SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
JANS2N2222A Microchip Technology JANS2N2222A 32.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/255 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N2222 500兆 TO-18((TO-206AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V -
JANSD2N5154 Microchip Technology JANSD2N5154 98.9702
RFQ
ECAD 5035 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/544 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 1 w TO-39((TO-205AD) - 到达不受影响 150-JANSD2N5154 1 80 V 2 a 50µA NPN 1.5V @ 500mA,5a 70 @ 2.5A,5V -
JAN2N6306 Microchip Technology JAN2N6306 50.4203
RFQ
ECAD 8279 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/498 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 2N6306 125 w TO-204AA(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 250 v 8 a 50µA NPN 5V @ 2a,8a 15 @ 3a,5v -
JAN2N5154U3 Microchip Technology JAN2N5154U3 134.4763
RFQ
ECAD 2743 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/544 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 1 w U3 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 1 MA 1ma NPN 1.5V @ 500mA,5a 70 @ 2.5A,5V -
2N5880 Microchip Technology 2N5880 41.7354
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N5880 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N3716 Microchip Technology JANTX2N3716 53.5192
RFQ
ECAD 6485 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/408 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 2N3716 5 w TO-204AA(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 10 a 1ma NPN 2.5V @ 2a,10a 30 @ 3a,2v -
2N4239 Microchip Technology 2N4239 36.5085
RFQ
ECAD 5232 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 1 w TO-39((TO-205AD) - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 600mv @ 100mA,1a 30 @ 250mA,1V -
2N5349 Microchip Technology 2N5349 157.9375
RFQ
ECAD 3337 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N5349 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
2N3468L Microchip Technology 2N3468L 11.5710
RFQ
ECAD 7602 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜175°C 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 2N3468 1 w TO-5AA 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1 50 V 1 a 100NA PNP 1.2V @ 100mA,1a 25 @ 1A,5V 500MHz
2N6673 Microchip Technology 2N6673 98.3402
RFQ
ECAD 8917 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N6673 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JANTXV2N3700UB/TR Microchip Technology JANTXV2N3700UB/TR 13.4330
RFQ
ECAD 6376 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/391 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 2N3700 500兆 3-ub(2.9x2.2) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV2N3700UB/TR Ear99 8541.21.0095 1 80 V 1 a 10NA NPN 500mv @ 50mA,500mA 50 @ 500mA,10V -
JANTXV2N3418 Microchip Technology JANTXV2N3418 21.4263
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/393 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 2N3418 1 w TO-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 a 5µA NPN 500mv @ 200mA,2a 20 @ 1a,2v -
APTM50HM65FT3G Microchip Technology APTM50HM65FT3G 154.6200
RFQ
ECAD 2746 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP3 APTM50 MOSFET (金属 o化物) 390W SP3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4(n n 通道(半桥) 500V 51a 78MOHM @ 25.5A,10V 5V @ 2.5mA 140NC @ 10V 7000pf @ 25V -
JANSG2N2222AUBC Microchip Technology JANSG2N2222AUBC 305.8602
RFQ
ECAD 9640 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/255 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 500兆 UBC - 到达不受影响 150-JANSG2N222222AUBC 1 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V -
APT6029BLLG Microchip Technology apt6029bllg 13.0700
RFQ
ECAD 7195 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 APT6029 MOSFET (金属 o化物) TO-247 [B] 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 21a(TC) 290MOHM @ 10.5A,10V 5V @ 1mA 65 NC @ 10 V 2615 PF @ 25 V - 300W(TC)
2N7371 Microchip Technology 2N7371 288.0780
RFQ
ECAD 9656 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/623 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-254-3,TO-254AA((TO-254AA)) 100 W TO-254 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-2N7371 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 12 a 1ma pnp-达灵顿 3V @ 120mA,12a 1000 @ 6a,3v -
JANTXV2N6546 Microchip Technology JANTXV2N6546 -
RFQ
ECAD 8825 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/525 大部分 在sic中停产 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 175 w TO-204AA(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 300 v 15 a - NPN 5V @ 3a,15a 12 @ 5A,2V -
2N5339P Microchip Technology 2N5339P 46.1700
RFQ
ECAD 5439 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜200°C 通过洞 到205AD,TO-39-3 1 w TO-39((TO-205AD) - 到达不受影响 150-2N5339P Ear99 8541.29.0095 1 100 v 5 a 100µA NPN 1.2V @ 500mA,5a 60 @ 2a,2v -
2N2904AL Microchip Technology 2N2904AL 12.8079
RFQ
ECAD 3422 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 2N2904 800兆 TO-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 600 MA 1µA PNP 1.6V @ 50mA,500mA 40 @ 150mA,10V -
2N5348 Microchip Technology 2N5348 157.9375
RFQ
ECAD 5191 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N5348 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
2N5466 Microchip Technology 2N5466 65.4300
RFQ
ECAD 4863 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 140 w TO-204AD(TO-3) - 到达不受影响 150-2N5466 Ear99 8541.29.0095 1 400 v 3 a - PNP - - -
2N3725UB Microchip Technology 2N3725UB 21.5859
RFQ
ECAD 2805 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - - 2N3725 - - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N5238S Microchip Technology JANTX2N5238 21.7588
RFQ
ECAD 2607 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/394 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 2N5238 1 w TO-39((TO-205AD) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 170 v 10 a 10µA NPN 2.5V @ 1a,10a 40 @ 5A,5V -
JANTXV2N2222AL Microchip Technology JANTXV2N2222AL 8.8578
RFQ
ECAD 2542 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/255 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 2N2222 500兆 TO-18((TO-206AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V -
JANTXV2N1724 Microchip Technology JANTXV2N1724 -
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/262 大部分 积极的 175°C 螺柱坐骑 TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,螺柱 3 W TO-61 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 300 µA 300µA NPN 600mv @ 200mA,2a 30 @ 2a,15v -
2N3917 Microchip Technology 2N3917 78.7200
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-204AA,TO-3 20 w TO-204AD(TO-3) - 到达不受影响 150-2N3917 Ear99 8541.29.0095 1 40 V 2 a - PNP - - -
JAN2N3499L Microchip Technology JAN2N3499L 12.5818
RFQ
ECAD 9241 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/366 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 2N3499 1 w TO-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 MA 10µA(ICBO) NPN 1.4V @ 30mA,300mA 100 @ 150mA,10V -
2N5148 Microchip Technology 2N5148 19.4400
RFQ
ECAD 7134 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 7 W TO-5AA - 到达不受影响 150-2N5148 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 2 a - PNP - - -
SG2824J-DESC Microchip Technology SG2824J-DESC -
RFQ
ECAD 4714 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C〜125°C(TA) 通过洞 18-CDIP (0.300英寸,7.62mm) SG2824 - 18-Cerdip 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-SG2824J-DESC Ear99 8541.29.0095 21 95V 500mA - 8 npn达灵顿 1.6V @ 500µA,350mA - -
2N2907 Microchip Technology 2N2907 3.8700
RFQ
ECAD 8207 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-206AA,TO-18-3 500兆 TO-18((TO-206AA) - 到达不受影响 150-2N2907 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库