RFQ
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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MX2N4091	69.2531	RFQ	1768年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/431	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道	40 V							16pf @ 20V							40 V	30 ma @ 20 V				30欧姆
2N2443	32.2800	RFQ	7466	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N2443			1
JANTXV2N3506A	17.7023	RFQ	8261	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3506		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	3 a				-				NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
JAN2N5796	105.1208	RFQ	3081	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796		600MW		TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60V	600mA				10µA（ICBO）				2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N6421	27.0655	RFQ	2633	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			35 w		TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														250 v	2 a				-				PNP	-	-	-
JANTX2N3500U4	-	RFQ	8876	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														150 v	300 MA				50NA（iCBO）				NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
APT10035LFLLG	32.9100	RFQ	6394	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10035	MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	28a（TC）		370MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	186 NC @ 10 V		5185 pf @ 25 V	-
JANTX2N5339	10.2942	RFQ	6572	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5339		1 w		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响	JANTX2N5339MS	Ear99	8541.29.0095	1														100 v	5 a				100µA				NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
2N4449	12.9010	RFQ	8022	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N4449		360兆w		TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														20 v					400NA				NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
2n3810a	18.0747	RFQ	4540	微芯片技术	-	大部分	积极的				2N3810					-	Rohs不合规		到达不受影响	2n3810am		0000.00.0000	1
MSCSM70AM19T1AG	100.9200	RFQ	10	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70	（SIC）	365W（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70AM19T1AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		700V	124A（TC）		19mohm @ 40a，20v	2.4V @ 4mA	215nc @ 20V		4500pf @ 700V	-
APTGF180A60TG	-	RFQ	8231	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP4			833 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥												npt	600 v	220 a	2.5V @ 15V，180a			300 µA	是的	8.6 NF @ 25 V
VP0109N3-G	1.1600	RFQ	4464	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VP0109	MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	90 v	250mA（TJ）	5V，10V	8ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	60 pf @ 25 V	-	1W（TC）
JAN2N3501U4	-	RFQ	2158	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														150 v	300 MA				50NA（iCBO）				NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
apt5016bllg	11.1800	RFQ	2954	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT5016	MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 15a，10v	5V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±30V	2833 PF @ 25 V	-	329W（TC）
2N2991	27.6600	RFQ	8395	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			5 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N2991	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	1 a				-				NPN	3V @ 50µA，200µA	-	-
2N6031	129.5850	RFQ	5524	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			200 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6031	Ear99	8541.29.0095	1														140 v	16 a				-				PNP	-	-	-
2N6380	836.8360	RFQ	5550	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱			250 w		TO-63	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	50 a				-				PNP	-	-	-
JANTX2N3810U	34.5534	RFQ	5355	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810		350MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60V	50mA				10µA（ICBO）				2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
APTGL475U120DAG	246.7920	RFQ	5233	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGL475		2307 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的												沟渠场停止	1200 v	610 a	2.2V @ 15V，400A			4 mA	不	24.6 nf @ 25 V
JANSD2N3700UB	40.1900	RFQ	3118	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSD2N3700UB			1														80 V	1 a				10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2C3421	4.8545	RFQ	8517	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2C3421			1
89100-02TXV	-	RFQ	6225	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2					TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																			-				-	-	-	-
JANTX2N6341	114.3800	RFQ	2653	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/509	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6341		200 w		TO-3（to-204AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														150 v	25 a				10µA				NPN	1.8V @ 2.5a，25a	30 @ 10a，2v	-
APTGLQ200H120G	378.5700	RFQ	3108	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGLQ200		1000 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥												沟渠场停止	1200 v	350 a	2.4V @ 15V，200a			100 µA	不	12.3 NF @ 25 V
JANTXV2N3506AU4	-	RFQ	9508	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	1 µA				1µA				NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
JANS2N3763U4	-	RFQ	5719	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60 V	1.5 a				10µA（ICBO）				PNP	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
JAN2N6299	29.8984	RFQ	8630	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/540	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N6299		64 W			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	8 a				500µA				pnp-达灵顿	2V @ 16mA，4a	750 @ 4A，3V	-
APTGLQ100A120T3AG	115.1509	RFQ	4063	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP3	APTGLQ100		650 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥												沟渠场停止	1200 v	185 a	2.4V @ 15V，100a			50 µA	是的	6.15 NF @ 25 V
JANS2N3498U4	-	RFQ	2050	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	500 MA				50NA（iCBO）				NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²