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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N3917	78.7200	RFQ	6340	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				20 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N3917	Ear99	8541.29.0095	1														40 V	2 a						-			PNP	-	-	-
JAN2N3499L	12.5818	RFQ	9241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3499			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	500 MA						10µA（ICBO）			NPN	1.4V @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
2N5148	19.4400	RFQ	7134	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				7 W		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N5148	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	2 a						-			PNP	-	-	-
SG2824J-DESC	-	RFQ	4714	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	18-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	SG2824			-		18-Cerdip	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG2824J-DESC	Ear99	8541.29.0095	21														95V	500mA						-			8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
2N2907	3.8700	RFQ	8207	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-2N2907	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA						50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N3500L	41.5800	RFQ	3280	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSR2N3500L			1														150 v	300 MA						10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N6306	59.1717	RFQ	1838年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/498	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6306			125 w		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														250 v	8 a						50µA			NPN	5V @ 2a，8a	15 @ 3a，5v	-
JANSH2N2222A	104.6206	RFQ	7371	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2222			500兆		TO-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA						50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N6988	51.5242	RFQ	5603	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	14-flatpack	2N6988			400MW		14-flatpack	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60V	600mA						10µA（ICBO）			4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N3440L	287.7120	RFQ	3517	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSR2N3440L			1														250 v	1 a						2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANSD2N2906AUBC	305.9206	RFQ	1787年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				500兆		UBC	-			到达不受影响	150-JANSD2N2906AUBC			1														60 V	600 MA						50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
DN3135N8-G	0.8100	RFQ	4741	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN3135		MOSFET （金属 o化物）			TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		350 v	135mA（tj）	0V	35ohm @ 150mA，0v	-	±20V	120 pf @ 25 V	耗尽模式	1.3W（TA）
JANS2N4033UA/TR	-	RFQ	2723	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				500兆		UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS2N4033UA/TR	Ear99	8541.21.0095	1														80 V	1 a						10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
APT40GP60BG	13.1000	RFQ	1300	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT40GP60	标准		543 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，40a，5ohm，15V										pt	600 v	100 a	160 a	2.7V @ 15V，40a	（385µJ）（在352µJ上）	135 NC	20NS/64NS
JANTXV2N335	-	RFQ	1020	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以						TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1														45 v							-			NPN	-	-	-
APTGT75TA120PG	244.2520	RFQ	4563	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT75			350 w	标准	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三期												沟渠场停止	1200 v	100 a		2.1V @ 15V，75a				250 µA	不	5.34 NF @ 25 V
jankccg2n3500	-	RFQ	9141	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCG2N3500			100														150 v	300 MA						10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
2n3486a	9.0307	RFQ	1611	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3486			400兆		TO-46-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA						10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N3762	-	RFQ	9883	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	1.5 a						10µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	30 @ 1A，1.5V	-
JANTX2N3468L	-	RFQ	1168	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/348	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1														50 V	1 a						100µA（ICBO）			PNP	1.2V @ 100mA，1a	25 @ 500mA，1V	150MHz
JASP2N5151L	98.9702	RFQ	1250	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSP2N5151L			1														80 V	2 a						50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
2N6281	92.0892	RFQ	9644	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6281						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
TN0104N3-G-P014	0.9800	RFQ	8233	微芯片技术	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0104		MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		40 V	450mA（ta）	3V，10V	1.8OHM @ 1A，10V	1.6V @ 500µA	±20V	70 pf @ 20 V	-	1W（TC）
JAN2N336	-	RFQ	3367	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以						TO-5	-			到达不受影响			0000.00.0000	1														45 v	10 MA						-			NPN	-	-	-
2N2990	27.6600	RFQ	5591	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				5 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N2990	Ear99	8541.29.0095	1														100 v	1 a						-			NPN	-	-	-
JANTXV2N4029	-	RFQ	7145	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	大部分	在sic中停产	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														80 V	1 a						10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
APTGT300A60D3G	217.9400	RFQ	5607	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGT300			940 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥												沟渠场停止	600 v	400 a		1.9V @ 15V，300A				500 µA	不	18.5 nf @ 25 V
JANTX2N3902	38.9557	RFQ	4192	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/371	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3902			5 w		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														400 v	3.5 a						250µA			NPN	2.5V @ 700mA，3.5a	30 @ 1A，5V	-
2N6579	174.6150	RFQ	9865	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				125 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6579	Ear99	8541.29.0095	1														350 v	12 a						-			NPN	1.5V @ 500µA，3mA	-	-
2N5074	287.8650	RFQ	9636	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				40 W		TO-59	-			到达不受影响	150-2N5074	Ear99	8541.29.0095	1														200 v	3 a						-			NPN	2V @ 300µA，500µA	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²