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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANSL2N2369AUBC/tr	252.7000	RFQ	4437	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				360兆w		UBC	-			到达不受影响	150-JANSL2N2369AUBC/tr			50															15 v							400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
2N2604	9.0307	RFQ	2669	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N2604			400兆		TO-46-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	30 ma						10NA			PNP	300mv @ 500µA，10mA	60 @ 500µA，5V	-
APT50GN60BDQ2G	7.2700	RFQ	8192	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GN60	标准		366 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，50a，4.3Ohm，15V											沟渠场停止	600 v	107 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	（1185µJ）（在1565µJ上）	325 NC	20N/230N
JANS2N2920L	183.5212	RFQ	8946	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920			350MW		TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60V	30mA						10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
JANS2N5666U3	1.0000	RFQ	3822	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	2N5666			1.5 w		U3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															200 v	5 a						200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
APTM50DAM65T3G	106.2109	RFQ	6672	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM50		MOSFET （金属 o化物）	390W		SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			500V	51a		78MOHM @ 25.5A，10V	5V @ 2.5mA	140NC @ 10V		7000pf @ 25V	-
2N3867	10.9459	RFQ	6908	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞		2N3867			1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															40 V	3 ma						100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
JAN2N930UB	-	RFQ	5779	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/253	大部分	积极的	200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N930					UB	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1															45 v	30 ma						-			NPN	-	-	-
MSC360SMA120SA	5.2900	RFQ	8873	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	-	-	MSC360		sicfet （碳化硅）			-	-			到达不受影响	150-MSC360SMA120SA	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	11A（TC）	20V	450MOHM @ 5A，20V	3.14V @ 250µA	21 NC @ 20 V	+23V，-10V	255 PF @ 1000 V	-	71W（TC）
JANTX2N5672	182.1967	RFQ	2126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/488	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5672			6 W		TO-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															120 v	30 a						10mA			NPN	5V @ 6a，30a	20 @ 20a，5v	-
2N3724UB	21.5859	RFQ	5294	微芯片技术	*	大部分	积极的		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3724					TO-5	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N3439	10.8262	RFQ	9820	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3439			800兆		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															350 v	1 a						2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
MSCSM120AM16T1AG	181.2600	RFQ	1333	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	745W（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM16T1AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）			1200V（1.2kV）	173a（TC）		16mohm @ 80a，20v	2.8V @ 6mA	464NC @ 20V		6040pf @ 1000V	-
APTC60AM18SCG	331.0700	RFQ	2675	微芯片技术	coolmos™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	833W		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			600V	143a		18mohm @ 71.5a，10v	3.9V @ 4mA	1036nc @ 10V		28000pf @ 25V	-
JAN2N5153L	12.3158	RFQ	6618	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5153			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															80 V	2 a						50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
TP2635N3-G	2.0000	RFQ	832	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TP2635		MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		350 v	180mA（TJ）	2.5V，10V	15ohm @ 300mA，10v	2V @ 1mA		±20V	300 pf @ 25 V	-	1W（ta）
JAN2N5660	-	RFQ	7619	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/454	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N5660			2 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															200 v	2 a						200NA			NPN	800mv @ 400mA，2a	40 @ 500mA，5V	-
MNS2N2907AUBP/tr	12.6500	RFQ	3273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2907			500兆		UB	-			到达不受影响	150-MNS2N2907AUBP/tr	Ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 MA						50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTGF300A120G	-	RFQ	4216	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP6				1780 w	标准	SP6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥													npt	1200 v	400 a		3.9V @ 15V，300A				500 µA	不	21 nf @ 25 V
APTGT100A120TG	127.5600	RFQ	2819	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTGT100			480 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥													沟渠场停止	1200 v	140 a		2.1V @ 15V，100a				250 µA	是的	7.2 NF @ 25 V
2N4037	15.8550	RFQ	8438	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-2N4037			1
2N3782	33.0450	RFQ	7178	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				5 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N3782	Ear99	8541.29.0095	1															40 V	3 a						-			PNP	750mv @ 200µA，1mA	-	-
2N2991	27.6600	RFQ	8395	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				5 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N2991	Ear99	8541.29.0095	1															80 V	1 a						-			NPN	3V @ 50µA，200µA	-	-
JANTX2N4236L	40.5517	RFQ	9574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/580	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTX2N4236L			1															80 V	1 a						1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
JANKCCF2N3501	-	RFQ	8636	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCF2N3501			100															150 v	300 MA						10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N3250A	-	RFQ	2396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/323	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3250			360兆w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	200 ma						10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
JANSR2N3637UB	126.2408	RFQ	8715	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				1.5 w		UB	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															175 v	1 a						10µA（ICBO）			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，10v	-
2N5840	54.1975	RFQ	8346	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N5840						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANKCC2N5339	38.7961	RFQ	1769年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/560	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-205AD（TO-39）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCC2N5339	Ear99	8541.29.0095	1															100 v	5 a						100µA			NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
JANS2N3507L	70.3204	RFQ	7348	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANS2N3507L			1															50 V	3 a						1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²