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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANS2N2222A | 32.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/255 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N2222 | 500兆 | TO-18((TO-206AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | - | ||||||||||||||
JANSD2N5154 | 98.9702 | ![]() | 5035 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/544 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | TO-39((TO-205AD) | - | 到达不受影响 | 150-JANSD2N5154 | 1 | 80 V | 2 a | 50µA | NPN | 1.5V @ 500mA,5a | 70 @ 2.5A,5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6306 | 50.4203 | ![]() | 8279 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/498 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 2N6306 | 125 w | TO-204AA(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 8 a | 50µA | NPN | 5V @ 2a,8a | 15 @ 3a,5v | - | |||||||||||||
![]() | JAN2N5154U3 | 134.4763 | ![]() | 2743 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/544 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1 w | U3 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 MA | 1ma | NPN | 1.5V @ 500mA,5a | 70 @ 2.5A,5V | - | |||||||||||||||
![]() | 2N5880 | 41.7354 | ![]() | 2288 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 2N5880 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3716 | 53.5192 | ![]() | 6485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/408 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 2N3716 | 5 w | TO-204AA(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 a | 1ma | NPN | 2.5V @ 2a,10a | 30 @ 3a,2v | - | |||||||||||||
2N4239 | 36.5085 | ![]() | 5232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | TO-39((TO-205AD) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 600mv @ 100mA,1a | 30 @ 250mA,1V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N5349 | 157.9375 | ![]() | 3337 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 2N5349 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3468L | 11.5710 | ![]() | 7602 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | 通过洞 | TO-205AA,TO-5-3金属可以 | 2N3468 | 1 w | TO-5AA | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 1 a | 100NA | PNP | 1.2V @ 100mA,1a | 25 @ 1A,5V | 500MHz | ||||||||||||||
![]() | 2N6673 | 98.3402 | ![]() | 8917 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 2N6673 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N3700UB/TR | 13.4330 | ![]() | 6376 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/391 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 2N3700 | 500兆 | 3-ub(2.9x2.2) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV2N3700UB/TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 a | 10NA | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 50 @ 500mA,10V | - | |||||||||||||
![]() | JANTXV2N3418 | 21.4263 | ![]() | 7997 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/393 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-205AA,TO-5-3金属可以 | 2N3418 | 1 w | TO-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 a | 5µA | NPN | 500mv @ 200mA,2a | 20 @ 1a,2v | - | |||||||||||||
![]() | APTM50HM65FT3G | 154.6200 | ![]() | 2746 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | APTM50 | MOSFET (金属 o化物) | 390W | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4(n n 通道(半桥) | 500V | 51a | 78MOHM @ 25.5A,10V | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | |||||||||||
![]() | JANSG2N2222AUBC | 305.8602 | ![]() | 9640 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/255 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 500兆 | UBC | - | 到达不受影响 | 150-JANSG2N222222AUBC | 1 | 50 V | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | - | |||||||||||||||||
![]() | apt6029bllg | 13.0700 | ![]() | 7195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMos7® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | APT6029 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 [B] | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 21a(TC) | 290MOHM @ 10.5A,10V | 5V @ 1mA | 65 NC @ 10 V | 2615 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||||||||
![]() | 2N7371 | 288.0780 | ![]() | 9656 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/623 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA((TO-254AA)) | 100 W | TO-254 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-2N7371 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 12 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 3V @ 120mA,12a | 1000 @ 6a,3v | - | ||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6546 | - | ![]() | 8825 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/525 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 175 w | TO-204AA(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 15 a | - | NPN | 5V @ 3a,15a | 12 @ 5A,2V | - | ||||||||||||||
2N5339P | 46.1700 | ![]() | 5439 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | TO-39((TO-205AD) | - | 到达不受影响 | 150-2N5339P | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2V @ 500mA,5a | 60 @ 2a,2v | - | ||||||||||||||||
![]() | 2N2904AL | 12.8079 | ![]() | 3422 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-205AA,TO-5-3金属可以 | 2N2904 | 800兆 | TO-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 MA | 1µA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,10V | - | |||||||||||||
![]() | 2N5348 | 157.9375 | ![]() | 5191 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 2N5348 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5466 | 65.4300 | ![]() | 4863 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 140 w | TO-204AD(TO-3) | - | 到达不受影响 | 150-2N5466 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 v | 3 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | 2N3725UB | 21.5859 | ![]() | 2805 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | - | 2N3725 | - | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||
JANTX2N5238 | 21.7588 | ![]() | 2607 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/394 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N5238 | 1 w | TO-39((TO-205AD) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 170 v | 10 a | 10µA | NPN | 2.5V @ 1a,10a | 40 @ 5A,5V | - | ||||||||||||||
JANTXV2N2222AL | 8.8578 | ![]() | 2542 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/255 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N2222 | 500兆 | TO-18((TO-206AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | - | ||||||||||||||
![]() | JANTXV2N1724 | - | ![]() | 8832 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/262 | 大部分 | 积极的 | 175°C | 螺柱坐骑 | TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,螺柱 | 3 W | TO-61 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 300 µA | 300µA | NPN | 600mv @ 200mA,2a | 30 @ 2a,15v | - | |||||||||||||||
![]() | 2N3917 | 78.7200 | ![]() | 6340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 20 w | TO-204AD(TO-3) | - | 到达不受影响 | 150-2N3917 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 2 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | JAN2N3499L | 12.5818 | ![]() | 9241 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/366 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-205AA,TO-5-3金属可以 | 2N3499 | 1 w | TO-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 MA | 10µA(ICBO) | NPN | 1.4V @ 30mA,300mA | 100 @ 150mA,10V | - | |||||||||||||
![]() | 2N5148 | 19.4400 | ![]() | 7134 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-205AA,TO-5-3金属可以 | 7 W | TO-5AA | - | 到达不受影响 | 150-2N5148 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 a | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | SG2824J-DESC | - | ![]() | 4714 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 18-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | SG2824 | - | 18-Cerdip | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-SG2824J-DESC | Ear99 | 8541.29.0095 | 21 | 95V | 500mA | - | 8 npn达灵顿 | 1.6V @ 500µA,350mA | - | - | |||||||||||||
2N2907 | 3.8700 | ![]() | 8207 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 500兆 | TO-18((TO-206AA) | - | 到达不受影响 | 150-2N2907 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | - |
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