RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MSCSM70AM025CD3AG	880.2500	RFQ	4	微芯片技术	-	盒子	积极的		-	底盘安装	模块	MSCSM70		（SIC）	-	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70AM025CD3AG	Ear99	8541.29.0095	1	-						700V	538a（TC）		-	-	-		-	-
2N5959	519.0900	RFQ	3806	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				175 w	TO-61	-			到达不受影响	150-2N5959	Ear99	8541.29.0095	1																		100 v	20 a		-	PNP	-	-	-
APTM50HM38FG	309.9825	RFQ	1175	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50		MOSFET （金属 o化物）	694W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）						500V	90a		45MOHM @ 45A，10V	5V @ 5mA	246nc @ 10V		11200pf @ 25V	-
JANTX2N2432UB/TR	-	RFQ	2763	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅					UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N2432UB/TR			1																		30 V	100 ma		-	NPN	-	-	-
JANKCDP2N5152	-	RFQ	7389	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCDP2N5152			100																		80 V	2 a		50µA	NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
APT30M40JVR	35.9000	RFQ	5128	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT30M40		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					300 v	70A（TC）	10V	40mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	425 NC @ 10 V	±30V	10200 PF @ 25 V	-	450W（TC）
LND250K1-G	0.5300	RFQ	4457	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LND250		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					500 v	13ma（tj）	0V	1000OHM @ 500µA，0V	-		±20V	10 pf @ 25 V	耗尽模式	360MW（TA）
jankccg2n3500	-	RFQ	9141	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCG2N3500			100																		150 v	300 MA		10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
JANS2N7372	-	RFQ	2330	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/612	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））				4 W	TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	5 a		50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANTXV2N4449	18.2742	RFQ	1355	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N4449			360兆w	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		20 v			400NA	NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANSL2N2222AUBC/TR	279.2920	RFQ	8392	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆	UBC	-			到达不受影响	150-JANSL2N222222AUBC/tr			50																		50 V	800 MA		50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N5153	-	RFQ	9812	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	2 a		50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2C3634-MSCL	7.3650	RFQ	5138	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-2C3634-MSCL			1
TN2640K4-G	2.8500	RFQ	7823	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TN2640		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					400 v	500mA（TJ）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2V @ 2mA		±20V	225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
ARF460BG	56.6600	RFQ	8272	微芯片技术	-	管子	积极的	500 v			TO-247-3	ARF460	40.68MHz	MOSFET		TO-247CS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30	n通道		14a	50 mA	-	15DB											-			125 v
MSR2N3439	-	RFQ	4579	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-MSR2N3439			100																		350 v	1 a		2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
APT34M60B	12.6000	RFQ	1663年	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT34M60		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	36a（TC）	10V	190mohm @ 17a，10v	5V @ 1mA	165 NC @ 10 V	±30V	6640 pf @ 25 V	-	624W（TC）
VN2106N3-G	0.5000	RFQ	7925	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VN2106		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					60 V	300mA（TJ）	5V，10V	4ohm @ 500mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	1W（TC）
2N656	40.3950	RFQ	4413	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N656	Ear99	8541.29.0095	1																		60 V	12 a		-	NPN	-	-	-
JANTXV2N5796A	138.7610	RFQ	8861	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796			600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		60V	600mA		10µA（ICBO）	2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N2218	114.6304	RFQ	9165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2218			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	800 MA		10NA	NPN	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
2N1893	27.3000	RFQ	100	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆	TO-5	-		（1 （无限）	到达不受影响	2N1893MS	Ear99	8541.21.0095	1																		80 V	500 MA		10NA（ICBO）	NPN	5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
JAN2N6211	-	RFQ	9265	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/461	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				3 W	TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		225 v	2 a		5mA	PNP	1.4V @ 125mA，1a	30 @ 1A，5V	-
2N5339L	36.7350	RFQ	4926	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N5339L	Ear99	8541.29.0095	1																		100 v	5 a		100µA	NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
JAN2N3867U4	145.2360	RFQ	7451	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		40 V	3 a		100µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
JANSL2N5151	95.9904	RFQ	6435	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSL2N5151			1																		80 V	2 a		50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
apt30m61sllg/tr	13.9118	RFQ	2152	微芯片技术	PowerMos7®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT30M61		MOSFET （金属 o化物）		D3PAK	下载			到达不受影响	150-APT30M61SLLG/TR	Ear99	8541.29.0095	400		n通道					300 v	54A（TC）	10V	61mohm @ 27a，10v	5V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±30V	3720 PF @ 25 V	-	403W（TC）
JAN2N2219AL	8.9376	RFQ	9110	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N2219			800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	800 MA		10NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N5151	13.6192	RFQ	8653	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5151			1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	2 a		50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N3506AL	14.1113	RFQ	7198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3506			1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		40 V	3 a		-	NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²