RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JAN2N3772	-	RFQ	7263	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/518	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				6 W	TO-3（to-204AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		60 V	20 a		5mA	NPN	4V @ 4A，20A	15 @ 10a，4v	-
apt10090bllg	16.8200	RFQ	223	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT10090		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1000 v	12A（TC）	10V	950MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	71 NC @ 10 V	±30V	1969 pf @ 25 V	-	298W（TC）
JANTX2N6353	-	RFQ	4705	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N6353			2 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		150 v	5 a		-	npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
APTC60AM45B1G	88.3600	RFQ	9646	微芯片技术	coolmos™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	250W	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	3 n通道（相腿 +升压斩波器）						600V	49a		45MOHM @ 24.5A，10V	3.9V @ 3mA	150nc @ 10V		7200pf @ 25V	-
VRF150	68.4800	RFQ	4	微芯片技术	-	盒子	积极的	170 v			M174	VRF150	150MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		1ma	250 MA	150W	11DB											-			50 V
2N6276	92.0892	RFQ	2017	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6276					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N6275	92.0892	RFQ	4796	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6275					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N5003	443.7924	RFQ	6715	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/535	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N5003			2 w	TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	5 a		50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
APT8056BVRG	15.8300	RFQ	5558	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT8056		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2266-APT8056BVRG	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					800 v	16A（TC）		560MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	275 NC @ 10 V		4440 pf @ 25 V	-
JANTX2N5237S	21.7588	RFQ	1697年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5237			1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		120 v	10 a		10µA	NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JANHCB2N5004	49.6622	RFQ	8759	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	死				2 w	死	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	50 µA		50µA	NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N930UB	21.5859	RFQ	1379	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N930					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANSF2N5153U3/tr	230.1212	RFQ	9924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1.16 w	U3	-			到达不受影响	150-JANSF2N5153U3/tr			50																		80 V	2 a		50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JASP2N3636UB	-	RFQ	2502	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				1.5 w	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		175 v	10 µA		10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JAN2N5686	179.8160	RFQ	6037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/464	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				300 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	500 µA		500µA	NPN	5V @ 10a，50a	15 @ 25a，2v	-
JANSL2N3500L	41.5800	RFQ	5711	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSL2N3500L			1																		150 v	300 MA		10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
APT10M11JVRU2	31.4600	RFQ	3369	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10M11		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	142a（TC）	10V	11mohm @ 71a，10v	4V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	8600 PF @ 25 V	-	450W（TC）
JANTX2N3507L	14.1113	RFQ	7421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3507			1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		50 V	3 a		-	NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
JANTX2N3740	-	RFQ	6626	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3740			25 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		60 V	4 a		10µA	PNP	600mv @ 125mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
HS2907A	8.1529	RFQ	9022	微芯片技术	*	大部分	积极的					HS2907					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
jankca2n2484	15.3482	RFQ	1479年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2484			360兆w	TO-18（（TO-206AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA2N2484	Ear99	8541.21.0095	1																		60 V	50 mA		2NA	NPN	300mv @ 100µA，1mA	250 @ 1mA，5V	-
JANTX2N3468L	-	RFQ	1168	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/348	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w	TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1																		50 V	1 a		100µA（ICBO）	PNP	1.2V @ 100mA，1a	25 @ 500mA，1V	150MHz
apt60m75jll	69.8500	RFQ	2961	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT60M75		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	58A（TC）	10V	75mohm @ 29a，10v	5V @ 5mA	195 NC @ 10 V	±30V	8930 PF @ 25 V	-	595W（TC）
2N718A	31.0821	RFQ	4800	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	2266-2N718A	Ear99	8541.21.0095	1																		30 V	500 MA		10µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
MSCSM70AM025T6LIAG	724.8700	RFQ	2121	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70		（SIC）	1.882kW（TC）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70AM025T6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）						700V	689a（TC）		3.2MOHM @ 240A，20V	2.4V @ 24mA	1290nc @ 20V		27000pf @ 700V	-
2N1700	43.4644	RFQ	4741	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N1700					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N3439UA	47.3081	RFQ	6861	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N3439			800兆	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		350 v	1 a		2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTX2N3440U4	-	RFQ	1725年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				800兆	U4	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		250 v	2 µA		2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
2N6281	92.0892	RFQ	9644	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6281					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
MSC040SMA120S	25.1500	RFQ	9242	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	MSC040		sicfet （碳化硅）		d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60		n通道					1200 v	64A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	2.6V @ 2mA	137 NC @ 20 V	+23V，-10V	1990 pf @ 1000 V	-	303W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²