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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANSM2N3636L	-	RFQ	9699	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																			175 v	10 µA			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
1月2N1890	-	RFQ	7963	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/225	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆		TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			80 V	500 MA			10NA（ICBO）			NPN	5V @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3740	-	RFQ	6626	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3740			25 w			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	4 a			10µA			PNP	600mv @ 125mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
JAN2N2222AP	13.9650	RFQ	4297	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JAN2N2222AP	Ear99	8541.21.0095	1																			50 V	800 MA			50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N4930	-	RFQ	3012	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/397	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			200 v	200 ma						PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
JANSM2N2221AUBC/TR	231.9816	RFQ	4201	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UBC	-			到达不受影响	150-JANSM2N222221AUBC/tr			50																			50 V	800 MA			50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
SG2803J-883B	-	RFQ	2466	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜125°C（TA）	通过洞	-	SG2803			-		18-CDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	21																			50V	500mA			-			8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
APTGT400DU120G	369.8400	RFQ	1121	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT400			1785 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双重，共同来源																	沟渠场停止	1200 v	560 a	2.1V @ 15V，400A		750 µA	不	28 NF @ 25 V
VRF150	68.4800	RFQ	4	微芯片技术	-	盒子	积极的	170 v			M174	VRF150	150MHz	MOSFET			M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		1ma	250 MA	150W	11DB											-					50 V
APT10M11JVRU2	31.4600	RFQ	3369	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10M11		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	142a（TC）	10V	11mohm @ 71a，10v	4V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	8600 PF @ 25 V	-	450W（TC）
jankccg2n3501	-	RFQ	7370	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCG2N3501			100																			150 v	300 MA			10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
MSCSM70AM025T6LIAG	724.8700	RFQ	2121	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70		（SIC）	1.882kW（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70AM025T6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）						700V	689a（TC）		3.2MOHM @ 240A，20V	2.4V @ 24mA	1290nc @ 20V		27000pf @ 700V	-
JANSL2N3500L	41.5800	RFQ	5711	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSL2N3500L			1																			150 v	300 MA			10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
2N6276	92.0892	RFQ	2017	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6276						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANSF2N5153U3/tr	230.1212	RFQ	9924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1.16 w		U3	-			到达不受影响	150-JANSF2N5153U3/tr			50																			80 V	2 a			50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
jankca2n2484	15.3482	RFQ	1479年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2484			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA2N2484	Ear99	8541.21.0095	1																			60 V	50 mA			2NA			NPN	300mv @ 100µA，1mA	250 @ 1mA，5V	-
JANS2N3737UB/TR	157.3504	RFQ	1456	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/395	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				500兆		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS2N3737UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																			40 V	1.5 a			10µA（ICBO）			NPN	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
JANTX2N3996	-	RFQ	6293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/374	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱				2 w		TO-111	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	10 a			10µA			NPN	2V @ 500mA，5a	40 @ 1A，2V	-
JANTX2N6193	11.3183	RFQ	3277	微芯片技术	MIL-PRF-19500/561	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6193			1 w		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	5 a			100µA			PNP	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
JANTXV2N3501U4	-	RFQ	3332	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			150 v	300 MA			50NA（iCBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
APTM100H18FG	380.9825	RFQ	4773	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM100		MOSFET （金属 o化物）	780W		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）						1000V （1kV）	43a		210MOHM @ 21.5A，10V	5V @ 5mA	372NC @ 10V		10400pf @ 25V	-
JANSL2N3439UA	-	RFQ	3000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				800兆		UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSL2N3439UA	Ear99	8541.21.0095	1																			350 v	1 a			2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
MSC040SMA120S	25.1500	RFQ	9242	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	MSC040		sicfet （碳化硅）			d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60		n通道					1200 v	64A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	2.6V @ 2mA	137 NC @ 20 V	+23V，-10V	1990 pf @ 1000 V	-	303W
JANTX2N4234L	40.5517	RFQ	8893	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTX2N4234L			1																			40 V	1 a			1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
APT60M75JFLL	65.8700	RFQ	7239	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT60M75		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	58A（TC）	10V	75mohm @ 29a，10v	5V @ 5mA	195 NC @ 10 V	±30V	8930 PF @ 25 V	-	595W（TC）
JAN2N6193U3	-	RFQ	6828	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅						U3	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																			100 v	5 a			-			PNP	-	-	-
JANTX2N3506AL	14.1113	RFQ	7198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3506			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			40 V	3 a			-			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
JANTXV2N3499	10.7996	RFQ	2700	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3499			1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	500 MA			10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N6990	-	RFQ	3969	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/559	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	14-flatpack	2N6990			400MW		14-flatpack	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			50V	800mA			10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSL2N3637L	129.5906	RFQ	2221	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSL2N3637L			1																			175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²