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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANSL2N3019	114.8808	RFQ	2384	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSL2N3019			1																		80 V	1 a		10NA	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
Jan2n7372	-	RFQ	7853	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/612	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N7372			4 W	TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	5 a		50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANS2N5151	75.2802	RFQ	4561	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	50 µA		50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANSM2N5154U3	229.9812	RFQ	1807年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w	U3 （SMD-0.5）	-			到达不受影响	150-JANSM2N5154U3			1																		80 V	2 a		50µA	NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N5302	58.2407	RFQ	7341	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5302			5 w	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N5302MS	Ear99	8541.29.0095	1																		60 V	30 a		10µA	NPN	3V @ 6a，30a	15 @ 15a，2v	-
jankcbl2n2222a	-	RFQ	3157	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JankCBL2N2222A			100																		50 V	800 MA		50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MSR2N2369AUA	-	RFQ	1630	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				360兆w	UA	-			到达不受影响	150-MSR2N2369AUA			100																		15 v			400NA	NPN	250mv @ 3mA，30mA	40 @ 10mA，1V	-
MSCSM120TLM50C3AG	170.3500	RFQ	6	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	245W（TC）	SP3F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120TLM50C3AG	Ear99	8541.29.0095	1	（4 n 通道（三级逆变器）						1200V（1.2kV）	55A（TC）		50mohm @ 40a，20v	2.7V @ 1mA	137nc @ 20V		1990pf @ 1000V	-
APT10090BFLLG	16.0500	RFQ	8626	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT10090		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1000 v	12A（TC）	10V	950MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	71 NC @ 10 V	±30V	1969 pf @ 25 V	-	298W（TC）
2N5349	157.9375	RFQ	3337	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N5349					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANS2N2907AUA	133.0802	RFQ	4296	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2907			500兆	UA	下载			到达不受影响	2266-JANS2N2907AUA	Ear99	8541.21.0095	1																		60 V	600 MA		50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 1mA，10v	-
JANTX2N6689	-	RFQ	3730	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/537	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TA）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				3 W	TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		300 v	100 µA		100µA	NPN	5V @ 5a，15a	15 @ 1a，3v	-
APTM100A23STG	191.2800	RFQ	2777	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM100		MOSFET （金属 o化物）	694W	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）						1000V （1kV）	36a		270MOHM @ 18A，10V	5V @ 5mA	308nc @ 10V		8700pf @ 25V	-
MVR2N2907AUA	-	RFQ	9805	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				500兆	UA	-			到达不受影响	150-MVR2N2907AUA			100																		60 V	600 MA		50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
ARF469AG	70.8500	RFQ	6963	微芯片技术	-	管子	积极的	500 v		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ARF469	45MHz	MOSFET		TO-264	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		30a	250 µA	350W	16dB											-			150 v
2N6673	98.3402	RFQ	8917	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6673					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N5154P	20.5352	RFQ	6158	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTX2N5154P			1																		80 V	2 a		50µA	NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N3902	38.9557	RFQ	4192	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/371	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3902			5 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		400 v	3.5 a		250µA	NPN	2.5V @ 700mA，3.5a	30 @ 1A，5V	-
JAN2N6648	104.1523	RFQ	6790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/527	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				5 w	TO-204AA（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		40 V	10 a		1ma（iCBO）	pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
JAN2N5303	141.9110	RFQ	6183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/456	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				20 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		60 V	10 µA		10µA	NPN	650mv @ 5mA，100mA	15 @ 10a，2v	-
APT5010LVRG	18.4400	RFQ	5483	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT5010		MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	47A（TC）		100mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	470 NC @ 10 V		8900 PF @ 25 V	-
JAN2N5794U	118.9902	RFQ	3692	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5794			600MW	6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		40V	600mA		10µA（ICBO）	2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
APT24M120L	19.0200	RFQ	8176	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT24M120		MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1200 v	24A（TC）	10V	680MOHM @ 12A，10V	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	8370 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
TN0620N3-G-P002	1.7300	RFQ	4149	微芯片技术	-	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0620		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					200 v	250mA（TJ）	5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	1.6V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（TC）
JANTX2N2904	-	RFQ	6818	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/290	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				800兆	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100																		40 V	600 MA		1µA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
90024-02TXV	-	RFQ	4996	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3					TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																					-	-	-	-	-
1月2N6988	41.8684	RFQ	4640	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	14-flatpack	2N6988			400MW	14-flatpack	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		60V	600mA		10µA（ICBO）	4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
jankcbd2n3439	-	RFQ	6427	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCBD2N3439			100																		350 v	1 a		2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JAN2N3792	43.1585	RFQ	6302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/379	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-3	2N3792			5 w	TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	10 a		5mA	PNP	2.5V @ 2a，10a	30 @ 3a，2v	-
2N5606	43.0350	RFQ	8184	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				25 w	TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5606	Ear99	8541.29.0095	1																		60 V	5 a		-	NPN	1.5V @ 500µA，2.5mA	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²