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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANS2N3506	70.3204	RFQ	4580	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANS2N3506			1													40 V	3 a	1µA	NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
JANTX2N2605UB/TR	-	RFQ	8633	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/354	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2605		400兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N2605UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1													60 V	30 ma	10NA	PNP	300mv @ 500µA，10mA	150 @ 500µA，5V	-
JAN2N335LT2	-	RFQ	2608	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1													45 v	10 MA	-	NPN	-	-	-
APT31M100B2	12.9700	RFQ	7936	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT31M100	MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	32A（TC）	10V	380MOHM @ 16A，10V	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
JAN2N3441	200.5640	RFQ	5511	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/369	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3441		3 W	TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													140 v	3 a	-	NPN	1V @ 50mA，500mA	25 @ 500mA，4V	-
MSCSM120AM50CT1AG	89.7600	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	245W（TC）	sp1f	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM50CT1AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		1200V（1.2kV）	55A（TC）		50mohm @ 40a，20v	2.7V @ 1mA	137nc @ 20V		1990pf @ 1000V	-
MSCMC120AM02CT6LIAG	-	RFQ	8444	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCMC120	（SIC）	3200W（TC）	sp6c li	下载			到达不受影响	150-MSCMC120AM02CT6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		1200V（1.2kV）	742a（TC）		2.85MOHM @ 600A，20V	4V @ 180mA	1932nc @ 20v		33500pf @ 1000V	-
JAN2N3735	8.3657	RFQ	1184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/395	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3735		1 w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													40 V	1.5 a	10µA（ICBO）	NPN	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
2N6594	110.9100	RFQ	6383	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			100 W	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6594	Ear99	8541.29.0095	1													40 V	12 a	-	PNP	-	-	-
JAN2N3634	10.5070	RFQ	2468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3634		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													140 v	1 a	10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JAN2N2919L	30.6432	RFQ	1203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2919		350MW	TO-78-6	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1													60V	30mA	10µA（ICBO）	2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANSL2N5154	95.9904	RFQ	6884	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSL2N5154			1													80 V	2 a	50µA	NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
APTC90SKM60CT1G	-	RFQ	8839	微芯片技术	coolmos™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1		MOSFET （金属 o化物）		SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道	900 v	59A（TC）	10V	60mohm @ 52a，10v	3.5V @ 6mA	540 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 100 V	-	462W（TC）
2C4240	22.4700	RFQ	9267	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-2C4240			1
JANSF2N2907AUA	157.5000	RFQ	7788	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅			500兆	UA	-			到达不受影响	150-JANSF2N2907AUA			1													60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N2484UA	21.6524	RFQ	2813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2484		360兆w	UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1													60 V	50 mA	2NA	NPN	300mv @ 100µA，1mA	225 @ 10mA，5v	-
JANS2N3507AL	70.3204	RFQ	1762年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANS2N3507AL			1													50 V	3 a	1µA	NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-
APT40M70JVR	43.9500	RFQ	5663	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT40	MOSFET （金属 o化物）		SOT-227（ISOTOP®）	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT40M70JVR	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	400 v	53A（TC）	10V	70MOHM @ 26.5A，10V	4V @ 2.5mA	495 NC @ 10 V	±30V	8890 pf @ 25 V	-	450W（TC）
2N3751	273.7050	RFQ	9484	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱			30 W	TO-111	-			到达不受影响	150-2N3751	Ear99	8541.29.0095	1													60 V	5 a	-	PNP	-	-	-
APTC60HM70RT3G	99.0200	RFQ	5180	微芯片技术	coolmos™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）		SP3	APTC60	MOSFET （金属 o化物）	250W	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4 n 通道（半桥） +桥梁整流器		600V	39a		70mohm @ 39a，10v	3.9V @ 2.7mA	259nc @ 10V		7000pf @ 25V	-
2N3676	30.6450	RFQ	6727	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			8 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N3676	Ear99	8541.29.0095	1													90 v	3 a	-	NPN	800mv @ 100µA，1mA	-	-
Jan2n335a	-	RFQ	6196	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1													45 v	10 MA	-	NPN	-	-	-
apt9m100s/tr	6.9400	RFQ	400	微芯片技术	Power MOS 8™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT9M100	MOSFET （金属 o化物）		D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-APT9M100S/TR	Ear99	8541.29.0095	400		n通道	1000 v	9A（TC）	10V	1.4OHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2605 pf @ 25 V	-	335W（TC）
JANTX2N4235L	40.5517	RFQ	9866	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTX2N4235L			1													60 V	1 a	1ma	PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
2C5682	9.6300	RFQ	2220	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-2C5682			1
2N7369	324.9000	RFQ	4273	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA			115 w	TO-254AA	-			到达不受影响	150-2N7369	Ear99	8541.29.0095	1													80 V	10 a	5mA	PNP	1V @ 500mA，5a	50 @ 1A，2V	-
Jan2n5002	416.0520	RFQ	2124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N5002		2 w	TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													80 V	5 a	50µA	NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANS2N5154	55.9804	RFQ	1310	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													80 V	1 MA	1ma	NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
APTMC170AM60CT1AG	-	RFQ	3248	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTMC170	（SIC）	350W	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		1700V（（1.7kV）	50A（TC）		60mohm @ 50a，20v	2.3V @ 2.5mA ty（typ）	190nc @ 20V		3080pf @ 1000V	-
2C3501-MSCL	10.8750	RFQ	6981	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-2C3501-MSCL			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²