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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N4236	40.5517	RFQ	7627	微芯片技术	MIL-PRF-19500/580	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4236				1 w		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	1 a							1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
JANKCD2N5152	-	RFQ	1804年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCD2N5152			100																				80 V	2 a							50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTXV2N2484UB/TR	21.4130	RFQ	3575	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2484				360兆w		-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N2484UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	50 mA							2NA			NPN	300mv @ 100µA，1mA	225 @ 10mA，5v	-
apt60m75jll	69.8500	RFQ	2961	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT60M75			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	58A（TC）	10V	75mohm @ 29a，10v	5V @ 5mA	195 NC @ 10 V	±30V	8930 PF @ 25 V	-	595W（TC）
APT8020JFLL	42.6200	RFQ	8842	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT8020			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						800 v	33A（TC）		220MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 2.5mA	195 NC @ 10 V		5200 pf @ 25 V	-
2N6514	78.7200	RFQ	4211	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3					120 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6514	Ear99	8541.29.0095	1																				300 v	7 a							-			PNP	-	-	-
2N6510	78.7200	RFQ	3086	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3					120 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6510	Ear99	8541.29.0095	1																				200 v	7 a							-			NPN	-	-	-
2N6338	55.1817	RFQ	2461	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6338							-	Rohs不合规		到达不受影响	2N6338MS	Ear99	8541.29.0095	1
Jan2n5002	416.0520	RFQ	2124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N5002				2 w		TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	5 a							50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
jankccr2n3499	-	RFQ	3622	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JankCCR2N3499	Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	500 MA							10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
APT38M50J	28.6900	RFQ	5318	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT38M50			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	38A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 2.5mA	220 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	357W（TC）
APT77N60BC6	13.3800	RFQ	3	微芯片技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT77N60			MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	77A（TC）	10V	41MOHM @ 44.4a，10V	3.6V @ 2.96mA	260 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	481W（TC）
2N335AT2	65.1035	RFQ	2228	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N335							-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANKCBF2N2907A	-	RFQ	6693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2907				500兆		TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCBF2N2907A	Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 MA							50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSM2N2221AUA	150.2006	RFQ	7627	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅					650兆		UA	-			到达不受影响	150-JANSM2N2221AUA			1																				50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
jankccm2n3498	-	RFQ	4136	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCM2N3498			100																				100 v	500 MA							10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-
2N6561	148.1850	RFQ	3530	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3					125 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6561	Ear99	8541.29.0095	1																				300 v	10 a							-			NPN	-	-	-
2N4398	42.3073	RFQ	7676	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N4398							-	Rohs不合规		到达不受影响	2N4398MS	Ear99	8541.29.0095	1
2N4235	-	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	1 a							1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
2N333AT2	65.1035	RFQ	9212	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N333							-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N3439U4	-	RFQ	1353	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N3439							-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
ARF463BG	41.4203	RFQ	3251	微芯片技术	-	大部分	积极的	500 v			TO-247-3	ARF463		81.36MHz	MOSFET			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		9a		50 mA	100W	15DB											-									125 v
2N6351	30.7895	RFQ	1212	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AC，TO-33-4金属可以					1 w		TO-33	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				150 v	5 a							-			npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
2N718	34.7250	RFQ	9742	微芯片技术	*	大部分	积极的												-			到达不受影响	150-2N718			1
JANS2N2484	52.7104	RFQ	2651	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2484				360兆w		TO-18（（TO-206AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	50 mA							2NA			NPN	300mv @ 100µA，1mA	225 @ 10mA，5v	-
TN2124K1-G	0.8600	RFQ	941	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TN2124			MOSFET （金属 o化物）			TO-236AB（SOT23）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						240 v	134ma（tj）	3V，4.5V	15ohm @ 120mA，4.5V	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	360MW（TC）
JANTX2N2905L	10.8528	RFQ	1186	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					600兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANTX2N2905L			1																				60 V	600 MA							1µA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MIC94030BM4 TR	-	RFQ	6151	微芯片技术	Tinyfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	MIC94030			MOSFET （金属 o化物）			SOT-143	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						16 V	1A（1A）	2.7V，10V	450MOHM @ 100mA，10V	1.4V @ 250µA		16V	100 pf @ 12 V	-	568MW（TA）
APTGT100H120G	247.6700	RFQ	2258	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT100				480 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																		沟渠场停止	1200 v	140 a		2.1V @ 15V，100a					250 µA	不	7.2 NF @ 25 V
APT40GR120S	8.4800	RFQ	1513年	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	APT40GR120	标准			500 w		d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				600V，40a，4.3Ohm，15V															npt	1200 v	88 a	160 a	3.2V @ 15V，40a	1.38mj（在）上（906µJ）off）	210 NC	22NS/163NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²