	95.9904	RFQ	1871年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSL2N5152			1																		80 V	2 a						50µA				NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
2n3499ub	27.9450	RFQ	7640	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		UB	-			到达不受影响	150-2N3499UB	Ear99	8541.29.0095	1																		100 v	500 MA						10µA（ICBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
APT1003RSFLLG	11.9700	RFQ	8472	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT1003		MOSFET （金属 o化物）			D3 [S]	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				1000 v	4A（TC）		3ohm @ 2a，10v	5V @ 1mA	34 NC @ 10 V		694 pf @ 25 V	-
JAN2N2369AUB	17.1570	RFQ	5447	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2369			360兆w		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		20 v							400NA				NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
APT50GLQ65JU2	-	RFQ	9144	微芯片技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克				220 w	标准	isotop®	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100	提升斩波器																沟渠场停止	650 v	80 a	2.3V @ 15V，50a					50 µA	不	3.1 NF @ 25 V
JAN2N6299P	36.8144	RFQ	5590	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				64 W		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-JAN2N6299P	Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	8 a						500µA				pnp-达灵顿	2V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	-
2N6187	287.8650	RFQ	4924	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				60 W		TO-59	-			到达不受影响	150-2N6187	Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	10 a						-				PNP	-	-	-
MV2N4859	57.2964	RFQ	3496	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	MV2N4859			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道				30 V							18pf @ 10V									30 V	175 ma @ 15 V	10 V @ 500 PA				25欧姆
2N3737UB/tr	17.5161	RFQ	8741	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N3737UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																		40 V	1.5 a						10µA（ICBO）				NPN	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
2C5339JS	19.2450	RFQ	5584	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2C5339JS			1
Jankcch2N3498	-	RFQ	7464	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-Jankcch2N3498			100																		100 v	500 MA						10µA（ICBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
2N5318	519.0900	RFQ	4895	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				87 W		TO-61	-			到达不受影响	150-2N5318	Ear99	8541.29.0095	1																		100 v	10 a						-				PNP	-	-	-
2N5970	129.5850	RFQ	9040	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				85 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5970	Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	15 a						-				NPN	-	-	-
JANTXV2N6383	69.1068	RFQ	2879	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/523	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6383			6 W		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		40 V	10 a						1ma				npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
JankCDL2N5154	-	RFQ	1129	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCDL2N5154			100																		80 V	2 a						50µA				NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
APT1001R6BFLLG	27.0100	RFQ	7029	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT1001		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				1000 v	8A（TC）	10V	1.6OHM @ 4A，10V	5V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±30V	1320 pf @ 25 V	-	266W（TC）
VN2460N3-G	1.5000	RFQ	628	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VN2460		MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				600 v	160mA（TJ）	4.5V，10V	20ohm @ 100mA，10v	4V @ 2mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（ta）
JANTX2N2920U	52.3089	RFQ	9632	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N2920			350MW		6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		60V	30mA						10µA（ICBO）				2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
JASP2N222221AUB/TR	161.2350	RFQ	7616	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-				150-JANSP2N222221AUB/TR			50
JANSR2N5154L	98.9702	RFQ	3319	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSR2N5154L			1																		80 V	2 a						50µA				NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
ARF1519	-	RFQ	1730	微芯片技术	-	大部分	积极的	1000 v			死	ARF1519	13.56MHz	MOSFET			死	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	ARF1519MS	Ear99	8541.29.0075	1	n通道		20a	750W	20dB											-					200 v
JANTXV2N335A	-	RFQ	7797	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以						TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																		45 v	10 MA						-				NPN	-	-	-
Janhca2n3635	-	RFQ	4165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca2n3635	Ear99	8541.29.0095	1																		140 v	1 a						10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JAN2N5154L	12.3158	RFQ	9235	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5154			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	2 a						50µA				NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANS2N5237	-	RFQ	3465	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		120 v	10 µA						10µA				NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
APT10050B2VFRG	25.4800	RFQ	1995	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			通过洞	TO-247-3变体	APT10050		MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				1000 v	21a（TC）		500mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	500 NC @ 10 V		7900 PF @ 25 V	-
apt8024jll	-	RFQ	5493	微芯片技术	PowerMos7®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道				800 v	29A（TC）	10V	240MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 2.5mA	160 NC @ 10 V	±30V	4670 pf @ 25 V	-	460W（TC）
APT22F80B	9.6400	RFQ	162	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT22F80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				800 v	23A（TC）	10V	500mohm @ 12a，10v	5V @ 1mA	150 NC @ 10 V	±30V	4595 pf @ 25 V	-	625W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²