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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N6514	78.7200	RFQ	4211	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			120 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6514	Ear99	8541.29.0095	1												300 v	7 a	-	PNP	-	-	-
2N4901	45.1535	RFQ	8075	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N4901				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTXV2N1717	-	RFQ	2802	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1												100 v	750 MA	-	NPN	-	-	-
2N6510	78.7200	RFQ	3086	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			120 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6510	Ear99	8541.29.0095	1												200 v	7 a	-	NPN	-	-	-
2N1714	20.3850	RFQ	5039	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N1714	Ear99	8541.29.0095	1												60 V	750 MA	-	NPN	-	-	16MHz
JANTXV2N6352	-	RFQ	3141	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			2 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												80 V	5 a	-	npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，5a	2000 @ 5A，5V	-
2N6338	55.1817	RFQ	2461	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6338				-	Rohs不合规		到达不受影响	2N6338MS	Ear99	8541.29.0095	1
2N3019S	20.4500	RFQ	66	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3019		800兆	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1												80 V	1 a	10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，10V	-
JANTX2N6251	-	RFQ	5480	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6251		5.5 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												350 v	10 a	1ma	NPN	1.5V @ 1.67a，10a	6 @ 10a，3v	-
JANTX2N5796A	120.3406	RFQ	9483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796		600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1												60V	600mA	10µA（ICBO）	2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
Jan2n5002	416.0520	RFQ	2124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N5002		2 w	TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												80 V	5 a	50µA	NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
jankccr2n3499	-	RFQ	3622	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JankCCR2N3499	Ear99	8541.29.0095	1												100 v	500 MA	10µA（ICBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
1月2N1716	-	RFQ	4976	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1												60 V	750 MA	-	NPN	-	-	-
APT38M50J	28.6900	RFQ	5318	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT38M50	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	500 v	38A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 2.5mA	220 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	357W（TC）
2N2102A	27.0522	RFQ	4976	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			5 w	TO-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												65 v	1 a	-	PNP	-	-	-
JAN2N5686	179.8160	RFQ	6037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/464	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			300 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												80 V	500 µA	500µA	NPN	5V @ 10a，50a	15 @ 25a，2v	-
APT77N60BC6	13.3800	RFQ	3	微芯片技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT77N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	77A（TC）	10V	41MOHM @ 44.4a，10V	3.6V @ 2.96mA	260 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	481W（TC）
JANTXV2N3421	17.1171	RFQ	1921年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3421		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												80 V	3 a	5µA	NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
2N335AT2	65.1035	RFQ	2228	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N335				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANKCBF2N2907A	-	RFQ	6693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2907		500兆	TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCBF2N2907A	Ear99	8541.21.0095	1												60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSM2N2221AUA	150.2006	RFQ	7627	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			650兆	UA	-			到达不受影响	150-JANSM2N2221AUA			1												50 V	800 MA	50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTX2N2904	-	RFQ	6818	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/290	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100												40 V	600 MA	1µA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
jankccm2n3498	-	RFQ	4136	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCM2N3498			100												100 v	500 MA	10µA（ICBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTXV2N335	-	RFQ	1020	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1												45 v		-	NPN	-	-	-
JAN2N5302	141.9110	RFQ	7757	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/456	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5302		5 w	TO-3（to-204AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												60 V	30 a	10µA	NPN	3V @ 6a，30a	15 @ 15a，2v	-
2N6561	148.1850	RFQ	3530	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			125 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6561	Ear99	8541.29.0095	1												300 v	10 a	-	NPN	-	-	-
JANSM2N2222A	98.5102	RFQ	3426	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSM2N2222A			1												50 V	800 MA	50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N4398	42.3073	RFQ	7676	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N4398				-	Rohs不合规		到达不受影响	2N4398MS	Ear99	8541.29.0095	1
JANTXV2N3635	-	RFQ	6722	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												140 v	1 a	10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JAN2N3810L	21.9982	RFQ	5793	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810		350MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1												60V	50mA	10µA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²