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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANSF2N5154L	98.9702	RFQ	7403	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	1 MA					1ma				NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N4959UB	82.5000	RFQ	7655	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N4959UB			1
JANSD2N3636L	-	RFQ	8877	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														175 v	10 µA					10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
MNS2N3810U	49.7850	RFQ	5309	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N3810		350MW		你	-			到达不受影响	150-MNS2N3810U			1														60V	50mA					10µA（ICBO）				2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANTX2N3737	-	RFQ	9942	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/395	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-46-3			500兆		TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														40 V	1.5 a					10µA（ICBO）				NPN	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
JANS2N918	160.6802	RFQ	2742	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/301	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以			200兆		到72	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														15 v	50 mA					1µA（ICBO）				NPN	400mv @ 1mA，10mA	20 @ 3mA，1V	-
Jan2n2907aub	5.6525	RFQ	3279	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2907		500兆		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q4153288	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA					50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTM100UM65SAG	346.0300	RFQ	2996	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM100	MOSFET （金属 o化物）			SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	145a（TC）	10V	78mohm @ 72.5a，10v	5V @ 20mA	1068 NC @ 10 V	±30V	28500 PF @ 25 V	-	3250W（TC）
2N6691	755.0400	RFQ	1926年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			3 W		TO-61	-			到达不受影响	150-2N6691	Ear99	8541.29.0095	1														300 v	15 a					100µA				NPN	1V @ 3a，15a	15 @ 1a，3v	-
2N5732	77.3850	RFQ	2766	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			75 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5732	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	20 a					-				NPN	-	-	-
2N3635L	11.4646	RFQ	6270	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3635		1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														140 v	1 a					10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
2N6231	39.3148	RFQ	1973	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6231					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANSR2N5154	96.9206	RFQ	4877	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	1 MA					1ma				NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N911	30.5700	RFQ	1284	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			800兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-2N911	Ear99	8541.21.0095	1														60 V						-				NPN	1V @ 5mA，50mA	1000 @ 3A，4V	50MHz
JANSF2N3439U4	413.4420	RFQ	2395	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			800兆		U4	-			到达不受影响	150-JANSF2N3439U4			1														350 v	1 a					2µA				NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTXV2N6193U3	-	RFQ	2430	微芯片技术	*	大部分	积极的		-	-	2N6193				-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
78161GNP	-	RFQ	6950	微芯片技术	-	大部分	积极的				78161					-			到达不受影响	150-78161GNP			25
JANSR2N3440U4/tr	-	RFQ	8481	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			800兆		U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSR2N3440U4/tr	Ear99	8541.21.0095	1														250 v	1 a					2µA				NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANSF2N2369AUB	149.3402	RFQ	1340	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2n2369a		360兆w		UB	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														15 v	400 NA					400NA				NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
2N2896	17.3831	RFQ	2494	微芯片技术	-	包	积极的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			1.8 w		TO-18（（TO-206AA）	-		（1 （无限）	到达不受影响	2N2896MS	Ear99	8541.29.0075	1														90 v	1 a					10NA（ICBO）				NPN	600mv @ 15mA，150mA	60 @ 150mA，10v	120MHz
JANTXV2N3500U4/TR	-	RFQ	2639	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-			到达不受影响	150-JANTXV2N3500U4/tr			50														150 v	300 MA					50NA（iCBO）				NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
APTGLQ50DA65T3G	65.5300	RFQ	1351	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGLQ50		175 w	标准		下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器												沟渠场停止	650 v	70 a	2.3V @ 15V，50a				50 µA	是的	3.1 NF @ 25 V
JANTX2N5416S	10.3208	RFQ	5835	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5416		750兆w		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														300 v	1 a					1ma				PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
APTGT50H60RT3G	83.9900	RFQ	3383	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	底盘安装	SP3	APTGT50		176 w	单相桥梁整流器	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器												沟渠场停止	600 v	80 a	1.9V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
Jan2n498s	-	RFQ	8867	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1
1月2N6033	401.1280	RFQ	3732	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/528	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TA）	通过洞	TO-204AA，TO-3			140 w		TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														120 v	40 a					25ma（iCBO）				NPN		10 @ 40a，2v	-
MV2N4092	70.7693	RFQ	9741	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/431	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	MV2N4092		360兆w		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道	40 V							16pf @ 20V							40 V	15 ma @ 20 V					50欧姆
VN10KN3-G-P003	0.5400	RFQ	1740年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN10KN3	MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	310mA（TJ）	5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 1mA		±30V	60 pf @ 25 V	-	1W（TC）
2N5545	36.4200	RFQ	5376	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N5545			1
2N4393	18.2875	RFQ	5710	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	-	2N4393		1.8 w		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4393MS	Ear99	8541.29.0095	1		n通道								14pf @ 20V							40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na				100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²