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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APT34N80LC3G	10.7600	RFQ	8135	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT34N80		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					800 v	34A（TC）	10V	145mohm @ 22a，10v	3.9V @ 2mA	355 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 25 V	-	417W（TC）
JANTX2N5237S	21.7588	RFQ	1697年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5237			1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			120 v	10 a			10µA			NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JAN2N3418	17.0905	RFQ	1271	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3418			1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	3 a			5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	20 @ 1a，2v	-
JAN2N2919U/TR	43.2250	RFQ	9922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	胶带和卷轴（（tr）	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919			350MW		3-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N2919U/TR	Ear99	8541.21.0095	1																			60V	30mA			10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
2N2222AL	7.5943	RFQ	1013	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2222			500兆		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			50 V	800 MA			50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSF2N5151U3	232.1916	RFQ	6374	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1.16 w		U3	-			到达不受影响	150-JANSF2N5151U3			1																			80 V	2 a			50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
Jan2n5005	416.0520	RFQ	8867	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/535	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N5005			2 w		TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	5 a			50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
Jankcbr2N5002	-	RFQ	2560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	死				2 w		死	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																			80 V	50 µA			50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
VRF152	105.1800	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	130 v			M174	VRF152	175MHz	MOSFET			M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		50µA	250 MA	150W	14dB											-					50 V
TP2104K1-G	0.8100	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP2104		MOSFET （金属 o化物）			TO-236AB（SOT23）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					40 V	160mA（TJ）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA		±20V	60 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
JANTX2N4931	-	RFQ	7193	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/397	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			250 v	200 MA			250NA（ICBO）			PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
JANTXV2N5339P	19.2717	RFQ	8514	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/560	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTXV2N5339P			1																			100 v	5 a			100µA			NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
JANTX2N3999	-	RFQ	5530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/374	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				2 w		TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	10 a			10µA			NPN	2V @ 500mA，5a	80 @ 1A，2V	-
2n6989u	59.3712	RFQ	2691	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	20-CLCC	2N6989			1W		20-CLCC（8.89x8.89）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2n6989um	Ear99	8541.29.0095	1																			50V	800mA			10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N2432UB	226.4724	RFQ	3831	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅						UB	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																			30 V	100 ma			-			NPN	-	-	-
JANTX2N3585	267.5420	RFQ	1213	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/384	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3585			2.5 w		TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			300 v	2 a			5mA			NPN	750mv @ 125mA，1a	25 @ 1A，10V	-
MSCC60AM23C4AG	250.2300	RFQ	8292	微芯片技术	-	管子	积极的		-	底盘安装	模块	MSCC60		MOSFET （金属 o化物）	-		SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCC60AM23C4AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n通道						600V	81A（TC）		-	-	-		-	-
JANTXV2N3498U4	-	RFQ	5324	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	500 MA			50NA（iCBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-
JANS2N3501U4	-	RFQ	6472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			150 v	300 MA			50NA（iCBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
2N4877	16.5150	RFQ	3260	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				10 W		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N4877	Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	4 a			-			PNP	-	-	-
2N7371	288.0780	RFQ	9656	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/623	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））				100 W		TO-254	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N7371	Ear99	8541.29.0095	1																			100 v	12 a			1ma			pnp-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
2N333T2	65.1035	RFQ	6129	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N333						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTXV2N6676T1	-	RFQ	3456	微芯片技术	*	大部分	积极的			-	-						-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N3486	9.0307	RFQ	1203	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3486			400兆		TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			60 V	600 MA			10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N6350	-	RFQ	1300	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AC，TO-33-4金属可以				1 w		TO-33	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	5 a			-			npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，5a	2000 @ 5A，5V	-
JAN2N6987U	57.6821	RFQ	4589	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N6987			1W		6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			60V	600mA			10µA（ICBO）			4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MSC040SMA120S/TR	26.0800	RFQ	3031	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA			sicfet （碳化硅）			TO-268	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC040SMA120S/TR	Ear99	8541.29.0095	400		n通道					1200 v	64A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	2.6V @ 2mA	137 NC @ 20 V	+23V，-10V	1990 pf @ 1000 V	-	303W（TC）
JAN2N5416U4	-	RFQ	6646	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			300 v	1 MA			1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
2N2102S	27.0522	RFQ	5066	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N2102						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
APTGT100DU120TG	127.2500	RFQ	5587	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTGT100			480 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双重，共同来源																	沟渠场停止	1200 v	140 a	2.1V @ 15V，100a		250 µA	是的	7.2 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²