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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANSF2N2222AUBC	305.8602	RFQ	3210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UBC	-			到达不受影响	150-JANSF2N222222AUBC			1														50 V	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N1716S	20.3850	RFQ	9888	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N1716S	Ear99	8541.29.0095	1														60 V	750 MA		-			NPN	-	-	-
JAN2N5416S	-	RFQ	7807	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			750兆w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														300 v	1 a		1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
JANTX2N4033UB	25.8020	RFQ	4896	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4033		500兆		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														80 V	1 a		10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
JANTX2N5415S	11.0390	RFQ	4078	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5415		750兆w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														200 v	1 a		1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
MNS2N3501UB	12.1900	RFQ	2761	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-MNS2N3501UB			1
DN2540N3-G	0.9700	RFQ	1	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	DN2540	MOSFET （金属 o化物）			TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	120mA（TJ）	0V	25ohm @ 120mA，0v	-		±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	1W（TC）
JAN2N5665	26.9857	RFQ	2966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N5665		2.5 w		TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														300 v	5 a		200NA			NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-
APT20M16LFLLG	26.2700	RFQ	1343	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT20M16	MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	200 v	100A（TC）		16mohm @ 50a，10v	5V @ 2.5mA	140 NC @ 10 V		7220 PF @ 25 V	-
2N5347	157.9375	RFQ	8527	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N5347					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
APT50M75B2LLG	21.0600	RFQ	7827	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT50M75	MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	57A（TC）	10V	75MOHM @ 28.5A，10V	5V @ 2.5mA	125 NC @ 10 V	±30V	5590 pf @ 25 V	-	570W（TC）
JAN2N6693	-	RFQ	4883	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/538	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			3 W		TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														400 v	15 a		1ma（iCBO）			NPN	1V @ 3a，15a	15 @ 1a，3v	-
APT6010LFLLG	33.7700	RFQ	1610	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT6010	MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2266-APT6010LFLLG	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	54A（TC）		100mohm @ 27a，10v	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V		6710 PF @ 25 V	-
SG2003J-Jan	-	RFQ	2152	微芯片技术	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	16-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG2003		-		16-CDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25														50V	500mA		-			7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
APTM100H45SCTG	221.4200	RFQ	1	微芯片技术	PowerMos7®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM100	MOSFET （金属 o化物）	357W		SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）		1000V （1kV）	18a		540MOHM @ 9A，10V	5V @ 2.5mA	154NC @ 10V		4350pf @ 25V	-
JANTXV2N2920A	38.1577	RFQ	4051	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		350MW		TO-78-6	-			到达不受影响	150-JANTXV2N2920A			1														60V	30mA		10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
VP2110K1-G	0.8300	RFQ	4564	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	VP2110	MOSFET （金属 o化物）			TO-236AB（SOT23）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	100 v	120mA（TJ）	5V，10V	12ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	60 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
APTGT300TL65G	325.1400	RFQ	7002	微芯片技术	-	大部分	积极的				APTGT300					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N6338	101.2529	RFQ	1483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/509	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			200 w		TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	50 µA		50µA			NPN	1.8V @ 2.5a，25a	30 @ 10a，2v	-
APTGT50DU120TG	101.3000	RFQ	1027	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTGT50		277 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双重，共同来源												沟渠场停止	1200 v	75 a	2.1V @ 15V，50a	250 µA	是的	3.6 NF @ 25 V
JANTX2N6648	115.7499	RFQ	4418	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/527	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			5 w		TO-204AA（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	10 a		1ma（iCBO）			pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
APL502B2G	55.1100	RFQ	7624	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APL502	MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	58A（TC）	15V	90mohm @ 29a，12v	4V @ 2.5mA		±30V	9000 PF @ 25 V	-	730W（TC）
APTM100TA35SCTPG	417.0600	RFQ	4810	微芯片技术	PowerMos7®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	APTM100	MOSFET （金属 o化物）	390W		sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）		1000V （1kV）	22a		420MOHM @ 11a，10v	5V @ 2.5mA	186nc @ 10V		5200pf @ 25V	-
JASP2N3500	41.5800	RFQ	2469	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSP2N3500			1														150 v	300 MA		10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
JANS2N2484	52.7104	RFQ	2651	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2484		360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60 V	50 mA		2NA			NPN	300mv @ 100µA，1mA	225 @ 10mA，5v	-
JANTXV2N5237	-	RFQ	4851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														120 v	10 a		10µA			NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JANTXV2N3740U4	-	RFQ	8182	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			25 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60 V	10 µA		10µA			PNP	600mv @ 1.25mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
JAN2N3250AUB/TR	-	RFQ	4998	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/323	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N3250		360兆w		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N3250AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	200 ma		10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
APT60M75JVR	82.3510	RFQ	3362	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT60M75	MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	62A（TC）	10V	75mohm @ 500mA，10v	4V @ 5mA	1050 NC @ 10 V	±30V	19800 PF @ 25 V	-	700W（TC）
JAN2N3421S	16.5053	RFQ	7535	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3421		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	3 a		5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²