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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APT50M75B2LLG	21.0600	RFQ	7827	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT50M75	MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	57A（TC）	10V	75MOHM @ 28.5A，10V	5V @ 2.5mA	125 NC @ 10 V	±30V	5590 pf @ 25 V	-	570W（TC）
VN4012L-G	2.0000	RFQ	647	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VN4012	MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	160mA（TJ）	4.5V	12ohm @ 100mA，4.5V	1.8V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	1W（TC）
JANS2N5665	212.4314	RFQ	9995	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N5665		2.5 w		TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														300 v	5 a		200NA			NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-
JAN2N3867	-	RFQ	4325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	3 ma		100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
MSR2N2907AUBC	-	RFQ	7833	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UBC	-			到达不受影响	150-MSR2N2907AUBC			100														60 V	600 MA		50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTM50SKM17G	230.1100	RFQ	4017	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50	MOSFET （金属 o化物）			SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	180a（TC）	10V	20mohm @ 90a，10v	5V @ 10mA	560 NC @ 10 V	±30V	28000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
APTM10DHM05G	241.8000	RFQ	7561	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM10	MOSFET （金属 o化物）	780W		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		100V	278a		5mohm @ 125a，10v	4V @ 5mA	700NC @ 10V		20000pf @ 25V	-
APT5014SLLG	15.9500	RFQ	5598	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT5014	MOSFET （金属 o化物）			D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	35A（TC）	10V	140MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±30V	3261 PF @ 25 V	-	403W（TC）
JAN2N3740U4	-	RFQ	7926	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/441	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			25 w		U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60 V	10 µA		10µA			PNP	600mv @ 1.25mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
JANSR2N3501	113.6304	RFQ	9450	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			500兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														150 v	2 µA		2µA			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N2907AUBC/TR	26.4600	RFQ	3631	微芯片技术	MIL-PRF-19500	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UBC	-				150-JANTXV2N2907AUBC/tr			100														60 V	600 MA		50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N3634L	14.3906	RFQ	6813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3634		1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														140 v	1 a		10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANS2N6987U	262.2704	RFQ	9137	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N6987		1W		6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60V	600mA		10µA（ICBO）			4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N6184	287.8650	RFQ	1493	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱			60 W		TO-59	-			到达不受影响	150-2N6184	Ear99	8541.29.0095	1														100 v	10 a		-			PNP	700mv @ 200µA，2mA	-	-
JANS2N3439U4	-	RFQ	3596	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N3439					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N5793	18.8328	RFQ	1731年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-78-6金属罐	2N579		500MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N5793MS	Ear99	8541.21.0095	1														40V	600mA		10µA（ICBO）			2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-
MNS2N3501UB	12.1900	RFQ	2761	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-MNS2N3501UB			1
2N5241	37.5858	RFQ	8324	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N5241					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N2369AUB/TR	17.2900	RFQ	2242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N2N2N2369AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1														20 v			400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANSM2N3700UB	40.1900	RFQ	4795	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANSM2N3700UB			1														80 V	1 a		10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2C5884	37.0050	RFQ	8350	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2C5884			1
APTGF50DA60T3G	-	RFQ	8346	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3			250 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器												npt	600 v	65 a	2.45V @ 15V，50a	250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
JANTX2N3700UB	9.1000	RFQ	3437	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3700		500兆		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														80 V	1 a		10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，10V	-
2n2906a	-	RFQ	8518	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906		500兆		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2n2906am	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA		50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANSM2N2221AL	91.0606	RFQ	6290	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆		TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANSM2N2221AL			1														50 V	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N3468L	-	RFQ	3374	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/348	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1														50 V	1 a		100µA（ICBO）			PNP	1.2V @ 100mA，1a	25 @ 500mA，1V	150MHz
2N3738	39.5010	RFQ	7271	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			20 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														225 v	1 a		-			PNP	-	-	-
2N6301E3	27.1320	RFQ	4709	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			75 w		TO-66（TO-213AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	500 µA		500µA			npn-达灵顿	3V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	-
MSCSM70VM10C4AG	311.4300	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM70	（SIC）	674W（TC）		SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM70VM10C4AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		700V	238a（TC）		9.5MOHM @ 80a，20v	2.4V @ 8mA	430NC @ 20V		9000pf @ 700V	-
2N5605	43.0350	RFQ	9184	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			25 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5605	Ear99	8541.29.0095	1														60 V	5 a		-			PNP	750mv @ 250µA，2.5mA	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²