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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N5796	37.8518	RFQ	4495	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N579			500MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N5796MS	Ear99	8541.21.0095	1																			60V	600mA			10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N2812	-	RFQ	8663	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱						TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																			60 V	10 a			-			NPN	-	-	-
2N2880	137.8412	RFQ	1671年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N2880			2 w		TO-59	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	5 a			20µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	40 @ 1A，2V	-
2n2903a	40.8750	RFQ	9843	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N2903						-			到达不受影响	150-2N2903A			1
2N2986	27.6600	RFQ	4691	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				5 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N2986	Ear99	8541.29.0095	1																			120 v	3 a			-			PNP	1.25V @ 400µA，1mA	-	-
JANSF2N3637UB	148.5808	RFQ	8182	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		UB	-			到达不受影响	150-JANSF2N3637UB			1																			175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JANTX2N3421P	19.5510	RFQ	5251	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANTX2N3421P			1																			80 V	3 a			5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
JANSH2N222222AUBC	305.8602	RFQ	7675	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		3-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			50 V	800 MA			50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
Janhcc2n5153	25.8685	RFQ	2748	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhcc2n5153	Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	2 a			50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
MSCSM70AM07T3AG	283.3800	RFQ	2599	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70		（SIC）	988W（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70AM07T3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）						700V	353A（TC）		6.4MOHM @ 120A，20V	2.4V @ 12mA	645nc @ 20V		13500pf @ 700V	-
JANSR2N3634UB	-	RFQ	1869年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				1 w		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			140 v	10 µA			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANS2N2218AL	114.6304	RFQ	7169	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANS2N2218AL	Ear99	8541.21.0095	1																			50 V	800 MA			10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N3715	62.6696	RFQ	8003	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/408	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-3	2N3715			5 w		TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	10 a			1ma			NPN	2.5V @ 2a，10a	30 @ 3a，2v	-
JANTXV2N3500U4/TR	-	RFQ	2639	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		U4	-			到达不受影响	150-JANTXV2N3500U4/tr			50																			150 v	300 MA			50NA（iCBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
TN5325N3-G-P002	0.6400	RFQ	2803	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN5325		MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道					250 v	215ma（ta）	4.5V，10V	7ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	740MW（TA）
2N2443	32.2800	RFQ	7466	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2N2443			1
APTGT400DA60D3G	171.4013	RFQ	5701	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGT400			1250 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	600 v	500 a	1.9V @ 15V，400A		500 µA	不	24 NF @ 25 V
JANSM2N3637L	129.5906	RFQ	6483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSM2N3637L			1																			175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
2N3725L	15.6541	RFQ	7059	微芯片技术	*	大部分	积极的			-	-	2N3725					-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
APT20M38SVRG	14.3500	RFQ	9107	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT20M38		MOSFET （金属 o化物）			D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	67A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 25 V	-	370W（TC）
JANS2N5794U/TR	299.6420	RFQ	6670	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5794			600MW		你	-			到达不受影响	150-JANS2N5794U/TR			50																			40V	600mA			10µA（ICBO）			2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N5153L	15.8403	RFQ	5227	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5153			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	2 a			50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
APTGF50DSK120T3G	-	RFQ	7598	微芯片技术	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP3				312 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	双重斩波器																	npt	1200 v	70 a	3.7V @ 15V，50a		250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V
jankcbf2n3700	-	RFQ	8957	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N3700			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCBF2N3700	Ear99	8541.21.0095	1																			80 V	1 a			10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
SG2821J-DESC	-	RFQ	7302	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C（TA）	通过洞	18-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG2821			-		18-Cerdip	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG2821J-DESC	Ear99	8541.29.0095	21																			95V	500mA			-			8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
JANSL2N5153	95.9904	RFQ	5381	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSL2N5153			1																			80 V	2 a			50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANS2N2907AUBC/TR	185.6106	RFQ	4458	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	3-CLCC	2N2907			500兆		UBC	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS2N2907AUBC/tr	Ear99	8541.21.0095	1																			60 V	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
1011GN-30EL	-	RFQ	5305	微芯片技术	El	大部分	积极的	150 v		表面安装	55-qqp		1.03GHz〜1.09GHz	-			55-qqp	下载			到达不受影响	150-1011GN-30EL	Ear99	8541.29.0095	1	-		-	40 MA	35W	18.5db											-					50 V
JANSL2N222222AUB	168.8904	RFQ	1938年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSL2N222222AUB			1																			50 V	800 MA			50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N5416S	10.3208	RFQ	5835	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5416			750兆w		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			300 v	1 a			1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²