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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N5157	52.0296	RFQ	1733年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			5 w		TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														500 v	250 µA		250µA			NPN	2.5V @ 700mA，3.5a	30 @ 1A，5V	-
JANS2N3507AU4	-	RFQ	1770年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														50 V	1 µA		1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
JANS2N6987U	262.2704	RFQ	9137	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N6987		1W		6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60V	600mA		10µA（ICBO）			4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N3725	14.7098	RFQ	2962	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N3725					-	Rohs不合规		到达不受影响	2n3725ms	Ear99	8541.29.0095	1
JANSL2N5154L	98.9702	RFQ	2146	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSL2N5154L			1														80 V	2 a		50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANTXV2N3501U4	-	RFQ	3332	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														150 v	300 MA		50NA（iCBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3765U4	-	RFQ	1014	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60 V	1.5 a		100µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	40 @ 500mA，1V	-
JANS2N5415UA/TR	-	RFQ	1548年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	-					-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS2N5415UA/TR			1
Janhcb2n2907a	8.8578	RFQ	5693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2907		500兆		TO-18	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANHCB2N2907A	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA		50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APT7M120B	5.7100	RFQ	1067	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT7M120	MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	8A（TC）	10V	2.5OHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 25 V	-	335W（TC）
TN2540N3-G	1.5600	RFQ	5645	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN2540	MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	175ma（tj）	4.5V，10V	12ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	125 pf @ 25 V	-	1W（ta）
2N5598	43.0350	RFQ	1723年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			20 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5598	Ear99	8541.29.0095	1														60 V	2 a		-			PNP	850mv @ 200µA，1mA	-	-
JANSM2N2221AL	91.0606	RFQ	6290	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSM2N2221AL			1														50 V	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTXV2N4261	-	RFQ	7164	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/511	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-72-3金属罐	2N4261		200兆		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														15 v	30 ma		10µA（ICBO）			PNP	350mv @ 1mA，10mA	30 @ 10mA，1V	-
JANTX2N2906AUA/TR	24.8976	RFQ	8684	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2906		500兆		4-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N2906AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA		50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
APTGF50DH60T1G	-	RFQ	7115	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1			250 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥												npt	600 v	65 a	2.45V @ 15V，50a	250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
JANTX2N6353	-	RFQ	4705	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N6353		2 w		TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														150 v	5 a		-			npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
APT8052BFLLG	15.8300	RFQ	5810	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	APT8052	MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	800 v	15A（TC）		520MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 1mA	75 NC @ 10 V		2035 PF @ 25 V	-
jankcar2n2369a	-	RFQ	3449	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2n2369a		360兆w		TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCAR2N2369A	Ear99	8541.21.0095	1														15 v			400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JAN2N3439	12.4355	RFQ	1375	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3439		800兆		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														350 v	1 a		2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANSH2N2219A	248.3916	RFQ	8040	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSH2N2219A			1														50 V	800 MA		10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JASP2N3501UB	94.3500	RFQ	4380	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSP2N3501UB			1
2C6189	24.3450	RFQ	6117	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2C6189			1
2N657	35.8169	RFQ	7800	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N657					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
1月2N6059	49.0770	RFQ	5223	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/502	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6059		150 w		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	12 a		1ma			npn-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
APT30M19JVFR	84.5000	RFQ	4132	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT30M19	MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	300 v	130a（TC）	10V	19mohm @ 500mA，10v	4V @ 5mA	975 NC @ 10 V	±30V	21600 PF @ 25 V	-	700W（TC）
APT1201R5BVRG	35.8600	RFQ	2045	微芯片技术	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	APT1201	MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT1201R5BVRG	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	10A（TC）	10V	1.5OHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V	-	4440 pf @ 25 V	-	-
JANTXV2N2946AUB/TR	-	RFQ	8707	微芯片技术	MIL-PRF-19500/382	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			400兆		UB	-				150-JANTXV2N2946AUB/TR			1														35 v	100 ma		10µA（ICBO）			PNP	-	50 @ 1mA，500mv	-
JANS2N5416UA	-	RFQ	4339	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			750兆w		UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														300 v	1 a		1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
2N6649	98.3402	RFQ	4336	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6649		5 w		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60 V	10 a		1ma			pnp-达灵顿	3V @ 100µA，10a	1000 @ 5A，3V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²