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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APTGF25H120T3G	-	RFQ	1705年	微芯片技术	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP3				208 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																	npt	1200 v	40 a	3.7V @ 15V，25a		250 µA	是的	1.65 NF @ 25 V
Jan2n5795a	-	RFQ	9477	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5795			600MW		TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			60V	600mA			10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
2N2727	15.9600	RFQ	9164	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N2727	Ear99	8541.29.0095	1																			150 v	500 MA			-			PNP	-	-	-
2n2906aub/tr	8.6982	RFQ	9119	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2906			500兆		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N2906AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																			60 V	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
MSCMC120AM07CT6LIAG	-	RFQ	7091	微芯片技术	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCMC120		（SIC）	1350W（TC）		sp6c li	下载			到达不受影响	150-MSCMC120AM07CT6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）						1200V（1.2kV）	264a（TC）		8.7MOHM @ 240A，20V	4V @ 60mA	690NC @ 20V		11400pf @ 1000V	-
2C5583	22.4700	RFQ	3389	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2C5583			1
2N7000-g	0.5000	RFQ	10	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N7000		MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					60 V	200ma（tj）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	3V @ 1mA		±30V	60 pf @ 25 V	-	1W（TC）
JANTX2N6032	442.6240	RFQ	7877	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/528	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TA）	通过洞	TO-204AA，TO-3				140 w		TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			90 v	50 a			25ma（iCBO）			NPN		10 @ 50a，2.6V	-
MSC080SMA330B4	138.0600	RFQ	5428	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	MSC080		sicfet （碳化硅）			TO-247-4	-			到达不受影响	150-MSC080SMA330B4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					3300 v	41A（TC）	20V	105mohm @ 30a，20v	2.97V @ 3mA	55 NC @ 20 V	+23V，-10V	3462 PF @ 2400 V	-	381W（TC）
APTGT400U120D4G	253.7300	RFQ	9456	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D4	APTGT400			2250 w	标准	D4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1200 v	600 a	2.1V @ 15V，400A		8 ma	不	28 NF @ 25 V
jankcal2n3636	-	RFQ	3356	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JankCal2N3636			100																			175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
APT25M100J	33.9300	RFQ	3255	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT25M100		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1000 v	25A（TC）	10V	330mohm @ 18a，10v	5V @ 2.5mA	305 NC @ 10 V	±30V	9835 pf @ 25 V	-	545W（TC）
MSR2N2907AUB	-	RFQ	3334	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-MSR2N2907AUB			100																			60 V	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N2222AUBC/tr	28.8750	RFQ	1762年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UBC	-			到达不受影响	150-2N2222AUBC/tr	Ear99	8541.21.0095	100																			50 V	800 MA			50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
1214GN-1220V	-	RFQ	1159	微芯片技术	e	大部分	积极的	125 v		表面安装	55-qq		1.2GHz〜1.4GHz	hemt			55-qq	下载			到达不受影响	150-1214GN-1220V	Ear99	8541.29.0095	1			-	30 ma	130W	17.16db											-					50 V
MSR2N3700	-	RFQ	9388	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-MSR2N3700			100																			80 V	1 a			10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
jankcbd2n2906a	-	RFQ	4039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCBD2N2906A			100																			60 V	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
MSCSM170HRM11NG	632.5900	RFQ	4210	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			（SIC）	1.012kW（TC），662W（TC）		-	-				150-MSCSM170HRM11NG			1	（4 n 通道（三级逆变器）						1700V（（1.7kV），1200V（1.2kV）	226a（TC），163a （TC）		11.3MOHM @ 120A，20V，16MOHM @ 80A，20V	3.2V @ 10mA，2.8V @ 6mA	712nc @ 20v，464nc @ 20v		13200pf @ 1000V，6040pf @ 1000V	（SIC）
TC8020K6-G	10.9800	RFQ	2111	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	56-VFQFN暴露垫	TC8020		MOSFET （金属 o化物）	-		56-qfn （8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	6n和6p通道						200V	-		8ohm @ 1A，10V	2.4V @ 1mA	-		50pf @ 25V	-
2N912	30.5700	RFQ	5710	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				800兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-2N912	Ear99	8541.21.0095	1																			60 V				-			NPN	1V @ 5mA，50mA	-	40MHz
JANKCCD2N3501	-	RFQ	2984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCD2N3501			100																			150 v	300 MA			10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
2N3597	547.4100	RFQ	9640	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱				100 W		TO-63	-			到达不受影响	150-2N3597	Ear99	8541.29.0095	1																			40 V	20 a			-			PNP	-	-	-
JASP2N5151	95.9904	RFQ	1334	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSP2N5151			1																			80 V	2 a			50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
Jan2n2907aubp/tr	12.6616	RFQ	2435	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-JAN2N2907AUBP/tr	Ear99	8541.21.0095	100																			60 V	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 1mA，10v	-
JANSF2N2906AUA	156.0008	RFQ	7364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅				500兆		UA	-			到达不受影响	150-JANSF2N2906AUA			1																			60 V	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
2N5389	519.0900	RFQ	7084	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				175 w		TO-61	-			到达不受影响	150-2N5389	Ear99	8541.29.0095	1																			300 v	7 a			-			NPN	-	-	-
2N2946	24.6450	RFQ	7242	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2N2946			1
JANSD2N3700	34.6500	RFQ	6540	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSD2N3700			1																			80 V	1 a			10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N3752	273.7050	RFQ	5125	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱				30 W		TO-111	-			到达不受影响	150-2N3752	Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	5 a			-			PNP	250mv @ 100µA，1mA	-	-
2N2896	17.3831	RFQ	2494	微芯片技术	-	包	积极的		-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				1.8 w		TO-18（（TO-206AA）	-		（1 （无限）	到达不受影响	2N2896MS	Ear99	8541.29.0075	1																			90 v	1 a			10NA（ICBO）			NPN	600mv @ 15mA，150mA	60 @ 150mA，10V	120MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²