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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANSF2N5004	-	RFQ	6180	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱					2 w		TO-59	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				80 V	50 µA							50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
APT35GT120JU3	24.4800	RFQ	7246	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT35GT120				260 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																		沟渠场停止	1200 v	55 a		2.1V @ 15V，35a					5 ma	不	2.53 NF @ 25 V
2N6649	98.3402	RFQ	4336	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6649				5 w		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	10 a							1ma			pnp-达灵顿	3V @ 100µA，10a	1000 @ 5A，3V	-
APT25GT120BRDQ2G	8.2300	RFQ	7574	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT25GT120	标准			347 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				800V，25a，5ohm，15V															npt	1200 v	54 a	75 a	3.7V @ 15V，25a	930µJ（在）上，720µJ（720µJ）	170 NC	14NS/150NS
2731GN-1220V	-	RFQ	7804	微芯片技术	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	55-QP			2.7GHz〜3.1GHz	hemt			55-QP	下载			到达不受影响	150-2731GN-1220V	Ear99	8541.29.0095	5			-		30 ma	145W	16.5db											-									50 V
TN2640K4-G	2.8500	RFQ	7823	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TN2640			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						400 v	500mA（TJ）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2V @ 2mA		±20V	225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
ARF1501	325.5300	RFQ	39	微芯片技术	-	管子	积极的	1000 v			T-1	ARF1501		27.12MHz	MOSFET			T-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ARF1501MS	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		30a			750W	17dB											-									250 v
APT40GL120JU3	24.2202	RFQ	6323	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克	APT40GL120				220 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																		沟渠场停止	1200 v	65 a		2.25V @ 15V，35a					250 µA	不	1.95 nf @ 25 V
2N5302	58.2407	RFQ	7341	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5302				5 w		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N5302MS	Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	30 a							10µA			NPN	3V @ 6a，30a	15 @ 15a，2v	-
JANTX2N4238	40.5517	RFQ	4486	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/581	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4238				1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	1 a							100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 100mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
JANKCCM2N5153	-	RFQ	1056	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCM2N5153			100																				80 V	2 a							50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
APT20M120JCU2	39.7700	RFQ	6177	微芯片技术	Power MOS 8™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M120			MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						1200 v	20A（TC）	10V	672MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	7736 pf @ 25 V	-	543W（TC）
JANTX2N4931U4	-	RFQ	7338	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/397	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1 w		U4	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				250 v	200 ma										PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
APTGT150DH120G	217.1500	RFQ	4409	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	底盘安装	SP6	APTGT150				690 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥																		沟渠场停止	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a					350 µA	不	10.7 NF @ 25 V
APTGT50H60T1G	65.4200	RFQ	7427	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGT50				176 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																		沟渠场停止	600 v	80 a		1.9V @ 15V，50a					250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
JANTX2N2906AUB	11.7971	RFQ	9922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2906				500兆		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 MA							50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JAN2N3867	-	RFQ	4325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	3 ma							100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
2N5153	14.0847	RFQ	2941	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	50 µA							50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N3810U	38.2700	RFQ	100	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810				350MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60V	50mA							10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JAN2N3772	-	RFQ	7263	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/518	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3					6 W		TO-3（to-204AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	20 a							5mA			NPN	4V @ 4A，20A	15 @ 10a，4v	-
JANTXV2N5415	13.0606	RFQ	6404	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5415				750兆w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				200 v	1 a							1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
JANTX2N1486	214.3960	RFQ	4657	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/180	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-233AA，TO-8-3	2N1486				1.75 w		TO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				55 v	3 a							15µA			NPN	750mv @ 40mA，750a	35 @ 750mA，4V	-
JANSR2N2219	114.6304	RFQ	9159	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2219				800兆		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA							10NA			NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N5666	15.5211	RFQ	9012	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5666				1.2 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				200 v	5 a							200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
APTM50SKM17G	230.1100	RFQ	4017	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50			MOSFET （金属 o化物）			SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	180a（TC）	10V	20mohm @ 90a，10v	5V @ 10mA	560 NC @ 10 V	±30V	28000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
JANS2N5665	212.4314	RFQ	9995	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N5665				2.5 w		TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				300 v	5 a							200NA			NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-
JANS2N5003	-	RFQ	6575	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/535	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱					2 w		to-59/i	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	50 µA							50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
2N1479	25.4429	RFQ	9270	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N1479				1 w		TO-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				40 V	1.5 a							5µA（ICBO）			NPN	750mv @ 20mA，200mA	20 @ 200ma，4V	-
JANS2N3762U4	-	RFQ	3510	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅							U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响			0000.00.0000	1																				40 V	1.5 a							-			PNP	-	-	-
APT6025BFLLG	14.7600	RFQ	5039	微芯片技术	PowerMos7®	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3	APT6025			MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	24A（TC）		250mohm @ 12a，10v	5V @ 1mA	65 NC @ 10 V		2910 PF @ 25 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²