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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
90024-06TXV	-	RFQ	6040	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3				TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1														-	-	-	-	-
89100-05TX	-	RFQ	6891	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1														-	-	-	-	-
JANS2N3501	63.4204	RFQ	8779	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3501		1 w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												150 v	300 MA	10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
2N6279	245.8638	RFQ	8903	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6279				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N6283	57.5358	RFQ	2040	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/504	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			175 w	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												80 V	1 MA	1ma	npn-达灵顿	3V @ 200mA，20a	1500 @ 1A，3V	-
2N6678T1	299.7155	RFQ	4218	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6678				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N6193U3	-	RFQ	6828	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				U3	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1												100 v	5 a	-	PNP	-	-	-
JANTXV2N4150	11.2252	RFQ	7924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N4150		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												70 v	10 a	10µA	NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
jankcar2n3810	-	RFQ	9345	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810		350MW	TO-78-6	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JankCar2N3810	Ear99	8541.21.0095	1												60V	30mA	10µA（ICBO）	2 NPN （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
2N5743	37.1850	RFQ	6829	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			43 W	TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5743	Ear99	8541.29.0095	1												60 V	20 a	-	PNP	1.5V @ 1mA，10mA	-	-
2N6277	110.0176	RFQ	3541	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6277		250 w	TO-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												150 v	50 a	50µA	NPN	3V @ 10a，50a	50 @ 1A，4V	-
2N3489	547.4100	RFQ	2764	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			115 w	TO-61	-			到达不受影响	150-2N3489	Ear99	8541.29.0095	1												100 v	7.5 a	-	PNP	-	-	-
2N335T2	65.1035	RFQ	4880	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N335				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N3440UA	101.2529	RFQ	3523	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			800兆	UA	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1												250 v	2 µA	2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTX2N2604UB	-	RFQ	7622	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/354	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2604		400兆	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1												60 V	30 ma	10NA	PNP	300mv @ 500µA，10mA	60 @ 500µA，5V	-
JAN2N2920L	30.6432	RFQ	8162	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		350MW	TO-78-6	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1												60V	30mA	10µA（ICBO）	2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
TN0604N3-G	1.3900	RFQ	2	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0604	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	40 V	700mA（TJ）	5V，10V	750MOHM @ 1.5A，10V	1.6V @ 1mA		±20V	190 pf @ 20 V	-	740MW（TA）
APT1201R4BFLLG	23.3300	RFQ	6540	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT1201	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	1200 v	9A（TC）	10V	1.5OHM @ 4.5A，10V	5V @ 1mA	75 NC @ 10 V	±30V	2030 pf @ 25 V	-	300W（TC）
JAN2N6338	101.2529	RFQ	1483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/509	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			200 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												100 v	50 µA	50µA	NPN	1.8V @ 2.5a，25a	30 @ 10a，2v	-
JANTXV2N2920	38.5301	RFQ	7335	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		-	TO-78-6	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												60V	30mA	-	2 NPN （双）	-	-	-
JANTXV2N3743	-	RFQ	4760	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/397	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												300 v	200 ma	250NA（ICBO）	PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
2N3637UB	14.1900	RFQ	268	微芯片技术	-	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3637		1.5 w	UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												175 v	1 a	10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
Jan2n2946a	-	RFQ	8072	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/382	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以			400兆	TO-46	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1												35 v	100 ma	10µA（ICBO）	PNP	-	50 @ 1mA，500mv	-
JANSF2N2221AL	100.3204	RFQ	2922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSF2N2221AL			1												50 V	800 MA	50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
2N2102A	27.0522	RFQ	4976	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			5 w	TO-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												65 v	1 a	-	PNP	-	-	-
89100-02TX	-	RFQ	3587	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1														-	-	-	-	-
2N6338	55.1817	RFQ	2461	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6338				-	Rohs不合规		到达不受影响	2N6338MS	Ear99	8541.29.0095	1
2N6306	68.5482	RFQ	2554	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6306		125 w	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1												250 v	8 a	50µA	NPN	5V @ 2a，8a	15 @ 3a，5v	-
JANTXV2N3440UA	189.7910	RFQ	4928	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			800兆	UA	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1												250 v	2 µA	2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
APT37F50	7.8800	RFQ	1630	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT37F50	MOSFET （金属 o化物）		D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	500 v	37A（TC）	10V	150MOHM @ 18A，10V	5V @ 1mA	145 NC @ 10 V	±30V	5710 PF @ 25 V	-	520W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²