RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTXV2N3439	20.8145	RFQ	4017	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3439		800兆	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1													350 v	1 a	2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTX2N4234L	40.5517	RFQ	8893	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTX2N4234L			1													40 V	1 a	1ma	PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
2N5872	63.9597	RFQ	9059	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N5872				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N2906AUB/TR	11.8237	RFQ	6663	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2906		500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N2906AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1													60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N6546	49.7154	RFQ	1551年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6546		175 w	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													300 v	15 a	1ma	NPN	5V @ 3a，15a	15 @ 1A，2V	-
APTM50HM35FG	362.8025	RFQ	4122	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50	MOSFET （金属 o化物）	781W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）		500V	99a		39mohm @ 49.5a，10v	5V @ 5mA	280NC @ 10V		14000pf @ 25V	-
JANS2N5238	-	RFQ	7240	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													170 v	10 µA	10µA	NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JANSD2N3637	129.6306	RFQ	8665	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSD2N3637			1													175 v	1 a	10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
APT31M100L	17.9000	RFQ	4	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT31M100	MOSFET （金属 o化物）		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	32A（TC）	10V	400mohm @ 16a，10v	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
JANSL2N2369AUA/TR	166.8512	RFQ	1274	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅	2n2369a		360兆w	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSL2N2N2N2369AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1													15 v		400NA	NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANTX2N5684	196.4676	RFQ	8872	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/466	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5684		300 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													80 V	50 a	5µA	NPN	5V @ 10a，50a	30 @ 5A，2V	-
JANSR2N222222AUA	153.5402	RFQ	2893	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			650兆	UA	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1													50 V	800 MA	50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N6032	511.7840	RFQ	5242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/528	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TA）	通过洞	TO-204AA，TO-3			140 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													90 v	50 a	25ma（iCBO）	NPN		10 @ 50a，2.6V	-
JAN2N2604UB/TR	-	RFQ	7872	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/354	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2604		400兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N2604UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1													60 V	30 ma	10NA	PNP	300mv @ 500µA，10mA	60 @ 500µA，5V	-
JANSD2N3500L	41.5800	RFQ	6222	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSD2N3500L			1													150 v	300 MA	10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
JAN2N3740U4	-	RFQ	7926	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			25 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													60 V	10 µA	10µA	PNP	600mv @ 1.25mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
JANSD2N3501	41.5800	RFQ	8422	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSD2N3501			1													150 v	300 MA	10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N3501	113.6304	RFQ	9450	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			500兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1													150 v	2 µA	2µA	NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N2907AUBC/TR	26.4600	RFQ	3631	微芯片技术	MIL-PRF-19500	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UBC	-				150-JANTXV2N2907AUBC/tr			100													60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANS2N5003	-	RFQ	6575	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/535	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱			2 w	to-59/i	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													80 V	50 µA	50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTXV2N5796A	138.7610	RFQ	8861	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796		600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1													60V	600mA	10µA（ICBO）	2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
jankccd2n3500	-	RFQ	6829	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCD2N3500			100													150 v	300 MA	10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N3634L	14.3906	RFQ	6813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3634		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													140 v	1 a	10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANS2N6987U	262.2704	RFQ	9137	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N6987		1W	6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													60V	600mA	10µA（ICBO）	4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N3421	17.1171	RFQ	1921年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3421		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													80 V	3 a	5µA	NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
2N6184	287.8650	RFQ	1493	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱			60 W	TO-59	-			到达不受影响	150-2N6184	Ear99	8541.29.0095	1													100 v	10 a	-	PNP	700mv @ 200µA，2mA	-	-
JANS2N3439U4	-	RFQ	3596	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N3439				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N5793	18.8328	RFQ	1731年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-78-6金属罐	2N579		500MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N5793MS	Ear99	8541.21.0095	1													40V	600mA	10µA（ICBO）	2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N3635	-	RFQ	6722	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													140 v	1 a	10µA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
MNS2N3501UB	12.1900	RFQ	2761	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-MNS2N3501UB			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²