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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N3743U4	78.4966	RFQ	2702	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														300 v	200 MA					PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
2N3418S	17.7422	RFQ	2475	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3418		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60 V	3 a		5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	20 @ 1a，2v	-
DN2540N3-G	0.9700	RFQ	1	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	DN2540	MOSFET （金属 o化物）			TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	120mA（TJ）	0V	25ohm @ 120mA，0v	-		±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	1W（TC）
APT33N90JCU2	-	RFQ	3880	微芯片技术	coolmos™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道	900 v	33A（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	3.5V @ 3mA	270 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	290W（TC）
2N3501E3	13.7123	RFQ	6726	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			500兆		TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														150 v	300 MA		10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N5796	138.7610	RFQ	1216	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796		600MW		TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60V	600mA		10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTM120A15FG	377.7625	RFQ	8870	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM120	MOSFET （金属 o化物）	1250W		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）		1200V（1.2kV）	60a		175mohm @ 30a，10v	5V @ 10mA	748nc @ 10V		20600pf @ 25V	-
2N1711	25.1237	RFQ	6365	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			800兆		TO-5	-			到达不受影响	2N1711MS	Ear99	8541.21.0095	1														50 V	500 MA		10NA（ICBO）			NPN	1.5V @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N3810	198.9608	RFQ	2356	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810		350MW		TO-78-6	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60V	50mA		10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JAN2N3499L	12.5818	RFQ	9241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3499		1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	500 MA		10µA（ICBO）			NPN	1.4V @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
Jan2n2904	10.6533	RFQ	8706	微芯片技术	MIL-PRF-19500/290	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2904		600兆		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														40 V	600 MA		1µA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	35 @ 10mA，10v	-
JANTX2N3468L	-	RFQ	1168	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/348	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1														50 V	1 a		100µA（ICBO）			PNP	1.2V @ 100mA，1a	25 @ 500mA，1V	150MHz
JANKCBF2N3439	-	RFQ	1935年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCBF2N3439			100														350 v	1 a		2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTXV2N6352	-	RFQ	3141	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			2 w		TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	5 a		-			npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，5a	2000 @ 5A，5V	-
JANTXV2N3637L	14.3906	RFQ	8036	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3637		1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														175 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
MCP87130T-U/MF	-	RFQ	5401	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCP87130	MOSFET （金属 o化物）			8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,300		n通道	25 v	43A（TC）	3.3V，10V	13.5MOHM @ 10A，10V	1.7V @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	400 pf @ 12.5 V	-	2.1W（TA）
APTGT100A60T1G	60.9100	RFQ	3805	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGT100		340 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥												沟渠场停止	600 v	150 a	1.9V @ 15V，100a	250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
JANTX2N2222222AUB/TR	5.5594	RFQ	3771	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2222		500兆		UB	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	126														50 V	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JASP2N2907AUA	155.8502	RFQ	6913	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅			500兆		UA	-			到达不受影响	150-JANSP2N2907AUA			1														60 V	600 MA		50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APT60N60SCSG	22.1100	RFQ	3462	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	APT60N60	MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.9V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	431W（TC）
apt50m38jfll	91.5000	RFQ	5847	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50M38	MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	88A（TC）		38mohm @ 44a，10v	5V @ 5mA	270 NC @ 10 V		12000 PF @ 25 V	-
JANSR2N2219AL	114.6304	RFQ	3662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N2219		800兆		TO-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA		10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	75 @ 1mA，10v	-
JANS2N4029	145.2008	RFQ	5717	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														80 V	1 a		10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
APT30M36LLG	28.9400	RFQ	2757	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT30M36	MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	300 v	84A（TC）		36mohm @ 42a，10v	5V @ 2.5mA	115 NC @ 10 V		6480 pf @ 25 V	-
mvr2n222222aua/tr	159.2276	RFQ	3768	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			650兆		UA	-			到达不受影响	150-MVR2N222222AUA/tr			100														50 V	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSM2N2369AUB	149.5006	RFQ	3267	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅			400兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSM2N2369AUB			1														20 v			400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	-
JAN2N3762	-	RFQ	5632	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3762		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	1.5 a		10µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	30 @ 1A，1.5V	-
JANSF2N2221AL	100.3204	RFQ	2922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSF2N2221AL			1														50 V	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
APT10050LVRG	23.9700	RFQ	3163	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10050	MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	21a（TC）		500mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	500 NC @ 10 V		7900 PF @ 25 V	-
2N6675	130.8720	RFQ	4993	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6675					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²