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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JAN2N3792	43.1585	RFQ	6302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/379	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-3	2N3792		5 w		TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	10 a		5mA			PNP	2.5V @ 2a，10a	30 @ 3a，2v	-
2N6226	36.6681	RFQ	6605	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			125 w		TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	50 a		-			PNP	-	-	-
JANSD2N3439L	270.2400	RFQ	3734	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSD2N3439L			1														350 v	1 a		2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTX2N5004	-	RFQ	9479	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱			2 w		TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	5 a		50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N3751	273.7050	RFQ	9484	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱			30 W		TO-111	-			到达不受影响	150-2N3751	Ear99	8541.29.0095	1														60 V	5 a		-			PNP	-	-	-
MSR2N2369A	-	RFQ	7303	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-MSR2N2369A			100
1月2N6193	-	RFQ	5765	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/561	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	5 a		100µA			PNP	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
JANTX2N1715S	-	RFQ	5104	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1														100 v	750 MA		-			NPN	-	-	-
2N3619	30.6450	RFQ	3030	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			7 W		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N3619	Ear99	8541.29.0095	1														40 V	2 a		-			PNP	-	-	-
APT1001R1亿	-	RFQ	1009	微芯片技术	PowerMosiv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1000 v	10.5A（TC）	10V	1.1OHM @ 5.25a，10V	4V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	2950 pf @ 25 V	-	310W（TC）
2N2219AE4	9.2169	RFQ	6707	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2219		800兆		TO-39（（TO-205AD）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA		10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
SG2803J-DESC	-	RFQ	2197	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	-	SG2803		-		18-CDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	21														50V	500mA		-			8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
APT50GF120JRDQ3	86.5400	RFQ	8295	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT50GF120		521 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的												npt	1200 v	120 a	3V @ 15V，75a	750 µA	不	5.32 NF @ 25 V
jankccr2n3501	-	RFQ	4270	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCCR2N3501	Ear99	8541.29.0095	1														150 v	300 MA		10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N3635UB	13.5527	RFQ	5180	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3635		1.5 w		3-SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														140 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JANTXV2N1716	-	RFQ	3158	微芯片技术	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1														60 V	750 MA		-			NPN	-	-	-
JANTXV2N5794	365.7500	RFQ	10	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5794		600MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														40V	600mA		10µA（ICBO）			2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N3762	-	RFQ	5632	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3762		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	1.5 a		10µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	30 @ 1A，1.5V	-
JANTXV2N7368	-	RFQ	8124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/622	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			115 w		TO-254	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	1 MA		1ma			NPN	1V @ 500mA，5a	50 @ 1A，2V	-
JANTXV2N3741	23.4080	RFQ	4001	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3741		25 w		TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	4 a		10µA			PNP	600mv @ 125mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
2N1715	20.3850	RFQ	8024	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N1715	Ear99	8541.29.0095	1														100 v	1 a		-			NPN	-	-	-
2N3501UB/TR	17.1703	RFQ	5312	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N3501UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1														150 v	300 MA		10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N4029	7.6209	RFQ	7616	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4029		500兆		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														80 V	1 a		10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
JAN2N2484UA	16.1861	RFQ	8236	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2484		360兆w		UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60 V	50 mA		2NA			NPN	300mv @ 100µA，1mA	225 @ 10mA，5v	-
APTGT100DU120TG	127.2500	RFQ	5587	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTGT100		480 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双重，共同来源												沟渠场停止	1200 v	140 a	2.1V @ 15V，100a	250 µA	是的	7.2 NF @ 25 V
JANTX2N5237S	21.7588	RFQ	1697年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5237		1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														120 v	10 a		10µA			NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
HS222222ATX/TR	10.4937	RFQ	4816	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-					-	-			到达不受影响	150-HS222222ATX/TR			100																	-			PNP	-	-	-
JANTXV2N222222AUA/TR	32.0397	RFQ	9238	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			650兆		4-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N22222AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTGT200SK60T3AG	92.6400	RFQ	7573	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTGT200		750 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的												沟渠场停止	600 v	290 a	1.9V @ 15V，200a	250 µA	是的	12.3 NF @ 25 V
2n696s	14.5901	RFQ	2229	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N696		600兆		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														40 V			10µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 15mA，150mA	20 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²