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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N5339U3	160.0123	RFQ	9588	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	TO-276AA				1 w		U-3（to-276AA）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															100 v	100 µA									100µA				NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
APT50GF120JRD	48.8200	RFQ	4610	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50			460 w	标准	SOT-227（ISOTOP®）	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT50GF120JRD	Ear99	8541.29.0095	1	单身的													-	1200 v	75 a		3.4V @ 15V，50a							750 µA	不	3.45 NF @ 25 V
2N5384	163.4171	RFQ	9945	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N5384						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANSF2N2222A	98.4404	RFQ	8729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2222			500兆		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															50 V	800 MA									50NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTM20DAM04G	226.1900	RFQ	2713	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM20		MOSFET （金属 o化物）			SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	372a（TC）	10V	5mohm @ 186a，10v	5V @ 10mA	560 NC @ 10 V	±30V	28900 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
APT44F80B2	22.5900	RFQ	9224	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT44F80		MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	47A（TC）	10V	210MOHM @ 24A，10V	5V @ 2.5mA	305 NC @ 10 V	±30V	9330 PF @ 25 V	-	1135W（TC）
TC6320K6-G	1.7300	RFQ	9013	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC6320		MOSFET （金属 o化物）	-		8-DFN （4x4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,300	n和p通道			200V	-		7ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA	-		110pf @ 25V	-
JAN2N2484	-	RFQ	8190	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2484			360兆w		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	50 mA									2NA				NPN	300mv @ 100µA，1mA	225 @ 10mA，5v	-
JAN2N333ALT2	-	RFQ	8611	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以						TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1															45 v	10 MA									-				NPN	-	-	-
APTGL40H120T1G	75.1207	RFQ	3800	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGL40			220 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥													沟渠场停止	1200 v	65 a		2.25V @ 15V，35a							250 µA	是的	1.95 nf @ 25 V
APT40GF120JRD	42.4400	RFQ	19	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT40			390 w	标准	SOT-227（ISOTOP®）	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT40GF120JRD	Ear99	8541.29.0095	1	单身的													-	1200 v	60 a		3.4V @ 15V，50a							500 µA	不	3.45 NF @ 25 V
2C4911	22.4700	RFQ	8954	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-2C4911			1
APTGLQ600A65T6G	340.9925	RFQ	5177	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP6	APTGLQ600			2000 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥													沟渠场停止	650 v	1200 a		2.4V @ 15V，600A							600 µA	是的	36.6 NF @ 25 V
2N3635UB/TR	15.2400	RFQ	3007	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		UB	-			到达不受影响	150-2N3635UB/TR	Ear99	8541.29.0095	100															140 v	1 a									10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
MSR2N3810L	-	RFQ	1576年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810			350MW		TO-78-6	-			到达不受影响	150-MSR2N3810L			100															60V	50mA									10µA（ICBO）				2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
MSCSM70AM19CT1AG	119.8700	RFQ	4586	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70		（SIC）	365W（TC）		sp1f	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70AM19CT1AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）			700V	124A（TC）		19mohm @ 40a，20v	2.4V @ 4mA	215nc @ 20V		4500pf @ 700V	-
MSCMC120AM03CT6LIAG	-	RFQ	6087	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCMC120		（SIC）	2778W（TC）		sp6c li	下载			到达不受影响	150-MSCMC120AM03CT6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）			1200V（1.2kV）	631a（TC）		3.4mohm @ 500A，20V	4V @ 150mA	1610NC @ 20V		27900pf @ 1000V	-
MSC017SMA120B4	47.9500	RFQ	2183	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	MSC017SMA		sicfet （碳化硅）			TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC017SMA120B4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	113A（TC）	20V	22mohm @ 40a，20v	2.7V @ 4.5mA ty（typ）	249 NC @ 20 V	+22V，-10V	5280 pf @ 1000 V	-	455W（TC）
2n4856ub/tr	86.9554	RFQ	1007	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4856			360兆w		-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N4856UB/TR			1		n通道		40 V							18pf @ 10V											40 V	175 ma @ 15 V	10 V @ 500 PA				25欧姆
APT10026L2FLLG	74.9404	RFQ	9860	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10026		MOSFET （金属 o化物）			264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	38A（TC）		260mohm @ 19a，10v	5V @ 5mA	267 NC @ 10 V		7114 PF @ 25 V	-
2N5237	23.9134	RFQ	5425	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5237			1 w		TO-5AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															120 v	10 a									10µA				NPN	2.5V @ 1a，10a	50 @ 1A，5V	-
APT20GN60BDQ1G	3.2186	RFQ	3270	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT20GN60	标准		136 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，20a，4.3Ohm，15V											沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	1.9V @ 15V，20A	（230µJ）（在580µJ上）	120 NC	9NS/140NS
APTGT150TA60PG	243.8000	RFQ	9662	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT150			480 w	标准	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三期													沟渠场停止	600 v	225 a		1.9V @ 15V，150a							250 µA	不	9.2 NF @ 25 V
2N5760	77.3850	RFQ	7509	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				150 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5760	Ear99	8541.29.0095	1															140 v	6 a									-				NPN	-	-	-
JANS2N6987	158.6608	RFQ	9708	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N6987			1.5W		TO-116	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															60V	600mA									10µA（ICBO）				4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N4234L	39.7936	RFQ	8138	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JAN2N4234L	Ear99	8541.29.0095	1															40 V	1 a									1ma				PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
JANSM2N3635	129.5906	RFQ	7661	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															140 v	10 µA									10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
APTGF180SK60TG	-	RFQ	2671	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP4				833 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的													npt	600 v	220 a		2.5V @ 15V，180a							300 µA	是的	8.6 NF @ 25 V
JANTXV2N5680	-	RFQ	6133	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/582	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															120 v	1 a									10µA				PNP	1V @ 50mA，500mA	40 @ 250mA，2V	-
Jankca2N5238	37.2533	RFQ	2010	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA2N5238	Ear99	8541.29.0095	1															170 v	10 a									10µA				NPN	2.5V @ 1a，10a	50 @ 1A，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²