RFQ
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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
ARF477FL	152.7000	RFQ	42	微芯片技术	-	大部分	积极的	500 v			-	ARF477		65MHz	MOSFET			-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	2 n 通道（双）公共来源		15a			400W	16dB											-									150 v
2N1613	18.7397	RFQ	9938	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					800兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	2N1613MS	Ear99	8541.21.0095	1																				30 V	500 MA							10NA（ICBO）			NPN	1.5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3902	38.9557	RFQ	4192	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/371	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3902				5 w		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				400 v	3.5 a							250µA			NPN	2.5V @ 700mA，3.5a	30 @ 1A，5V	-
2N4235	-	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	1 a							1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
MIC94030BM4 TR	-	RFQ	6151	微芯片技术	Tinyfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	MIC94030			MOSFET （金属 o化物）			SOT-143	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						16 V	1A（1A）	2.7V，10V	450MOHM @ 100mA，10V	1.4V @ 250µA		16V	100 pf @ 12 V	-	568MW（TA）
JANSR2N222222AUB/TR	59.6002	RFQ	9903	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					500兆		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSR2N222222aub/tr	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N2906A	99.0906	RFQ	2123	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906				500兆		TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSR2N2906A	Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 MA							50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
MSR2N3810U/TR	274.2726	RFQ	6326	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N3810				350MW		你	-			到达不受影响	150-MSR2N3810U/TR			100																				60V	50mA							10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
HS2907A	8.1529	RFQ	9022	微芯片技术	*	大部分	积极的					HS2907							-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
APT30GF60JU2	-	RFQ	6554	微芯片技术	-	大部分	过时的		-	底盘安装	同位素					192 w	标准	SOT-227	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的																		npt	600 v	58 a		2.5V @ 15V，30a					40 µA	不	1.85 NF @ 25 V
JANTX2N2905L	10.8528	RFQ	1186	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					600兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANTX2N2905L			1																				60 V	600 MA							1µA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APT38M50J	28.6900	RFQ	5318	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT38M50			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	38A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 2.5mA	220 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	357W（TC）
ARF463BG	41.4203	RFQ	3251	微芯片技术	-	大部分	积极的	500 v			TO-247-3	ARF463		81.36MHz	MOSFET			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		9a		50 mA	100W	15DB											-									125 v
JANTX2N222222AUA	22.2110	RFQ	1127	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD	2N2222				650兆		4-SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTGT100H120G	247.6700	RFQ	2258	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT100				480 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																		沟渠场停止	1200 v	140 a		2.1V @ 15V，100a					250 µA	不	7.2 NF @ 25 V
VRF2944	197.8800	RFQ	13	微芯片技术	-	大部分	积极的	170 v			M177			30MHz	MOSFET			M177	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		50a		250 MA	400W	22DB											-									50 V
apt60m75jll	69.8500	RFQ	2961	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT60M75			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	58A（TC）	10V	75mohm @ 29a，10v	5V @ 5mA	195 NC @ 10 V	±30V	8930 PF @ 25 V	-	595W（TC）
2N3019S	20.4500	RFQ	66	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3019				800兆		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				80 V	1 a							10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，10V	-
1月2N6058	48.6115	RFQ	1420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/502	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3	2N6058				150 w		TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	12 a							1ma			npn-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
APT40GR120S	8.4800	RFQ	1513年	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	APT40GR120	标准			500 w		d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				600V，40a，4.3Ohm，15V															npt	1200 v	88 a	160 a	3.2V @ 15V，40a	1.38mj（在）上（906µJ）off）	210 NC	22NS/163NS
2N6351	30.7895	RFQ	1212	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AC，TO-33-4金属可以					1 w		TO-33	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				150 v	5 a							-			npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
TN2524N8-G	1.5400	RFQ	5901	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TN2524			MOSFET （金属 o化物）			TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						240 v	360ma（tj）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	1.6W（TC）
APT45GP120BG	17.9200	RFQ	25	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT45GP120	标准			625 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				600V，45A，5OHM，15V															pt	1200 v	100 a	170 a	3.9V @ 15V，45a	（900µJ）（在），904µJ（OFF）中）	185 NC	18NS/102NS
2N2811	117.9178	RFQ	1865年	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N2811							-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
jankcal2n3634	-	RFQ	4045	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JankCal2N3634			100																				140 v	1 a							10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
90025-03TXV	-	RFQ	9516	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2							TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																												-			-	-	-	-
JANTX2N708	-	RFQ	7476	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/312	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N708				360兆w		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				15 v								25NA（icbo）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	40 @ 10mA，1V	-
JAN2N336A	-	RFQ	4573	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以							TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																				45 v	10 MA							-			NPN	-	-	-
2N3495	33.6900	RFQ	2211	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					400MW		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N3495	Ear99	8541.21.0095	1							-													120V	100mA										PNP		40 @ 50mA，10v	150MHz	-
2N6676T1	349.2000	RFQ	9575	微芯片技术	*	大部分	积极的												-			到达不受影响	150-2N6676T1			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²