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5714）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
JANTX2N3716 Microchip Technology JANTX2N3716 53.5192
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/408 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N3716 5 w TO-204AA（TO-3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 10 a 1ma NPN 2.5V @ 2a，10a 30 @ 3a，2v -
JANSR2N2222AUB Microchip Technology JANSR2N222222AUB 59.6002
RFQ
 ECAD 4505 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/255 托盘 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N2222 500兆 UB 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V -
JANSL2N5151L Microchip Technology JANSL2N5151L 98.9702
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/545 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 1 w TO-5AA - 到达不受影响 150-JANSL2N5151L 1 80 V 2 a 50µA PNP 1.5V @ 500mA，5a 30 @ 2.5A，5V -
APT20M20JLL Microchip Technology apt20m20jll 30.8600
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 微芯片技术 PowerMosv® 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 APT20M20 MOSFET （金属 o化物） isotop® 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 200 v 104a（TC） 20mohm @ 52a，10v 5V @ 2.5mA 110 NC @ 10 V 6850 pf @ 25 V -
JAN2N4235 Microchip Technology JAN2N4235 39.7936
RFQ
 ECAD 2076 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/580 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N4235 1 w 到39 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 1 a 1ma PNP 600mv @ 100mA，1a 40 @ 100mA，1V -
2N6339 Microchip Technology 2N6339 67.2980
RFQ
 ECAD 6983 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N6339 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JAN2N333AT2 Microchip Technology JAN2N333AT2 -
RFQ
 ECAD 4566 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 175°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 1 45 v 10 MA - NPN - - -
2N4305 Microchip Technology 2N4305 14.6400
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 1.5 w TO-5AA - 到达不受影响 150-2N4305 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 5 a - NPN - - -
JANTXV2N3499U4 Microchip Technology JANTXV2N3499U4 -
RFQ
 ECAD 2551 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/366 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 1 w U4 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 MA 50NA（iCBO） NPN 600mv @ 30mA，300mA 100 @ 150mA，10V -
2N3507U4 Microchip Technology 2N3507U4 60.6081
RFQ
 ECAD 8511 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N3507 1 w U4 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 50 V 3 a 1µA NPN 1.5V @ 250mA，2.5a 35 @ 500mA，1V -
JANSF2N5153L Microchip Technology JANSF2N5153L 100.0902
RFQ
 ECAD 9357 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/545 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 1 w TO-5 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 1 MA 1ma PNP 1.5V @ 500mA，5a 70 @ 2.5A，5V -
2N6297 Microchip Technology 2N6297 27.2384
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N6297 - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 1
JANTX2N5795 Microchip Technology JANTX2N5795 120.3406
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/496 大部分 积极的 -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N5795 600MW TO-78-6 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10µA（ICBO） 2 PNP （双） 1.6V @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，10V -
JANTX2N5684 Microchip Technology JANTX2N5684 196.4676
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/466 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N5684 300 w TO-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 50 a 5µA NPN 5V @ 10a，50a 30 @ 5A，2V -
JAN2N5686 Microchip Technology JAN2N5686 179.8160
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/464 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 300 w TO-3 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 500 µA 500µA NPN 5V @ 10a，50a 15 @ 25a，2v -
2N1483 Microchip Technology 2N1483 44.3555
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-233AA，TO-8-3 2N1483 1.75 w TO-8 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 40 V 3 a 15µA NPN 1.20V @ 75mA，750a 20 @ 750mA，4V -
APTM20UM03FAG Microchip Technology APTM20UM03FAG 354.3825
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM20 MOSFET （金属 o化物） SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 200 v 580a（TC） 10V 3.6mohm @ 290A，10V 5V @ 15mA 840 NC @ 10 V ±30V 43300 PF @ 25 V - 2270W（TC）
APT66M60B2 Microchip Technology APT66M60B2 19.5400
RFQ
 ECAD 9759 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 APT66M60 MOSFET （金属 o化物） T-MAX™[B2] 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 70A（TC） 10V 100mohm @ 33a，10v 5V @ 2.5mA 330 NC @ 10 V ±30V 13190 pf @ 25 V - 1135W（TC）
JANS2N5151 Microchip Technology JANS2N5151 75.2802
RFQ
 ECAD 4561 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/545 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 50 µA 50µA PNP 1.5V @ 500mA，5a 30 @ 2.5A，5V -
JAN2N3762L Microchip Technology JAN2N3762L -
RFQ
 ECAD 1365 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/396 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 1 w TO-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 40 V 1.5 a 100µA（ICBO） PNP 900mv @ 100mA，1a 40 @ 500mA，1V -
2N4931U4 Microchip Technology 2N4931U4 82.5000
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 1 w U4 - 到达不受影响 150-2N4931U4 Ear99 8541.29.0095 1 250 v 200 MA 250NA（ICBO） PNP 1.2V @ 3mA，30mA 50 @ 30mA，10v -
JANTXV2N7368 Microchip Technology JANTXV2N7368 -
RFQ
 ECAD 8124 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/622 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） 115 w TO-254 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 1 MA 1ma NPN 1V @ 500mA，5a 50 @ 1A，2V -
0912GN-250V Microchip Technology 0912GN-250V -
RFQ
 ECAD 7349 0.00000000 微芯片技术 v 大部分 积极的 65 v 2-flatpack，鳍铅，法兰 960MHz〜1.215GHz hemt - 下载 到达不受影响 150-0912GN-250V Ear99 8541.29.0095 5 - 60 ma 250W 18.5db - 50 V
2729GN-270V Microchip Technology 2729GN-270V -
RFQ
 ECAD 8372 0.00000000 微芯片技术 v 大部分 积极的 125 v 表面安装 55-QP 2.7GHz〜2.9GHz hemt 55-QP 下载 到达不受影响 150-2729GN-270V Ear99 8541.29.0095 5 - 60 ma 290W 15.6dB - 50 V
JANSL2N5152U3 Microchip Technology JANSL2N5152U3 229.9812
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/544 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 1 w U3 （SMD-0.5） - 到达不受影响 150-JANSL2N5152U3 1 80 V 2 a 50µA NPN 1.5V @ 500mA，5a 30 @ 2.5A，5V -
2N2904A Microchip Technology 2N2904A 21.6258
RFQ
 ECAD 4400 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N2904 600兆 到39 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2n2904am Ear99 8541.21.0095 1 60 V 600 MA 1µA PNP 1.6V @ 50mA，500mA 40 @ 500mA，10V -
2N2369AUBC/TR Microchip Technology 2N2369AUBC/tr 34.6800
RFQ
 ECAD 5735 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 360兆w UBC - 到达不受影响 150-2N2369AUBC/tr Ear99 8541.21.0095 100 15 v 400NA NPN 450mv @ 10mA，100mA 20 @ 100mA，1V -
JANTXV2N6988 Microchip Technology JANTXV2N6988 51.5242
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/558 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 14-flatpack 2N6988 400MW 14-flatpack 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10µA（ICBO） 4 pnp（（ 1.6V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V -
JANKCDP2N5152 Microchip Technology JANKCDP2N5152 -
RFQ
 ECAD 7389 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/544 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - 到达不受影响 150-JANKCDP2N5152 100 80 V 2 a 50µA NPN 1.5V @ 500mA，5a 30 @ 2.5A，5V -
2N5879 Microchip Technology 2N5879 63.9597
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N5879 - Rohs不合规 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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