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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N5795	120.3406	RFQ	3850	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5795			600MW		TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			60V	600mA			10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTX2N3507L	14.1113	RFQ	7421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3507			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			50 V	3 a			-			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
2N6546	49.7154	RFQ	1551年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6546			175 w		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			300 v	15 a			1ma			NPN	5V @ 3a，15a	15 @ 1A，2V	-
jankcbr2n2906a	-	RFQ	2624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906			500兆		TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCBR2N2906A	Ear99	8541.21.0095	1																			60 V	600 MA			50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
0912GN-250V	-	RFQ	7349	微芯片技术	v	大部分	积极的	65 v			2-flatpack，鳍铅，法兰		960MHz〜1.215GHz	hemt			-	下载			到达不受影响	150-0912GN-250V	Ear99	8541.29.0095	5			-	60 ma	250W	18.5db											-					50 V
apt12031jfll	122.8900	RFQ	7286	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT12031		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1200 v	30A（TC）	10V	330mohm @ 15a，10v	5V @ 5mA	365 NC @ 10 V	±30V	9480 pf @ 25 V	-	690AW（TC）
2N5409	287.8650	RFQ	3630	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱				52 w		TO-111	-			到达不受影响	150-2N5409	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	5 a			-			PNP	-	-	-
JANSM2N2369AUB	149.5006	RFQ	3267	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅				400兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSM2N2369AUB			1																			20 v				400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	-
MNS2N3700UB	13.6500	RFQ	7346	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UB	-			到达不受影响	150-MNS2N3700UB			1																			80 V	1 a			10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2n3019p	22.6500	RFQ	4050	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N3019P	Ear99	8541.21.0095	1																			80 V	1 a			10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MSCSM120DUM08T3AG	395.6500	RFQ	1707年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	1409W（TC）		SP3F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM08T3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共来源						1200V（1.2kV）	337a（TC）		7.8mohm @ 80a，20v	2.8V @ 4mA	928nc @ 20V		12100pf @ 1000V	-
2N4903	45.1535	RFQ	9552	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N4903						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
APT35GT120JU3	24.4800	RFQ	7246	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT35GT120			260 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1200 v	55 a	2.1V @ 15V，35a		5 ma	不	2.53 NF @ 25 V
jankcap2n3636	-	RFQ	4805	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCAP2N3636			100																			175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANSF2N5154U3	245.1312	RFQ	1165	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		U3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSF2N5154U3	Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	2 a			50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N335ALT2	65.1035	RFQ	8941	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N335						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N6676	136.0058	RFQ	9541	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/538	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6676			6 W		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			300 v	15 a			1ma			NPN	1V @ 3a，15a	15 @ 1a，3v	-
JANTX2N6990	-	RFQ	3969	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/559	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	14-flatpack	2N6990			400MW		14-flatpack	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			50V	800mA			10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N222222AUA	153.5402	RFQ	2893	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				650兆		UA	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			50 V	800 MA			50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3838	-	RFQ	2100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/421	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-flatpack	2N3838			350MW		6-flatpack	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			40V	600mA			10µA（ICBO）			NPN，PNP	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N6277	187.5566	RFQ	1933年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/514	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6277			250 w		TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			150 v	50 a			50µA			NPN	3V @ 10a，50a	30 @ 20a，4v	-
JANSL2N3637L	129.5906	RFQ	2221	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSL2N3637L			1																			175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JAN2N3810L	21.9982	RFQ	5793	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810			350MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			60V	50mA			10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANSF2N6987	180.2500	RFQ	2960	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N6987			1.5W		TO-116	-			到达不受影响	150-JANSF2N6987			1																			60V	600mA			10µA（ICBO）			4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N907AE4	30.5700	RFQ	1233	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2N907AE4			1
jankccr2n3499	-	RFQ	3622	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JankCCR2N3499	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	500 MA			10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
2N4235	-	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	1 a			1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
2N2219AL	-	RFQ	4295	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2219			800兆		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			50 V	800 MA			10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3635L	11.9700	RFQ	3312	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3635			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			140 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
VRF150	68.4800	RFQ	4	微芯片技术	-	盒子	积极的	170 v			M174	VRF150	150MHz	MOSFET			M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		1ma	250 MA	150W	11DB											-					50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²